怎麼修改核磁數據的化學位移

㈠ 關於核磁共振中化學位移的問題

是的,化學位移值反映了分子結構的狀態.質子受屏蔽後,吸收峰由低場區向高場區移動,具有較低的化學位移值;質子去屏蔽後,吸收峰由高場區向低場區移動,具有較高的化學位移值.

㈡ 核磁共振波譜法測量氫 如何校正譜圖化學位移

一般將TMS的化學位移定為 0， 其它氫的位移就定了。 所以文獻中都要標明所用氘代溶劑， 和以TMS 為內標。

㈢ 核磁共振的化學位移

氫的核磁共振譜提供了三類極其有用的信息：化學位移、偶合常數、積分曲線。應用這些信 息，可以推測質子在碳胳上的位置。
根據前面討論的基本原理，在某一照射頻率下，只能在某一磁感應強度下發生核磁共振。例如：照射頻率為60 MHz，磁感應強度是 14.092 Gs(14.092×10^-4 T），100 MHz—23.486 Gs(23.486×10^-4 T），200 MHz—46.973 Gs(46.973×10^-4 T）。600 MHz—140.920 Gs(140.920×10^-4 T）。但實驗證明：當1H在分子中所處化學環境（化學環境是指1H的核外電子以及與1H 鄰近的其它原子核的核外電子的運動情況）不同時，即使在相同照射頻率下，也將在不同的共振磁場下顯示吸收峰。下圖是乙酸乙酯的核磁共振圖譜，圖譜表明：乙酸乙酯中的8個氫，由 於分別處在a，b，c三種不同的化學環境中，因此在三個不同的共振磁場下顯示吸收峰。同種核由於在分子中的化學環境不同而在不同共振磁感應強度下顯示吸收峰，這稱為化學位移（chemical shift）。 化學位移是怎樣產生的？分子中磁性核不是完全裸露的，質子被價電子包圍著。這些電子 在外界磁場的作用下發生循環的流動，會產生一個感應的磁場，感應磁場應與外界磁場相反（楞次定律），所以，質子實際上感受到的有效磁感應強度應是外磁場感應強度減去感應磁場強度。即
B有效=B0(1-σ）=B0-B0σ=B0-B感應
外電子對核產生的這作用稱為屏蔽效應（shielding effect），也叫抗磁屏蔽效應（diamagnetic effect）。稱為屏蔽常數（shielding constant）。與屏蔽較少的質子比較，屏蔽多的質子對外磁場感受較少，將在較高的外磁場B0作用下才能發生共振吸收。由於磁力線是閉合的，因此感應磁 場在某些區域與外磁場的方向一致，處於這些區域的質子實際上感受到的有效磁場應是外磁場B0加上感應磁場B感應。這種作用稱為去屏蔽效應（deshielding effect）。也稱為順磁去屏蔽效應（paramagnetic effect）。受去屏蔽效應影響的質子在較低外磁場B0作用下就能發生共振吸收。綜上所述：質子發生核磁共振實際上應滿足：
ν射=γB有效/2π
因在相同頻率電磁輻射波的照射下，不同化學環境的質子受的屏蔽效應各不相同，因此它們發生 核磁共振所需的外磁場B0也各不相同，即發生了化學位移。
對1H化學位移產生主要影響的是局部屏蔽效應和遠程屏蔽效應。核外成鍵電子的電子雲 密度對該核產生的屏蔽作用稱為局部屏蔽效應。分子中其它原子和基團的核外電子對所研究的 原子核產生的屏蔽作用稱為遠程屏蔽效應。遠程屏蔽效應是各向異性的。 化學位移的差別約為百萬分之十，要精確測定其數值十分困難。現採用相對數值表示法，即選用一個標准物質，以該標准物的共振吸收峰所處位置為零點，其它吸收峰的化學位移值根據這 些吸收峰的位置與零點的距離來確定。最常用的標准物質是四甲基硅（CH3)4Si簡稱TMS。選TMS為標准物是因為：TMS中的四個甲基對稱分布，因此所有氫都處在相 同的化學環境中，它們只有一個銳利的吸收峰。另外，TMS的屏蔽效應很高，共振吸收在高場出現，而且吸收峰的位置處在一般有機物中的質子不發生吸收的區域內。現規定化學位移用δ來 表示，四甲基硅吸收峰的δ值為零，其峰右邊的δ值為負，左邊的δ值為正。測定時，可把標准物與樣品放在一起配成溶液，這稱為內標准法。也可將標准物用毛細管封閉後放人樣品溶液中進 行測定，這稱為外標准法。此外，還可以利用溶劑峰來確定待測樣品各個峰的化學位移。
由於感應磁場與外磁場的B0成正比，所以屏蔽作用引起的化學位移也與外加磁場B0成正 比。在實際測定工作中，為了避免因採用不同磁感應強度的核磁共振儀而引起化學位移的變化，δ一般都應用相對值來表示，其定義為
δ=(ν樣-ν標)/ν儀×10^6④
在式④中，ν樣和ν標分別代表樣品和標准化合物的共振頻率，ν儀為操作儀器選用的頻率。多數有機物的質子信號發生在0～10處，零是高場，10是低場。 需注意也有一些質子的信號是在小於0的地方出現的。如安扭烯的環內的質子，受到其外芳環磁各向異性的影響，甚至可以達到-2.99。此外，在不同兆數的儀器中，化學位移的值是相同的。 化學位移取決於核外電子雲密度，因此影響電子雲密度的各種因素都對化學位移有影響，影 響最大的是電負性和各向異性效應。
⑴電負性（誘導效應）
電負性對化學位移的影響可概述為：電負性大的原子（或基團）吸電子能力強，1H核附近的吸電子基團使質子峰向低場移（左移），給電子基閉使質子峰向高場移（右移）。這是因為吸電子基團降低了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之降低，所以質子的化學位 移向低場移動。給電子基團增加了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之增加，所以質子的 化學位移向高場移動。下面是一些實例。
實例一： 電負性 C2.6 N3.0 O3.5 δ C—CH3(0.77～1.88) N—CH3(2.12～3.10) O—CH3(3.24～4.02) 實例二： 電負性 Cl3.1 Br2.9 I2.6 δ CH3—Cl(3.05)
CH2—Cl2(5.30)
CH—Cl3(7.27) CH3—Br(2.68) CH3—I(2.16) 電負性對化學位移的影響是通過化學鍵起作用的，它產生的屏蔽效應屬於局部屏蔽效應。
⑵各向異性效應
當分子中某些基團的電子雲排布不呈球形對稱時，它對鄰近的1H核產 生一個各向異性的磁場，從而使某些空間位置上的核受屏蔽，而另一些空間位置上的核去屏蔽， 這一現象稱為各向異性效應（anisotropic effect）。
除電負性和各向異性的影響外，氫鍵、溶劑效應、van der Waals效應也對化學位移有影響。氫鍵對羥基質子化學位移的影響與氫鍵的強弱及氫鍵的電子給予體的性質有關，在大多數情況 下，氫鍵產生去屏蔽效應，使1H的δ值移向低場。有時同一種樣品使用不同的溶劑也會使化學位移值發生變化，這稱為溶劑效應。活潑氫的溶劑效應比較明顯。
當取代基與共振核之間的距離小於van der Waals半徑時，取代基周圍的電子雲與共振核周圍的電子雲就互相排 斥，結果使共振核周圍的電子雲密度降低，使質子受到的屏蔽效應明顯下降，質子峰向低場移動，這稱為van der Waals效應。氫鍵的影響、溶劑效應、van der Waals效應在剖析NMR圖譜時很有用。
（3）共軛效應
苯環上的氫若被推電子基取代，由於P-π共軛，使苯環電子雲密度增大，質子峰向高場位移。而當有拉電子取代基則反之。對於雙鍵等體系也有類似的效果。

㈣ 核磁橫坐標怎麼改

改核磁橫坐標。
1、打開軟體，找到工具欄。
2、點擊工具欄中圖像為手持放大鏡的圖表，在彈出的對話框內修改相應數據，就可以更改橫坐標范圍。

㈤ 核磁處理軟體中標定化學位移在哪

氫譜在核磁共振內有一個峰值,其出現化學位移是因為連接的官能團的影響,極性官能團與非極性官能團對氫譜的影響是一向左移,一向右移.自己根據這個再找幾個核磁共振譜對照一下就非常明白了.

㈥ 固體核磁數據怎麼處理

是固體核磁，不需要溶解。
一般而言，固體樣品要求的是粉末狀，粉末越細越好，這樣有利於把樣品裝填緊密。對於特殊樣品，可以考慮把他們弄成粉狀，盡可能的細些，這樣在很仔細的操作下也能夠實現高速旋轉完成測試。比如對於塑料膜狀和絲狀樣品，也可以剪成細粉狀（至少像鋸末那樣的狀態）。然後再想寫其他辦法，比如可以通過參雜一些對於測試沒有影響的其它材料的細粉，可以把樣品裝填緊密。
還有樣品不能具有電磁性。
另外還有需要注意的是，順磁性雜志的影響。順磁性雜志會導致弛豫加快，雜志比較多時，會使得在采樣還沒開始就已經弛豫完了，使得採集不到信號。此外，順磁性雜志還會導致化學位移各項異性增大，邊帶會加強。但是少量雜質還會有些幫助，弛豫時間的加快會使得測試速度加快，可以縮短采樣間隔時間，這算是有利的一面。

㈦ 核磁軟體怎麼把化學位移范圍調寬

點這個放大的圖標，然後在圖譜上從左到右拖動到想要的范圍就可以了

㈧ 核磁譜圖如何移動

方法：
1、首先選擇已經測試好的核磁數據文件，選擇一般為fid，打開方式中選擇MestReNova，即可將核磁測。
2、打開附件一（常用氘代試劑和雜質峰在1H譜中的化學位移），可以看到（CD3）2SO（氘代DMSO）的溶劑峰化學位移為2.49，此外還有一個水峰的化學位移在3.33位置。
3、此時進行溶劑峰化學位移糾正，MestReNova軟體點擊分析-參考-參考（R），進行溶劑峰化學位移糾正。
4、一般在標准溶劑峰化學位移位置（2.49）附近尋找最高的峰5滑鼠左鍵單擊發現初始的化學位移在2.472處，明顯與（CD3）2SO的標准化學位移不符合，所以在新的化學位移處改寫為2.49後，點擊OK即可完成溶劑峰化學位移糾正。解析圖譜先觀察圖譜是否符合要求。

㈨ 如何在核磁軟體中修改小數位數

首先選擇已經測試好的核磁數據文件，選擇一般為fid，打開方式中選擇MestReNova，即可將核磁測試數據改變小數點。
一般打核磁的樣品質量有一定要求，以600MHz核磁共振波譜儀為例，有機化合物使用15~20mg左右質量的樣品溶解在氘代試劑即可（樣品質量因儀器不同可進行調整），本文舉例為使用氘代試劑DMSO作為溶劑進行核磁測試。
滑鼠左鍵單擊分析，積分，自動檢測區域。註：這是一種快捷方式，能夠直接得出我們需要的大部分信息，可以緊急使用。

㈩ 如何從一個化合物的核磁共振氫譜讀取氫信號的化學位移

讀取核磁共振氫譜氫信號的化學位移，一是為了解析分子結構，一是為了發表文章報道使用。
為解析結構，只需要精確到小數點後2位即可，後面的四捨五入。
發表論文時，也基本上讀到小數點後2位即可。
只在解析高級譜圖時，才需要讀到小數點後4位，以便於計算使用。

對NMR譜圖的峰信號，不論信號峰的形狀是否規則、是否對稱，信號峰的化學位移值總是位於整個信號峰把基線進行添加後構成封閉圖形後的質量重心位置的橫坐標上。

為此，先對信號峰進行譜峰分組，再求解包括化學位移在內的所有譜圖信息參數。
對譜的每一組峰群進行分組，求解出每一個峰組的譜圖信息參數：峰形（寬窄），分裂峰數（單峰s,二重峰d, 三重峰t, 四重峰q，五重峰，六重峰，多重峰M）。峰形與圖譜公共基線所圍峰面積積分比，化學位移δ值，自旋-自旋耦合常數J值（在非NMR專業論文中，一般都簡述這些圖譜參數）相互不迭加的譜峰容易進行分組，相互迭加的一級譜或復雜譜，解析的過程也是不斷調整進行分組的過程。峰形一般較窄，解析時都是按較窄的峰形處理的。如果較寬，至少是底部較寬時，它的峰較寬的信息本身就代表一定的分子結構信息。

化學位移δ值，現在多使用相對值，即以某一個內標准物質，如四甲基硅等，以內標准物質的NMR信號化學位移δ值為0 ppm或0 Hz,測試物質的信號峰相對於內標物的化學位移δ值。如果NMR譜圖內標物信號不在0 位，需要校正之。

常規分裂峰數，s, d, t, q, 五重，六重，七重峰，此外還有dd（雙二重峰）, dt（雙三重峰）, dq（雙四重峰）, ddd（雙雙二重峰）, ddt（雙雙三重峰）, dddd（雙雙雙二重峰）等峰形，每一種都代表一定的結構信息。有了峰形分組和譜峰組成，才容易求解δ值――峰形質量中心的橫坐標。求J值的過程也是不斷解析譜圖推導分子結構的過程。

單峰s,二重峰d, 三重峰t, 四重峰q，五重峰，六重峰，多重峰M，如果是左右對稱的峰形，化學位移δ值就在對稱峰形的中心峰上或中心處橫坐標上讀出。
對稱的dd（雙二重峰）, dt（雙三重峰）, dq（雙四重峰）, ddd（雙雙二重峰）, ddt（雙雙三重峰）, dddd（雙雙雙二重峰）等峰形，化學位移δ值也是在對稱峰形的中心位置上讀出。

如果是高級譜圖，其中，一部分是一級譜圖的變形，即由於耦合關系、相互耦合的內側峰線高於外側峰線的，其化學位移δ值稍向峰高的那一側偏移，偏移得多少依據質量重心法則。另一部分的高級譜圖峰形較復雜，如要近似地讀出化學位移δ值也是如此即可。如果要想求解出精確的化學位移δ值，可以按照各種不同類型的高級譜圖自旋體系的成套的解析公式進行解析，這些高級譜圖的自旋類型的判斷、計算、解析的整個內容都是很好的可發表論文的實質內容和精華部分。
教科書中都有這方面的內容和專門知識，可去學習。