A. vasp 如何計算肖特基缺陷
有時候需要研究在晶體中有個帶電荷的缺陷，比如氧離子是帶-2價的。具體點如MgO中的氧離子跑到間隙里的情況。俠文介紹如何用VASP模擬這種帶電體系。
比如你要計算MgO中負2價的氧離子這個間隙雜質，此時體系的原子是超原胞含64個，再加一個間隙氧原子。那麼中性時體系的總電子數為N， 那麼含-2價氧離子的體系的總電子數為N+2，設置NELECT= N+2。現在不管所謂的Dipole correction，你直接算用一個 gamma點，設置下面的參數:
LORBIT=1（對USPP）或11（對PAW)
對USPP，再加上設置RWIGS。
然後計算一下態密度，計算完後，你分析一下PROCAR文件，看gamma點，每個能級的分布，以及每個能級所對應的態(s, py, pz, px….)等，基本上可以看到你所加上的兩個電子是局域在間隙的氧原子上的。
總的說起來，在計算帶電雜質（或缺陷）的計算，通過NELECT=中性電子數+(-)雜質的電荷數。如果體系夠大以及所帶的電荷在+(-)2以內，不用考慮 Dipole Correction，因為此時Dipole Correction修正對體系的總能影響很小，對整個能級的影響很少。如果是體系較小（原 胞小）、雜質所帶的電荷絕對值較大，需要考慮Dipole Correction。
B. 求教vasp 離子馳豫
設置IBRION=2 ISIF=3 NSW=400
C. 求助一個VASP計算稀土化合物的問題
這里不會有幾個人知道VASP的, 建議去專業論壇 小木蟲去問.
D. vasp怎麼計算homo和lumo 得到的parchg文件如何處理
這兩個名詞屬於前線軌道和前線電子的概念，是由福井謙一提出的，並獲1981Nobel獎。已佔有電子的能級最高的軌道稱為最高已佔軌道，用HOMO表示。未佔有電子的能級最低的軌道稱為最低未占軌道，用LUMO表示。HOMO、LUMO統稱為前線軌道，處在前線軌道上的電子稱為前線電子。HOMO：Highest Occupied Molecular OrbitalLUMO：Lower Unoccupied Molecular Orbital前線軌道理論認為：分子中有類似於單個原子的「價電子」的電子存在，分子的價電子就是前線電子，因此在分子之間的化學反應過程中，最先作用的分子軌道是前線軌道，起關鍵作用的電子是前線電子。這是因為分子的HOMO對其電子的束縛較為鬆弛，具有電子給予體的性質，而LUMO則對電子的親和力較強，具有電子接受體的性質，這兩種軌道最易互相作用，在化學反應過程中起著極其重要作用。其實這個原理在中學化學課上就講過了，學過的朋友好好回憶一下，只不過這里用更加科學的術語重新描述。
E. 一般化學反應的焓變可以用vasp來計算嗎
1.用ms先建一個表面，
2.對表面進行DFT優化，
3.對優化後的結構進行重現切面，要求結構不變，真空層厚度增加，
4.進行靜態計算注意INCAR中LVTOT=.T，
5.對輸出文件LOCPOT文件進行處理就可以了。
VASP是維也納大學Hafner小組開發的進行電子結構計算和量子力學-分子動力學模擬軟體包。它是目前材料模擬和計算物質科學研究中最流行的商用軟體之一。
F. VASP計算，考慮范德華力時.需要怎麼加Pb的力場參數
范德華力包括色散力,誘導力,取向力三種，分子間作用力不屬於化學鍵，主要包括氫鍵，范德華力等。我們又規定氫鍵不屬於范德華力，氫鍵作用力要強於范德華力而弱於離子鍵作用力。
G. VASP中Zn的化學勢是多少
ms是一個很大的模塊。
它包括各種軟體。
其中有一個是castep， 它跟vasp很像。
vasp是第一性原理基於平面波贗勢的軟體。
H. 請教vasp如何使本徵值按每條能帶輸出
看EIGENVAL這個輸出文件。它裡面給出的就是自己所選定的各個K點的一些列能帶的本徵值。正如你所說的，EIGENVAL裡面是給定一個K點，然後就是各個能帶的本徵值。那麼你要畫出第n條，比如第5條能帶，你就將每個K點的第5條能帶值取出來。要確定哪些能帶時pi帶，我猜想要做原子的態密度分析，確定哪些原子軌道會形成pi鍵。
「在計算能帶時是否可以按不同能帶輸出本徵值？」。當然能，你已知道EIGENVAL保存數據規則，這只需要對EIGENVAL文件寫個程序處理一下。
I. 如何用vasp求固體和原子化學勢
20℃100g水溶解氯化鈉36g故A、B確．澄清溶液飽溶液濾飽溶液剩餘固體與關所加入水固體繼續溶解變飽溶液加水變飽溶液D確．該溶液溶質質量數= 36g...
感覺這樣的提問沒有意義
建議自己下去查查資料
J. 學習vasp需要什麼知識
最近也在研究VASP ，首先得懂點量子力學方面的，像密度泛函理論，第一性原理等等。。固體物理，會linux的簡單操作，等等