化學晶體配位數怎麼算

1. 復雜晶胞中原子的配位數怎麼算

配位數的演算法：
1.找出原子或離子的種類數
2.每一種原子或離子在晶胞中的個數（在晶胞內部算1，在晶胞側面算0.5，在晶胞棱上算0.25，在晶胞頂點算0.125）
3.比一下就可以了
是不是相鄰？就是看原子之間是不是還有別的原子

2. 晶體配位數口訣是什麼

如果是離子晶體，陽離子的配位數是與之相連的陰離子的個數，反之亦然；

金屬晶體配位數為與該金屬原子相鄰的金屬原子個數；

原子晶體的配位數是與該原子鍵連的原子個數（通常為4）

配位數通常為2-8，也有高達10以上的，如鈾和釷的雙齒簇狀硝酸根離子U(NO3）6、Th(NO3）6，及最近研究的PbHe15離子，該離子中鉛的配位數至少為15。此概念也可延伸至任何化合物，也就是配位數等同於共價鍵鍵連數，例如，可以說甲烷中碳的配位數為4。這種說法通常不計π鍵。

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註：

1、體心立方結構的配位數為8。

2、密排六方結構中，只有當c/a=1.633時其配位數為12。如果c/a≠1.633，則有6個最近鄰原子（同一層的6個原子）和6個次近鄰原子（上、下層的各3個原子），故其配位數應記為（6+6）。

3. 化學選修3晶體最密堆積中配位數計算方法

高中階段，配位數是靠看，看出來的，不是計算得到的。
1.
離子晶體中，與某離子最近且等距的異電性離子的個數，就是該離子的配位數。
2.
金屬晶體中，與某原子最近且等距的原子的個數，就是該原子的配位數。
配位數與晶體結構或晶胞類型有關，且決定原子堆積的緊密程度。
有些數據是要記住的：
1.
體心立方堆積中原子配位數為8。
2.
六方緊密堆積和立方緊密堆積結構的配位數為12。

4. 晶體的配位數如何計算,主要是面心立方的

面心立方結構的晶體,其配位數是12.
以某一原子為原點,離它最近的即第一近鄰其有12個原子,其距離為√2/2a,a為晶格常數.

5. 晶體的配位數怎麼算

計算陽離子和陰離子的半徑比
0.225-0.4144配位
0.414-0.7326配位
0.732-18配位
嗯，類似NaCl的就是6配位
CsCl就是8配位
晶體化學很復雜的……有的時候會因為相互極化作用導致配位數降低……
大致記住幾個典型就好了
體心立方晶格（胞）（B.C.C晶格）
體心立方晶格的晶胞中，八個原子處於立方體的角上，一個原子處於立方體的中心，角上八個原子與中心原子緊靠。具有體心立方晶格的金屬有鉬（Mo)、鎢（W）、釩（V）、α-鐵（α-Fe，<912℃）等。

6. 晶體的配位數怎麼算同種元素形成的晶體，不同種元素

金屬晶體的配位數一般只計與該金屬相距最近的原子；體心立方堆積的特殊，需要計8+6型
離子晶體的配位數只計與該離子電荷相反的距離最近的原子。
原子晶體按鍵連接計算即可。

7. 化學中 晶體的配位數怎麼算啊 晶飽怎麼算啊

其實很簡單，晶胞計算分為面共用和頂點共用，面共用當做二分之一，頂點共用當做八分之一，如果嫌這樣不好記，還可以先全部算進去，再減去多餘的部分。如正方體有八個頂點，假如該正方體的八個頂點分別放一個元素A，六個面的中心部位有分布另外一種元素B,如果某物質的晶體結構的最小單位晶胞是由該正方體組成的話，那麼該物質應該是A*8*1/8 = A*1 B*6*1/2 = B*3 物質是AB3

8. 配位數如何計算

配位數等同於共價鍵鍵連數。

配位數是化學中的一個重要概念，指的是分子或者離子中與一個原子相鄰的原子個數。例如在甲烷(CH4)分子中，碳原子的配位數為4。通常來說某個原子的配位數等同於這個原子形成的共價鍵的個數。

晶體學中，配位數是晶格中與某一布拉維晶格相距最近的格子個數。配位數與晶體結構或晶胞類型有關，且決定原子堆積的緊密程度，體心立方晶系中原子配位數為8。

中心離子的配位數一般是2、4、6，最常見的是4和6，配位數的多少取決於中心離子和配體的性質──電荷、體積、電子層結構以及配合物形成時的條件，特別是濃度和溫度。一般來講，中心離子的電荷越高越有利於形成配位數較高的配合物。

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中心離子的半徑越大，在引力允許的條件下，其周圍可容納的配體越多，配位數也就越大。例如Al與F可形成[AlF]配離子，體積較小的B（Ⅲ）原子就只能生成[BF]配離子。但應指出中心離子半徑的增大固然有利於形成高配位數的配合物，但若過大又會減弱它同配體的結合，有時反而降低了配位數。如Cd可形成[CdCl]配離子，比Cd大的Hg，卻只能形成[HgCl]配離子。

顯然配位體的半徑較大，在中心離子周圍容納不下過多的配體，配位數就減少。如F可與Al形成[AlF]配離子，但半徑比F大的Cl、Br、I與Al只能形成[AlX]配離子（X代表Cl、Br、I離子）。

9. 配位數是如何確定的

配位數是化學中的一個重要概念，指的是分子或者離子中與一個原子相鄰的原子個數。例如在甲烷(CH4)分子中，碳原子的配位數為4。通常來說某個原子的配位數等同於這個原子形成的共價鍵的個數。

晶體學中，配位數是晶格中與某一布拉維晶格相距最近的格子個數。配位數與晶體結構或晶胞類型有關，且決定原子堆積的緊密程度，體心立方晶系中原子配位數為8。

中心離子的配位數一般是2、4、6，最常見的是4和6，配位數的多少取決於中心離子和配體的性質──電荷、體積、電子層結構以及配合物形成時的條件，特別是濃度和溫度。一般來講，中心離子的電荷越高越有利於形成配位數較高的配合物。

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中心原子的最高配位數決定於它在周期表中的周次。在周期表內，第1周期元素的最高配位數為2，第2周期元素的最高配位數為4，第3周期為6，以下為8、10。

最高配位數是指在配合物中，中心原子周圍的最高配位原子數，實際上一般可低於最高數。由表可見，在實際中第1周期元素原子的配位數為2，第2周期不超過4。

除個別例外，第3、4周期不超過6，第5、6周期為8。最常見的配位數為4和6，其次為2、5、8。配位數為奇數的通常不如偶數的普遍。

10. 怎麼算晶胞的原子配位數

配合物或晶體中一個微粒周圍最近鄰的微粒數稱為配位數。配位數這個概念存在於配位化學和晶體學中，定義有所不同。配合物中的配位數是指直接同中心離子(或原子)配位的原子數目。晶體學中的配位數是指晶體中一個原子周圍與其等距離的最近鄰的原子數目。離子晶體中的配位數是指一個離子周圍最近的異電性離子數目。高中階段判斷配合物或晶體中配位數的方法可作如下小結。
一、各種典型配合物中配位數的判斷
1．配位數可以等同於中心離子(或原子)與配位原子形成的配位鍵鍵數，也可以等同於配位體的數目。
如[Ag(NH3)2]NO3、[Ag(CN)2]-、[Cu(NH3)4]SO4、[Cu(H2O)4]2+、
[Zn(NH3)4]2+、[Zn(CN)4]2-、K3[Fe(SCN)6]、[Fe(CN)6]3-、[FeF6]3-等配合物或配離子中的中心離子與配位體的數目以及配位原子形成的配位鍵鍵數均相等，其中Ag+離子的配位數為2，Cu2+離子與Zn2+離子的配位數均為4，Fe3+離子的配位數為6。
一般規律：一般配合物的配位數可以按中心離子電荷數的二倍來計算。
又如Ni(CO)4、Fe(CO)5、Cr(CO)6等羰基化合物中Ni、Fe 、Cr原子的配位數分別為4、5、6。[Co(NH3)4(H2O)2]Cl2、[CrCl(H2O)5]Cl2中Co2+離子與Cr3+離子的配位數均為6。
說明：羰基化合物中的中心原子呈電中性，此類配合物的配位數由化學式直接判斷。Co2+離子與Cr3+離子的電荷數分別為2、3，但配位數都是6。所以，配合物的配位數不一定按中心離子(或原子)的電荷數判斷。
2．當中心離子(或原子)與多基配體配合時，配位數可以等同於配位原子的數目，但不是配位體的數目。
如[Cu(en)2]中的en是乙二胺(NH2CH2CH2NH2)的簡寫，屬於雙基配體，每個乙二胺分子有2個N 原子與Cu2+離子配位，故Cu2+離子的配位數是4而不是2。
3．當中心離子(或原子)同時以共價鍵與配位鍵結合時，配位數不等於配位鍵的鍵數。
如[BF4]-、[B(OH)4]-、[AlCl4]-、[Al(OH)4]-等配離子中，B、Al原子均缺電子，它們形成的化學鍵，既有共價鍵，又有配位鍵，配位數與配位鍵的鍵數不相等，配位數均為4。
又如Al2Cl6()中Al原子的配位數為4。
再如酞菁鈷的結構，鈷離子的配位數為4。
4．當中心離子(或原子)與不同量的配位體配合時，其配位數為不確定。
如硫氰合鐵絡離子隨著配離子SCN-濃度的增大，中心離子Fe3+ 與SCN- 可以形成配位數為1~6的配合物：[Fe(SCN-)n]3-n (n=1~6)。
注意：中心離子的配位數多少與中心離子和配體的性質(如電荷數、體積大小、電子層結構等)以及它們之間相互影響、配合物的形成條件(如濃度、溫度等)有關。配合物的配位數由1到14，其中最常見的配位數為4和6。
二、各種典型晶體中配位數的判斷
1．最密堆積晶體的配位數均為12。
如金屬晶體中的兩種最密堆積：面心立方最密堆積A1、六方最密堆積A3。
面心立方最密堆積A1，典型代表Cu、Ag、Au，因周圍的原子都與該原子形成金屬鍵，以立方體的面心原子分析，上、中、下層各有4個配位原子，故配位數為12。六方最密堆積A3，典型代表Mg、Zn、Ti，因周圍的原子都與該原子形成金屬鍵，以六方晶胞的面心原子分析，上、中、下層分別有3、6、3個配位原子，故配位數為12。
又如分子晶體中的乾冰()，以立方體的面心CO2分子分析，上、中、下層各有4個CO2分子，故配位數為12。
2．體心立方堆積晶體的配位數為8。
如金屬晶體中的體心立方堆積A2，典型代表Na、K、Fe，因立方體8個頂點的原子都與體心原子形成金屬鍵，故配位數為8。
又如CsCl型離子晶體，CsCl晶體中，每個離子被處在立方體8個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Cs+離子的配位數都為8。或以大立方體的面心Cs+離子分析，上、下層各有4個Cl-離子，配位數為8。
注意：每個Cl-(Cs+)離子周圍等距且緊鄰的Cl-(Cs+)在上下、左右、前後各2個，共6個，這不是真正的配位數。因為是同電性離子。
3．面心立方堆積晶體的配位數為6。
如NaCl型離子晶體，NaCl晶體中，每個離子被處在正八面體6個頂點帶相反電荷的離子包圍，Cl-離子和Na+離子的配位數都為6。
注意：每個Cl-(Na+)離子周圍等距且緊鄰的Cl-(Na+)在上、中、下層4個，共12個，這不是真正的配位數。因為是同電性離子。
又如金屬晶體中的簡單立方堆積，Po晶體中，立方體位於1個頂點原子的上下、前後、左右各有2個原子與其形成金屬鍵，配位數為6。 4．配位數為4的幾種晶體。
如ZnS型離子晶體，ZnS晶體中的S2-離子和Zn2+離子排列類似NaCl型，但相互穿插的位置不同，使S2-、Zn2+離子的配位數不是6，而是4。具體可將圖示中分為8個小立方體，其中體心有4個S2-離子，每個S2-離子處於Zn2+離子圍成的正四面體中心，故S2-離子的配位數是4。以大立方體的面心Zn2+離子分析，上、下層各有2個S2-離子，故Zn2+離子的配位數為4。Zn2+離子的配位數不易觀察，亦可利用ZnS的化學式中的離子比為1∶1，推知Zn2+離子的配位數為4。
又如金剛石、碳化硅等原子晶體，與ZnS型離子晶體類似情況，配位數均為4。二氧化硅原子晶體中，Si與O原子形成的是硅氧四面體，Si的配位數為4，而SiO2的原子比為1∶2，故O的配位數是2。
再如CaF2型離子晶體，F-和Ca2+離子的配位數分別4和8。具體分析：每個F-離子處於Ca2+離子圍成的正四面體中心，故F-離子的配位數是4。以大立方體的面心Ca2+離子分析，上、下層各有4個F-離子，故Ca2+離子的配位數為8。亦可利用CaF2的化學式中的離子比為1∶2，推知Ca2+離子的配位數是8。
還如在砷化鎵晶胞結構，小黑點為鎵原子，其配位數為4，砷化鎵原子比為1∶1，故As原子的配位數也是4。
5．配位數為3的層狀晶體。
如石墨或六方氮化硼等
6．鏈狀結構的配位數為2。
如硫酸氧鈦晶體中陽離子為鏈狀聚合形式的離子，結構如圖1所示。Ti、O原子的配位數均為2。