『壹』 非晶合金刻蝕溶液問題
簡單來說，電鍍指藉助外界直流電的作用，在溶液中進行電解反應，使導電體例如金屬的表面沉積一金屬或合金層。
我們以硫酸銅鍍浴作例子:
硫酸銅鍍液主要有硫酸銅、硫酸和水，甚至也有其它添加劑。硫酸銅是銅離子(Cu2+)的來源，當溶解於水中會離解出銅離子，銅離子會在陰極(工件)還原(得到電子)沈積成金屬銅。這個沉積過程會受鍍浴的狀況如銅離子濃度、酸鹼度(pH)、溫度、攪拌、電流、添加劑等影響。
陰極主要反應 : Cu2+(aq) + 2e- → Cu (s)
電鍍過程浴中的銅離子濃度因消耗而下降，影響沉積過程。面對這個問題，可以兩個方法解決：1.在浴中添加硫酸銅；2.用銅作陽極。添加硫酸銅方法比較麻煩，又要分析又要計算。用銅作陽極比較簡單。陽極的作用主要是導體，將電路迴路接通。但銅作陽極還有另一功能，是氧化(失去電子)溶解成銅離子，補充銅離子的消耗。
陽極主要反應 : Cu (s) → Cu2+(aq) + 2e-
由於整個鍍液主要有水，也會發生水電解產生氫氣(在陰極)和氧氣(在陽極)的副反應
陰極副反應 : 2H3O+(aq) + 2e- → H2(g) + 2H2O(l)
陽極副反應 : 6H2O(l) → O2(g) + 4H3O+(aq) + 4e-
結果，工件的表面上覆蓋了一層金屬銅。這是一個典型鍍浴的機理，但實際的情況是十分復雜。自催化鍍及浸漬鍍。
『貳』 什麼是蝕刻什麼是濕蝕刻蝕刻用的化學葯水有
摘要 您好，蝕刻(etching)是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。蝕刻技術可以分為濕蝕刻(wet etching)和干蝕刻(dry etching)兩類
『叄』 誰知道蝕刻用的溶液怎麼配製，需要那幾樣產品。
鐵蝕刻液配方：
硝酸 25%
三氯化鐵45°Be 25%
水 50%
蝕刻溫度：30-50度
不銹鋼蝕刻液配方：
1、濃鹽酸 210克/升
濃硝酸 200克/升
冰醋酸 20克/升
氫氟酸 200克/升
磷酸氫二鈉 12個結晶水 12克/升
水 358克/升
蝕刻溫度： 30-50度
2、 濃鹽酸 586毫升/升
濃硝酸 80.5毫升/升
氯化鎳 9.6克/升
三氯化鐵 344.5克/升
水 加水到一升。
蝕刻溫度：24-60度
3、三氯化鐵（45-48）°Be 65%
蝕刻溫度：30-50度
4、三氯化鐵（30-42）°Be 67%
雙氧水 16%
氫氟酸 17%
蝕刻溫度：30-50度
4、三氯化鐵（40-45）°Be 65%
雙氧水 10%
氫氟酸 25%
蝕刻溫度：30-50度
注意：不銹鋼材料的成份不同所採用的蝕刻液配方也應不同。
鈦金板蝕刻液配方： 在腐蝕之前，先用氫氟酸或用氟化鈉水溶液少量鹽酸擦洗把表面鈦金膜去掉，再用不銹鋼腐蝕液蝕刻。
材料：500ml可樂瓶（根據刀具大小而定）、碳棒（一號干電池）、油性記號筆（日本進口的，要最粗的那種，黑色的）、36v電瓶車充電器、鹽酸、鋼針
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步驟：1、將刀具打磨到800目、鹽酸稀釋（20：80）
2、用油性記號筆將刀具全部塗滿（要保護的部分），等干後再塗第二遍，至少四遍。。。
3、可樂瓶、碳棒、36v電瓶車充電器連接方法可看老貼、將稀釋鹽酸倒入容器
4、用鋼針刻畫出要腐蝕的圖案
5、將刀具連接正極放入容器、通電電解，並不時攪動
時間：20~45分鍾
結果：圖案清晰、細致，深度根據腐蝕電解時間長短
『肆』 集成電路刻蝕溶液是什麼化學品
濕法刻蝕
這是傳統的刻蝕方法。把矽片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為「濕法」工藝，其優點是操作簡便、對設備要求低、易於實現大批量生產，並且刻蝕的選擇性也好。但是，化學反應的各向異性較差，橫向鑽蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形（見圖）。這不僅使圖形剖面發生變化，而且當稍有過刻蝕時剖面會產生如圖中的虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2墹x,並且墹x隨過刻蝕時間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法刻蝕的另一問題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對於那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須採用更為復雜的掩蔽方案。
對於採用微米級和亞微米量級線寬的超大規模集成電路，刻蝕方法必須具有較高的各向異性特性，才能保證圖形的精度，但濕法刻蝕不能滿足這一要求。
干法刻蝕
70年代末研究出一系列所謂干法刻蝕工藝。干法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種主要方法。
①離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面，裸露的薄膜被濺射而除去。由於刻蝕是純物理作用，各向異性程度很高，可以得到解析度優於 1微米的線條。這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學器件等製造中得到應用。但是，這種方法的刻蝕選擇性極差，須採用專門的刻蝕終點監測技術，而且刻蝕速率也較低。
②等離子刻蝕：利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電，產生能與薄膜發生離子化學反應的分子或分子基團，生成的反應產物是揮發性的。它在低氣壓的真空室中被抽走，從而實現刻蝕。通過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但刻蝕精度不高，一般僅用於大於4～5微米線條的工藝中。
③反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。矽片處於陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速，垂直入射到矽片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，大大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法。
現代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空裝置，同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。因此這種工藝的設備投資是昂貴的。
『伍』 求助：刻蝕氧化鋅，不用酸不用鹼，還有什麼溶劑可以使其溶解有這類有機溶劑么
可以用氯化銨溶液，參見http://ke..com/view/155896.htm物理性質這一條。
『陸』 常用的化學溶劑有哪些
水、甲醇、乙醇、乙腈、己烷、環己烷、丙酮等等，很多
『柒』 刻蝕溶液一般用什麼，還有金屬銅，一般採用什麼溶液
那要看被刻的是什麼材料，大理石的用普通酸就可以，銅的話用濃硫酸，玻璃用氫氧化鈉。
『捌』 硅的濕法刻蝕劑有哪些，各有什麼特點
基本工藝要求 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鑽蝕.這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性,即對作為掩模的抗蝕劑和處於其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大,控制容易,成本低,對環境污染少,適用於工業生產. 濕法刻蝕 這是傳統的刻蝕方法.把矽片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中,使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去 例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜,用磷酸刻蝕鋁薄膜等.這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為「濕法」工藝,其優點是操作簡便、對設備要求低、易於實現大批量生產,並且刻蝕的選擇性也好.但是,化學反應的各向異性較差,橫向鑽蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形（見圖 ）.這不僅使圖形剖面發生變化,而且當稍有過刻蝕時剖面會產生如圖 中的虛線,致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2 ,並且 隨過刻蝕時間迅速增大.這使精確控制圖形變得困難.濕法刻蝕的另一問題,是抗蝕劑在溶液中,特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效,因而對於那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須採用更為復雜的掩蔽方案. 對於採用微米級和亞微米量級線寬的超大規模集成電路,刻蝕方法必須具有較高的各向異性特性,才能保證圖形的精度,但濕法刻蝕不能滿足這一要求. 干法刻蝕 70年代末研究出一系列所謂干法刻蝕工藝.干法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種主要方法. ① 離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面,裸露的薄膜被濺射而除去.由於刻蝕是純物理作用,各向異性程度很高,可以得到解析度優於 1微米的線條.這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學器件等製造中得到應用.但是,這種方法的刻蝕選擇性極差,須採用專門的刻蝕終點監測技術,而且刻蝕速率也較低. ② 等離子刻蝕：利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電,產生能與薄膜發生離子化學反應的分子或分子基團,生成的反應產物是揮發性的.它在低氣壓的真空室中被抽走,從而實現刻蝕.通過選擇和控制放電氣體的成分,可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率,但刻蝕精度不高,一般僅用於大於4～5微米線條的工藝中. ③ 反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用.輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行.矽片處於陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近.大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速,垂直入射到矽片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應,產生化學刻蝕作用.選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應,大大提高了刻蝕的各向異性特性.反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法. 現代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空裝置,同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置.因此這種工藝的設備投資是昂貴的.
『玖』 為何說刻蝕工藝在微加工工藝中是必不可少的步驟
目前越來越多的微加工中材料多為硅、石英等，硬度高、不導電，性脆，導致普通的機械加工無能為力，只能採用光刻、超聲波、激光等手段來加工，但成本最低、工藝簡單、應力最小的還屬腐蝕工藝。
刻蝕工藝；
把未被抗蝕劑掩蔽的薄膜層除去，從而在薄膜上得到與抗蝕劑膜上完全相同圖形的工藝。在集成電路製造過程中，經過掩模套准、曝光和顯影，在抗蝕劑膜上復印出所需的圖形，或者用電子束直接描繪在抗蝕劑膜上產生圖形，然後把此圖形精確地轉移到抗蝕劑下面的介質薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金屬薄膜（如鋁及其合金）上去，製造出所需的薄層圖案。
刻蝕就是用化學的、物理的或同時使用化學和物理的方法，有選擇地把沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜層除去，從而在薄膜上得到和抗蝕劑膜上完全一致的圖形。
刻蝕技術主要分為干法刻蝕與濕法刻蝕。干法刻蝕主要利用反應氣體與等離子體進行刻蝕；濕法刻蝕主要利用化學試劑與被刻蝕材料發生化學反應進行刻蝕。
在半導體製造中有兩種基本的刻蝕工藝：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是把矽片表面曝露於氣態中產生的等離子體，等離子體通過光刻膠中開出的窗口，與矽片發生物理或化學反應（或這兩種反應），從而去掉曝露的表面材料。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的最重要方法。而在濕法腐蝕中，液體化學試劑（如酸、鹼和溶劑等）以化學方式去除矽片表面的材料。濕法腐蝕一般只是用在尺寸較大的情況下（大於3微米）。濕法腐蝕仍然用來腐蝕矽片上某些層或用來去除干法刻蝕後的殘留物。
基本工藝要求理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕，即只有垂直刻蝕，沒有橫向鑽蝕。這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性，即對作為掩模的抗蝕劑和處於其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多，以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性，不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，對環境污染少，適用於工業生產。