核磁圖怎麼標定化學位移

A. 為什麼核磁共振譜的化學位移以四甲基硅烷作為基準

由於硅的電負性較低，對四個甲基上的氫原子影響較小，所以在核磁共振譜中能給出較強的信號和一個銳利的吸收峰，而其他一般有機化合物中的質子吸收峰都出現在它的左面。因此，在核磁共振譜中通常把TMS作為化學位移的內標，並把它的化學位移定為零
四甲基硅烷在核磁共振波譜的1H、13C和29Si譜中起到標定化學位移零點的作用。因為四甲基硅烷的12個氫是相同的，4個碳也是均等的，這樣四甲基硅烷在H譜中和完全去耦的C譜中均呈現一個單峰，而目前幾乎所有可用H譜和C譜研究的化合物的化學位移都在四甲基硅烷峰的低場處（即化學位移更大處），不會產生互相干擾。

B. 核磁共振氫譜中各個基團的化學位移怎麼判斷

氫譜在核磁共振內有一個峰值，其出現化學位移是因為連接的官能團的影響，極性官能團與非極性官能團對氫譜的影響是一向左移,一向右移。

在有機化學書上，常見的吸電子基團（吸電子誘導效應用-I表示）NO2 > CN > F > Cl > Br > I > C三C > OCH3 > OH > C6H5 > C=C > H羥基的吸電子效應比苯環稍大。

化學位移值是對某個原子的周圍的化學環境的專一性的表示，化學環境不同，化學位移值就不同，通過數值，可以知道其周圍的原子或者基團有哪些，推測其結構。

核磁共振氫譜中，甲基的和乙基的基本化學位移值分別為多少，咖啡因屬於甲基黃嘌呤的生物鹼.它的化學式是C8H10N4O2.分子量,194.19.它的化學名是1,3,7-三甲基黃嘌呤或3,7-二氫-1,3,7-三甲基-1H-嘌呤。

(2)核磁圖怎麼標定化學位移擴展閱讀：

化學位移符號δ雖稱不上精準但廣泛存在，因此常常作為譜學分析中的重要參考數據。范圍一般在 ±0.2ppm，有時更大。確切的化學位移值取決於分子的結構、溶劑、溫度及該NMR分析所用的磁場強度及其他相鄰的官能團。氫原子核對鍵結氫原子的混成軌域和電子效應敏感。核子經常因吸引電子的官能基解除屏蔽。未屏蔽的核子會反應較高的δ值，而有屏蔽的核子δ值較低。

官能基如羥基（-OH）、醯氧基（-OCOR）、烷氧基（ -OR ）、硝基（-NO2）和鹵素等均為吸引電子的取代基。 這些取代基會使Cα上相連的氫峰向低場移動大約2-4 ppm， Cβ上相連的氫峰向低場移動大約1-2 ppm。 Cα是與取代基直接相連的碳原子， Cβ是與Cα相連的碳原子.羰基,碳碳雙鍵和芳香環等含「sp2」 雜化碳原子的基團會使其Cα上相連的氫原子峰向低場移動約1-2 ppm 。

C. 如何用mestrenova核磁軟體打開氫譜

1.
想要使用mestrenova對氫譜、碳譜進行預測，首先得確認一下您目前使用的軟體是否有此功能，您可以使用mestrenova畫一個結構式，或者從其他化學畫圖軟體（如chemdraw等）裡面直接復制一個化學結構式，粘貼進mestrenova軟體，然後操作軟體的predict菜單裡面的預測選項，
2.
使用mestrenova軟體對譜圖的譜峰進行歸屬，也需要軟體對應的歸屬功能（assignment)，首先需要用mestrenova軟體打開需要歸屬的譜圖與對應的化合物結構
3.
將實驗譜圖與模擬譜圖疊加在一起。以氫譜為例，如下圖，首先用mestrenova軟體打開一維氫譜以及其對應的結構式。
4.
然後使用鍵盤ctrl或者shift鍵結合滑鼠點擊，選中下圖左側的兩張譜圖（分別是實驗譜圖與預測譜圖），然後點擊如下圖標記的疊加按鈕：實驗譜圖與預測譜圖已經疊加在一起，但是因為預測的譜圖與實驗譜圖的信號高度和譜圖寬度不一致，所以不好直接對比兩張譜圖。
5.
可以使用軟體的放大按鈕，選擇需要查看的區域進行放大，然後滾動滑鼠的滾輪，將一張譜圖的信號高度調整合適。然後滑鼠選中另一張譜圖，如下圖：下面實測譜圖高度合適之後，選中了上面的預測譜圖（譜圖被淺藍色框住）：

D. 有機化學核磁共振的化學位移怎麼看的

以TMS的峰為基準，從右往左看，測量峰與TMS峰的間距就是該峰的化學位移

E. 核磁軟體怎麼標注

在拿到核磁數據後，我們需要將數據進行處理,得到最終的譜圖，有些時候,對於-些譜圖需 要標注信息，例如ACS雜志社要求化合物的氫譜上需
要標注化合物的結構。而對於-些復雜的堆積譜圖，需要標注質子對應的編號、化學位移的變化等信息。標注的方式有兩種，-種是直接在軟體中
標注，-種是導出圖片後在PPT中進行標注。通常而言，為了能直觀地觀察到譜圖中不同質子對應的信號以及它們的變化，最好是在核磁軟體中進
行標注。對於化合物的單個譜圖而言，需要在譜圖中展示兩個信息，首先是氘代試劑殘余的信號峰，以MesReNova軟體為例， 在Annotate選項中
選擇text,然後輸入氘代試劑的殘余峰信息，然後繼續在Annotate中選擇arrow, 指向對應的信號峰,可以選中arrow點擊滑鼠右鍵選擇properties
來改變箭頭的形式。下一步就是將化合物的結構式粘貼到譜圖中，需要注意的是如果直接從chemdraw中將結構式粘過來,結構式會變形，為了避
免這個情況，需要將結構式存成圖片再粘貼進去，或者將結構式復制到office文檔中，再粘貼到譜圖中,然後將譜圖所有內容選中存成圖片格式到處
就可以了。對於復雜的堆積譜圖而言，需要在譜圖中標注質子對應的編號、化學位移的變化等信息。按照上-段中的情況直接插入文本輸進質子信
息,插入箭頭，指向化學位移的移動方向。

F. 核磁共振波譜法測量氫 如何校正譜圖化學位移

一般將TMS的化學位移定為 0， 其它氫的位移就定了。 所以文獻中都要標明所用氘代溶劑， 和以TMS 為內標。

G. 核磁處理軟體中標定化學位移在哪

氫譜在核磁共振內有一個峰值,其出現化學位移是因為連接的官能團的影響,極性官能團與非極性官能團對氫譜的影響是一向左移,一向右移.自己根據這個再找幾個核磁共振譜對照一下就非常明白了.

H. 核磁共振的化學位移

氫的核磁共振譜提供了三類極其有用的信息：化學位移、偶合常數、積分曲線。應用這些信 息，可以推測質子在碳胳上的位置。
根據前面討論的基本原理，在某一照射頻率下，只能在某一磁感應強度下發生核磁共振。例如：照射頻率為60 MHz，磁感應強度是 14.092 Gs(14.092×10^-4 T），100 MHz—23.486 Gs(23.486×10^-4 T），200 MHz—46.973 Gs(46.973×10^-4 T）。600 MHz—140.920 Gs(140.920×10^-4 T）。但實驗證明：當1H在分子中所處化學環境（化學環境是指1H的核外電子以及與1H 鄰近的其它原子核的核外電子的運動情況）不同時，即使在相同照射頻率下，也將在不同的共振磁場下顯示吸收峰。下圖是乙酸乙酯的核磁共振圖譜，圖譜表明：乙酸乙酯中的8個氫，由 於分別處在a，b，c三種不同的化學環境中，因此在三個不同的共振磁場下顯示吸收峰。同種核由於在分子中的化學環境不同而在不同共振磁感應強度下顯示吸收峰，這稱為化學位移（chemical shift）。 化學位移是怎樣產生的？分子中磁性核不是完全裸露的，質子被價電子包圍著。這些電子 在外界磁場的作用下發生循環的流動，會產生一個感應的磁場，感應磁場應與外界磁場相反（楞次定律），所以，質子實際上感受到的有效磁感應強度應是外磁場感應強度減去感應磁場強度。即
B有效=B0(1-σ）=B0-B0σ=B0-B感應
外電子對核產生的這作用稱為屏蔽效應（shielding effect），也叫抗磁屏蔽效應（diamagnetic effect）。稱為屏蔽常數（shielding constant）。與屏蔽較少的質子比較，屏蔽多的質子對外磁場感受較少，將在較高的外磁場B0作用下才能發生共振吸收。由於磁力線是閉合的，因此感應磁 場在某些區域與外磁場的方向一致，處於這些區域的質子實際上感受到的有效磁場應是外磁場B0加上感應磁場B感應。這種作用稱為去屏蔽效應（deshielding effect）。也稱為順磁去屏蔽效應（paramagnetic effect）。受去屏蔽效應影響的質子在較低外磁場B0作用下就能發生共振吸收。綜上所述：質子發生核磁共振實際上應滿足：
ν射=γB有效/2π
因在相同頻率電磁輻射波的照射下，不同化學環境的質子受的屏蔽效應各不相同，因此它們發生 核磁共振所需的外磁場B0也各不相同，即發生了化學位移。
對1H化學位移產生主要影響的是局部屏蔽效應和遠程屏蔽效應。核外成鍵電子的電子雲 密度對該核產生的屏蔽作用稱為局部屏蔽效應。分子中其它原子和基團的核外電子對所研究的 原子核產生的屏蔽作用稱為遠程屏蔽效應。遠程屏蔽效應是各向異性的。 化學位移的差別約為百萬分之十，要精確測定其數值十分困難。現採用相對數值表示法，即選用一個標准物質，以該標准物的共振吸收峰所處位置為零點，其它吸收峰的化學位移值根據這 些吸收峰的位置與零點的距離來確定。最常用的標准物質是四甲基硅（CH3)4Si簡稱TMS。選TMS為標准物是因為：TMS中的四個甲基對稱分布，因此所有氫都處在相 同的化學環境中，它們只有一個銳利的吸收峰。另外，TMS的屏蔽效應很高，共振吸收在高場出現，而且吸收峰的位置處在一般有機物中的質子不發生吸收的區域內。現規定化學位移用δ來 表示，四甲基硅吸收峰的δ值為零，其峰右邊的δ值為負，左邊的δ值為正。測定時，可把標准物與樣品放在一起配成溶液，這稱為內標准法。也可將標准物用毛細管封閉後放人樣品溶液中進 行測定，這稱為外標准法。此外，還可以利用溶劑峰來確定待測樣品各個峰的化學位移。
由於感應磁場與外磁場的B0成正比，所以屏蔽作用引起的化學位移也與外加磁場B0成正 比。在實際測定工作中，為了避免因採用不同磁感應強度的核磁共振儀而引起化學位移的變化，δ一般都應用相對值來表示，其定義為
δ=(ν樣-ν標)/ν儀×10^6④
在式④中，ν樣和ν標分別代表樣品和標准化合物的共振頻率，ν儀為操作儀器選用的頻率。多數有機物的質子信號發生在0～10處，零是高場，10是低場。 需注意也有一些質子的信號是在小於0的地方出現的。如安扭烯的環內的質子，受到其外芳環磁各向異性的影響，甚至可以達到-2.99。此外，在不同兆數的儀器中，化學位移的值是相同的。 化學位移取決於核外電子雲密度，因此影響電子雲密度的各種因素都對化學位移有影響，影 響最大的是電負性和各向異性效應。
⑴電負性（誘導效應）
電負性對化學位移的影響可概述為：電負性大的原子（或基團）吸電子能力強，1H核附近的吸電子基團使質子峰向低場移（左移），給電子基閉使質子峰向高場移（右移）。這是因為吸電子基團降低了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之降低，所以質子的化學位 移向低場移動。給電子基團增加了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之增加，所以質子的 化學位移向高場移動。下面是一些實例。
實例一： 電負性 C2.6 N3.0 O3.5 δ C—CH3(0.77～1.88) N—CH3(2.12～3.10) O—CH3(3.24～4.02) 實例二： 電負性 Cl3.1 Br2.9 I2.6 δ CH3—Cl(3.05)
CH2—Cl2(5.30)
CH—Cl3(7.27) CH3—Br(2.68) CH3—I(2.16) 電負性對化學位移的影響是通過化學鍵起作用的，它產生的屏蔽效應屬於局部屏蔽效應。
⑵各向異性效應
當分子中某些基團的電子雲排布不呈球形對稱時，它對鄰近的1H核產 生一個各向異性的磁場，從而使某些空間位置上的核受屏蔽，而另一些空間位置上的核去屏蔽， 這一現象稱為各向異性效應（anisotropic effect）。
除電負性和各向異性的影響外，氫鍵、溶劑效應、van der Waals效應也對化學位移有影響。氫鍵對羥基質子化學位移的影響與氫鍵的強弱及氫鍵的電子給予體的性質有關，在大多數情況 下，氫鍵產生去屏蔽效應，使1H的δ值移向低場。有時同一種樣品使用不同的溶劑也會使化學位移值發生變化，這稱為溶劑效應。活潑氫的溶劑效應比較明顯。
當取代基與共振核之間的距離小於van der Waals半徑時，取代基周圍的電子雲與共振核周圍的電子雲就互相排 斥，結果使共振核周圍的電子雲密度降低，使質子受到的屏蔽效應明顯下降，質子峰向低場移動，這稱為van der Waals效應。氫鍵的影響、溶劑效應、van der Waals效應在剖析NMR圖譜時很有用。
（3）共軛效應
苯環上的氫若被推電子基取代，由於P-π共軛，使苯環電子雲密度增大，質子峰向高場位移。而當有拉電子取代基則反之。對於雙鍵等體系也有類似的效果。

I. 怎樣看核磁共振中氫譜中的化學位移

氫譜在核磁共振內有一個峰值,其出現化學位移是因為連接的官能團的影響,極性官能團與非極性官能團對氫譜的影響是一向左移,一向右移.自己根據這個再找幾個核磁共振譜對照一下就非常明白了.

J. 怎樣從核磁共振圖譜上確定化學位移

畫核磁的軟體都有這個功能啊，不明白你的共振圖譜是怎麼畫出來的。