刻蝕方法有哪些a化學刻蝕

㈠ 什麼是濕法刻蝕

申請專利號 CN01817645.3
專利申請日 2001.09.20
名稱 濕法刻蝕方法
公開（公告）號 CN1469939
公開（公告）日 2004.01.21
類別 化學；冶金
頒證日
優先權 2000.9.20 SE 0003345－6;2000.9.20 US 60/234,184
申請（專利權） 奧博杜卡特股份公司
地址 瑞典馬爾默
發明（設計）人 比加尼·比迦納森;佩·比德森
國際申請 PCT/SE01/02012 2001.9.20
國際公布 WO02/24977 英 2002.3.28
進入國家日期 2003.04.18
專利代理機構 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所
代理人 王永剛
摘要
在刻蝕中，用於刻蝕基板(1)的刻蝕劑(4)按給定圖形施加。在刻蝕之前，在基板(1)上按所述圖形塗覆抗蝕劑層(2)，以限定出基板(1)的至少一個露出部分(3)。為了使底蝕最小，在刻蝕之前，在基板(1)上設置鈍化物質也限定所述圖形，即在露出部分(3)的周圍。刻蝕期間鈍化物質在周圍形成刻蝕保護化合物。
主權項
1.一種基板(1)的濕法刻蝕方法，其中施加刻蝕劑(4)用於按給定的圖形刻蝕基板(1)，特徵在於鈍化物質設置在基板(1)上以限定所述圖形，並且在於刻蝕期間鈍化物質形成限定基板(1)上所述圖形的刻蝕保護化合物，其中鈍化物質包括與刻蝕期間含在刻蝕劑(4)中的成分反應的有效物質，形成刻蝕保護化合物，其中刻蝕劑(4)為溶液，其中有效物質包括溶解在刻蝕劑(4)中並與所述成分形成化合物的離子，該化合物至少在溶液中難以溶解。

㈡ 什麼叫刻蝕的選擇比.刻蝕速率。 知道的大俠麻煩告訴下小弟！有資料的也可以發下我的郵箱 [email protected]

刻蝕是通過溶液與材料反應或其它機械方式來剝離、去除材料的一種微加工方法。
刻蝕分為干法刻蝕和濕法刻蝕。
（1）濕法刻蝕：是一個純粹的化學反應過程，是指利用溶液與預刻蝕材料之間的化學反應來去除未被掩蔽膜材料掩蔽的部分而達到刻蝕目的。
濕法刻蝕在半導體工藝中有著廣泛應用：磨片、拋光、清洗、腐蝕
優點：選擇性好、重復性好、生產效率高、設備簡單、成本低
缺點：鑽刻嚴重、對圖形的控制性較差，不能用於小的特徵尺寸；會產生大量的化學廢液
（2）干法刻蝕種類很多，包括光揮發、氣相腐蝕、等離子體腐蝕等。
優點：各向異性好，選擇比高，可控性、靈活性、重復性好，細線條操作安全，易實現自動化，無化學廢液，處理過程未引入污染，潔凈度高。
缺點：成本高，設備復雜。干法刻蝕主要形式有純化學過程（如屏蔽式，下游式，桶式），純物理過程（如離子銑），物理化學過程，常用的有反應離子刻蝕RIE，離子束輔助自由基刻蝕ICP等。
干法刻蝕方式很多，一般有：濺射與離子束銑蝕， 等離子刻蝕（Plasma Etching），高壓等離子刻蝕，高密度等離子體（HDP）刻蝕，反應離子刻蝕（RIE）。另外，化學機械拋光CMP，剝離技術等等也可看成是廣義刻蝕的一些技術。

單位時間內腐蝕的深度稱為刻蝕速度。

由於不同材料對刻蝕液/離子束的敏感程度不同，所以其刻蝕速率也不同。
刻蝕的選擇比定義為對於不同材質之薄膜間的蝕刻速率比。

㈢ 硅的濕法刻蝕劑有哪些，各有什麼特點

基本工藝要求 理想的刻蝕工藝必須具有以下特點：①各向異性刻蝕,即只有垂直刻蝕,沒有橫向鑽蝕.這樣才能保證精確地在被刻蝕的薄膜上復制出與抗蝕劑上完全一致的幾何圖形；②良好的刻蝕選擇性,即對作為掩模的抗蝕劑和處於其下的另一層薄膜或材料的刻蝕速率都比被刻蝕薄膜的刻蝕速率小得多,以保證刻蝕過程中抗蝕劑掩蔽的有效性,不致發生因為過刻蝕而損壞薄膜下面的其他材料；③加工批量大,控制容易,成本低,對環境污染少,適用於工業生產. 濕法刻蝕 這是傳統的刻蝕方法.把矽片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中,使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去 例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜,用磷酸刻蝕鋁薄膜等.這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為「濕法」工藝,其優點是操作簡便、對設備要求低、易於實現大批量生產,並且刻蝕的選擇性也好.但是,化學反應的各向異性較差,橫向鑽蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形（見圖 ）.這不僅使圖形剖面發生變化,而且當稍有過刻蝕時剖面會產生如圖 中的虛線,致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2 ,並且 隨過刻蝕時間迅速增大.這使精確控制圖形變得困難.濕法刻蝕的另一問題,是抗蝕劑在溶液中,特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效,因而對於那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須採用更為復雜的掩蔽方案. 對於採用微米級和亞微米量級線寬的超大規模集成電路,刻蝕方法必須具有較高的各向異性特性,才能保證圖形的精度,但濕法刻蝕不能滿足這一要求. 干法刻蝕 70年代末研究出一系列所謂干法刻蝕工藝.干法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種主要方法. ① 離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面,裸露的薄膜被濺射而除去.由於刻蝕是純物理作用,各向異性程度很高,可以得到解析度優於 1微米的線條.這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學器件等製造中得到應用.但是,這種方法的刻蝕選擇性極差,須採用專門的刻蝕終點監測技術,而且刻蝕速率也較低. ② 等離子刻蝕：利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電,產生能與薄膜發生離子化學反應的分子或分子基團,生成的反應產物是揮發性的.它在低氣壓的真空室中被抽走,從而實現刻蝕.通過選擇和控制放電氣體的成分,可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率,但刻蝕精度不高,一般僅用於大於4～5微米線條的工藝中. ③ 反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用.輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行.矽片處於陰極電位,放電時的電位大部分降落在陰極附近.大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速,垂直入射到矽片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應,產生化學刻蝕作用.選擇合適的氣體組分,不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度,還可以使活性基團的壽命短,這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應,大大提高了刻蝕的各向異性特性.反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法. 現代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空裝置,同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置.因此這種工藝的設備投資是昂貴的.

㈣ 集成電路刻蝕溶液是什麼化學品

濕法刻蝕
這是傳統的刻蝕方法。把矽片浸泡在一定的化學試劑或試劑溶液中，使沒有被抗蝕劑掩蔽的那一部分薄膜表面與試劑發生化學反應而被除去。例如,用一種含有氫氟酸的溶液刻蝕二氧化硅薄膜，用磷酸刻蝕鋁薄膜等。這種在液態環境中進行刻蝕的工藝稱為「濕法」工藝，其優點是操作簡便、對設備要求低、易於實現大批量生產，並且刻蝕的選擇性也好。但是，化學反應的各向異性較差，橫向鑽蝕使所得的刻蝕剖面呈圓弧形（見圖）。這不僅使圖形剖面發生變化，而且當稍有過刻蝕時剖面會產生如圖中的虛線，致使薄膜上圖形的線寬比原抗蝕劑膜上形成的線寬小2墹x,並且墹x隨過刻蝕時間迅速增大。這使精確控制圖形變得困難。濕法刻蝕的另一問題，是抗蝕劑在溶液中，特別在較高溫度的溶液中易受破壞而使掩蔽失效，因而對於那些只能在這種條件下刻蝕的薄膜必須採用更為復雜的掩蔽方案。
對於採用微米級和亞微米量級線寬的超大規模集成電路，刻蝕方法必須具有較高的各向異性特性，才能保證圖形的精度，但濕法刻蝕不能滿足這一要求。

干法刻蝕
70年代末研究出一系列所謂干法刻蝕工藝。干法刻蝕有離子銑刻蝕、等離子刻蝕和反應離子刻蝕三種主要方法。
①離子銑刻蝕：低氣壓下惰性氣體輝光放電所產生的離子加速後入射到薄膜表面，裸露的薄膜被濺射而除去。由於刻蝕是純物理作用，各向異性程度很高，可以得到解析度優於 1微米的線條。這種方法已在磁泡存儲器、表面波器件和集成光學器件等製造中得到應用。但是，這種方法的刻蝕選擇性極差，須採用專門的刻蝕終點監測技術，而且刻蝕速率也較低。
②等離子刻蝕：利用氣壓為10～1000帕的特定氣體（或混合氣體）的輝光放電，產生能與薄膜發生離子化學反應的分子或分子基團，生成的反應產物是揮發性的。它在低氣壓的真空室中被抽走，從而實現刻蝕。通過選擇和控制放電氣體的成分，可以得到較好的刻蝕選擇性和較高的刻蝕速率，但刻蝕精度不高，一般僅用於大於4～5微米線條的工藝中。
③反應離子刻蝕：這種刻蝕過程同時兼有物理和化學兩種作用。輝光放電在零點幾到幾十帕的低真空下進行。矽片處於陰極電位，放電時的電位大部分降落在陰極附近。大量帶電粒子受垂直於矽片表面的電場加速，垂直入射到矽片表面上,以較大的動量進行物理刻蝕,同時它們還與薄膜表面發生強烈的化學反應，產生化學刻蝕作用。選擇合適的氣體組分，不僅可以獲得理想的刻蝕選擇性和速度，還可以使活性基團的壽命短，這就有效地抑制了因這些基團在薄膜表面附近的擴散所能造成的側向反應，大大提高了刻蝕的各向異性特性。反應離子刻蝕是超大規模集成電路工藝中很有發展前景的一種刻蝕方法。
現代化的干法刻蝕設備包括復雜的機械、電氣和真空裝置，同時配有自動化的刻蝕終點檢測和控制裝置。因此這種工藝的設備投資是昂貴的。

㈤ 在雞蛋殼上用化學方法刻蝕圖案、洗去熱水瓶膽上的水垢、去魚腥味、烹飪調味劑的化學物質是（） A

㈥ 化學刻蝕（腐蝕）和化學氧化的區別

化學腐蝕：金屬在非電化學作用下的腐蝕（氧化）過程。通常指在非電解質溶液及乾燥氣體中，純化學作用引起的腐蝕。
化學氧化：通過化學處理使金屬表面形成氧化膜的過程。

㈦ 什麼是rie刻蝕

不可以同時設定。 一般RIE設備，都是採用一個 13.56MHz 射頻源 和 相應的匹配網路。射頻設定功率=前向（實際、有用）射頻功率+反射功率。 工藝氣體在弧光放電下形成電子（半徑、質量近似為「0」）、離子（有相對電子而言「極大」的質量和半徑）等組分。由於質量的不同，在同一射頻場（力）的作用下，電子可以輕易獲得極大速度到達電極；離子等速度較慢，且碰撞幾率大，無法在 1/13.56MHz 時間內到達電極，在周期性力的作用下形成定向運動。電離（電子、離子運動動態、等效阻抗）穩定時，形成一穩定的 直流偏壓（射頻功率同時穩定）。 可以說，前向射頻 和 偏壓 是通過 匹配網路 和 可變負載阻抗（氣體電離、刻蝕產物等組分…）聯系在一起的。 在刻蝕過程中，腔體內組分會發生變化，同時匹配也不會是理想的（對阻抗變化有一定延遲；一般為了工藝穩定性、重復性，允許有2%以內的反射），因而實際（前向）射頻功率 和 偏壓是異時序、時時變化的，且滿足一定關系（關系式根據條件不同而不唯一）。因此實際應用中，不同時設定 射頻功率和偏壓。 理論上，功率、偏壓都可以單獨設定。但實際上，經常只選擇設定 功率。 實際應用中，要綜合考慮設備的能力、工藝穩定性、工藝重復性、工藝合理性、設備故障率等各種因素。例如射頻源，為了長期可靠工作，一般功率設定為最大功率的30%，隨著功率 設定值/最大值 比例的增大，設備故障率呈指數增長。 如果單獨設定偏壓，相對來說，能量穩定、刻蝕速率穩定。但是，由於阻抗和匹配的問題， 射頻功率也在不斷 頻繁 變化，最壞情況下會出現偏壓所要求的功率等於或大於 實際最大射頻功率，極易引起 射頻源、匹配網路故障或報廢，造成停工，風險高、成本上升。 單獨設置 功率，相對來說，工藝穩定性、重復性好、風險低，對設備潛在損傷小。通過合理設置 功率，使偏壓波動滿足生產要求。 3 有人提出的「偏壓的作用主要是用於產生刻蝕的各向異性」是否正確. 這個說法 片面。 出於某種目的，在某些特殊前提下，可以選擇說正確。 偏壓 受 功率、氣體組分、流量、腔體內組分、壓力等因素的影響。 （RIE）刻蝕主要分為 物理濺射刻蝕 和 化學反應刻蝕兩種。 物理濺射刻蝕，典型例如 Ar 刻蝕 Pt， 兩者不發生化學反應。在偏壓作用下，部分Ar電離形成Ar+，部分Ar受Ar+碰撞而加速，形成高能 離子（粒子），通過轟擊時的能量交換，被轟擊表面的原子在某些方向獲得的能量大於逸出能 （或 鍵能、結合能……），從而脫離表面，形成刻蝕。偏壓越高，離子（粒子）在偏壓指定方向獲得的能量就越大，刻蝕速率就越大，方向性就越好（即各向異性）。 化學反應刻蝕，典型例如SF6 刻蝕 Si ，在偏壓 作用下，SF6電離成 SF5*、SF4*、SF3*、SF2*、SF*、F-、F等組分，偏壓越強，電離越充分，F濃度就越高。由於F的極強的電負性、小原子序數、SFn*的不穩定性、高F/S比以及SiF4的低沸點，Si與F的反應會自發進行，不易受控制，因而表現出與偏壓基本無關的各向同性刻蝕。

㈧ 什麼是薄膜刻蝕技術

薄膜刻蝕技術是一種使用物理或化學的方法使薄膜材料消蝕的技術。它是薄膜淀積的反過程。在薄膜材料的實際應用中，只把薄膜當作保護或裝飾材料使用時，將物件表面鍍一層均勻薄膜即可。但是用於製作器件的薄膜材料，一般都要求印刷電路板上的銅膜是具有一定形狀和走向的線條，因此對各種薄膜材料的形狀和大小的要求就更為復雜和嚴格。形成具有一定形狀和大小的圖形薄膜的方法是在鍍膜過程中使用掩模板，使基體表面裸露部分生長有薄膜材料，而被掩蓋部分則不存在薄膜。

20世紀60年代以後，集成電路促進了薄膜技術的發展。在腐蝕工藝中，採用液體化學腐蝕劑的方法稱為濕刻法。其中，採用感光法進行薄膜圖形刻蝕的技術稱為光刻，抗蝕膜的製作就採用光刻法。20世紀70年代以後，大規模和超大規模集成電路的發展又要求獲得更精細的、直至亞微米級的圖形薄膜。濕刻法已不能適應需要，於是出現定向腐蝕法，它是通過等離子體刻蝕或反應離子刻蝕得到的。因為這兩種技術不使用液體化學品，所以稱為干刻。

㈨ 化學濕法刻蝕中各向異性刻蝕的原理及其特點

毛毛 我服了你了