Ⅱ 磷化鎵的介紹
人工合成的化合物半導體材料。外觀：橙紅色透明晶體。磷化鎵是一種由n從族元素鎵(Ga)與vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半導體材料。
Ⅲ 【化學--物質結構與性質】半導體材料種類繁多，大規模集成電路的製造都是以硅單晶材料為主的，但IIIA-VA
（1）根據分子之間的作用力對物質性質的影響可知，氨分子之間有氫鍵，分子間作用力大，所以NH3的沸點比PH3的高，AsH3的相對分子質量大於PH3，所以AsH3的分子間作用力也大於PH3，所以沸點也高於PH3，
故答案為：NH3分子之間有氫鍵，分子間作用力大，AsH3的相對分子質量大於PH3，所以AsH3的分子間范德華力也大於PH3；
（2）PO43-中心原子為P，其中σ鍵電子對數為4，中心原子孤電子對數為
（5+3-4×2）=0，PO
43-價層電子對對數為4+0=4，故立體構型為正四面體；原子總數相同，價電子總數相同的分子稱為等電子體．PO
43-中含有5個原子，32個價電子，所以與其互為等電子體的一種分子為四氯化碳，
故答案為：正四面體形；CCl
4；
（3）根據圖可以看出，每個As與4個Ga以單鍵相連，每個Ga也與4個As以單鍵相連，而As最外層有5個電、Ga最外層有3個電子，只能形成三對共用電子對，它們之間有四個共價鍵，所以有一個配位鍵，As與Ga之間存在的單鍵是極性共價鍵，是σ鍵，
故答案為BEG；
（4）根據圖2的分子結構可知，分子內含有6個氧原子，4個砷原子，化學式為As
4O
6，每個As原子形成3個共價鍵，又因為中心原子還有1對孤對電子，所以採用的是sp
3雜化，
故答案為：As
4O
6；sp
3；
（5）銻（Sb）是51號元素，位於第五周期第ⅤA族，價電子數為5，所以價電子排布式為5s
25p
3，
故答案為：5s
25p
3．
Ⅳ Gap/gaAs 二種元素 磷化鎵/砷化鎵
磷化鎵
磷化鎵
GaP
人工合成的化合物半導體材料。橙紅色透明晶體。磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型，晶格常數5.447±0.06埃（），化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20％，300K時能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體相同，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為半絕緣材料。磷化鎵分為單晶材料和外延材料。工業生產的襯底單晶均為摻入硫、硅雜質的N型半導體。磷化鎵單晶早期通過液相法在常壓下制備；後採用液體覆蓋直拉法。現代半導體工業生產磷化鎵單晶都是在高壓合成爐中，採用定向凝固工藝合成磷化鎵多晶，進行適當處理後裝入高壓單晶爐進行單晶拉制。磷化鎵外延材料是在磷化鎵單晶襯底上通過液相外延或汽相外延加擴散生長的方法製得。多用於製造發光二極體。液相外延材料可製造紅色、黃綠色、純綠色光的發光二極體，汽相外延加擴散生長的材料，可製造黃色、黃綠色光的發光二極體。
砷化鎵集成電路
用半導體砷化鎵（GaAs）器件構成的集成電路。構成GaAs集成電路的器件主要有肖特基勢壘柵場效應管、高電子遷移率晶體管和異質結雙極晶體管。20世紀70年代初，由於高質量的GaAs外延材料和精細光刻工藝的突破，使GaAs集成電路的製作得到突破性進展。同硅材料相比，GaAs材料具備載流子遷移率高、襯底半絕緣以及禁帶較寬等特徵，因此用它製成的集成電路具有頻率高、速度快、抗輻射能力強等優點。它的缺點是材料缺陷較多，集成規模受到限制，成本較高。GaAs集成電路可分為模擬集成電路如單片微波集成電路和數字集成電路兩類。前者主要用於雷達、衛星電視廣播、微波及毫米波通信等領域，後者主要用於超高速計算機及光纖通信等系統。
Ⅳ 磷化鎵的化學式
磷化鎵的化學式：
GaP。
磷化鎵（分子式GaP）是一種化合物，主要用於半導體材料。
外觀：橙紅色透明晶體。
磷化鎵是一種由ⅢA族元素鎵(Ga)與VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半導體材料。
Ⅵ 請問磷化鎵晶體的族群 晶格參數abc和原子坐標是多少
空間群 F -4 3 m
a=5.4505
Ga 0,0,0 P 1/4,1/4,1/4
立方ZnS型
Ⅶ 磷化鎵的物化性質
磷化鎵的晶體結構為閃鋅礦型，晶格常數5.447±0.06埃（），化學鍵是以共價鍵為主的混合鍵，其離子鍵成分約為20%，300K時能隙為2.26eV，屬間接躍遷型半導體。磷化鎵與其他大帶隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體(如GaAS、 InP)相同，可通過引入深中心使費米能級接近帶隙中部，如摻入鉻、鐵、氧等雜質元素可成為半絕緣材料。目前尚未得到非摻雜半絕緣材料。
Ⅷ 磷化鎵、碳化硅、砷化鎵是等電子體嗎
以前做過砷化鎵單晶生長（VGF法，又叫豎直布里奇曼法，豎直的，很奇怪哦），不過是操作工罷了，沒那麼深研究結果。剛搜了些你看有用不？
等電子體,指價電子數和原子數（氫等輕原子不計在內）相同的分子、離子或基團。有些等電子體化學鍵和構型類似。可用以推測某些物質的構型和預示新化合物的合成和結構。例如，N2、CO和NO+互為等電子體。它們都有一個σ鍵和兩個π鍵，且都有空的反鍵π*軌道。根據金屬羰基配位化合物的大量存在，預示雙氮配位化合物也應存在，後來果真實現，且雙氮、羰基、亞硝醯配位化合物的化學鍵和結構有許多類似之處。又如BH-和CH基團互為等電子體，繼硼烷之後合成了大量的碳硼烷，且CH取代BH-後結構不變.
