影響碳譜化學位移的因素有哪些

『壹』 化學位移是怎樣產生的有哪些因素影響化學位移

您好,網路知道趣味化學團隊為您答疑解惑:
化學位移的產生源於不同的原子核(比如有機化學中的氫質子)在不同的化學環境下(所謂不同的化學環境指的是不"完全相同")能在核磁共振實驗檢測中檢測出不同的吸收峰,而所謂的吸收峰產生的原因在於不同環境下的氫質子受到的屏蔽效應不同(不知道屏蔽效應?猛戳這里:http://ke..com/view/606800.htm),簡單地講就是激發不同環境下的氫原子所需要的能量高低不同。
綜上所屬，影響化學位移大小的本質原因在於能夠激發氫原子所需最低能量的不同，凡是能夠改變激發最低能量大小的因素都可以影響化學位移，因此，比如像空間化學環境（周圍有哪些原子、分子和基團等）、溶液環境（質子溶劑或是費質子溶劑？極性？）、電磁環境等均是影響化學環境的重要因素。其中化學空間環境的不同是最主要因素，經常被用來測定有機化學物質的結構（通過測定不同化學環境的氫質子的數量，能排除某些可疑的異構體，從而得到更真實的測量結果）。
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『貳』 影響化學位移的因素有哪些

化學位移是因原子內層電子結合能的變化而引起電子能譜圖上譜峰位置的移動。不同的化學環境主要指原子價態的變化、與不同電食性的原子或原子團相結合等。這些因素會造成原子核內電荷和核外電荷的分布發生變化，使電子結合能改變零點幾至十幾個電子伏特，從而使譜峰位置變化。在電子能譜分析中，常用來研究原子的化學成鍵及分子結構等。

影響化學位移的因素主要有:

(1)取代基的誘導效應和共軛效應;

(2)各向異性效應;

(3)氫鍵和溶劑效應。

拓展知識

化學位移是分析分子中各類氫原子所處位置的重要依據。δ值越大，表示屏蔽作用越小，吸收峰出現在低場; δ值越小，表示屏蔽作用越大，吸收峰出現在高場。

『叄』 影響化學位移的因素有哪些

內因：吸電子基團、各向異構。外因：溶劑，溫度。

化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化。

影響因素有：

內因：有吸電子基團的向低場移動（因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高）；共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動)；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間（不是苯環上）的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。

外因：溶劑，溫度（低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的）。

拓展資料：

1950年，W. G. Proctor 和當時旅美學者虞福春研究硝酸銨的14N NMR時，發現硝酸銨的共振譜線為兩條。顯然，這兩條譜線對應硝酸銨中的銨離子和硝酸根離子，即核磁共振信號可反映同一種核的不同化學位移。

有機化合物中的質子與獨立的質子不同，它的周圍還有電子，在電子的影響下，有機化合物中質子的核磁共振信號的位置與獨立的質子不同。化學位移（chemical shift)既是原子核如質子由於化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化。

『肆』 什麼是化學位移影響化學位移的因素有哪些

1.帶有磁性的原子核在外磁場的作用下發生自旋能級分裂，當吸收外來電磁輻射時，將發生核自旋能級的躍遷，從而產生核磁共振現象。在有機化合物中，處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子雲密度不同，導致共振頻率有差異，即產生共振吸收峰的位移，稱為化學位移；

2.影響因素:化學位移取決於核外電子雲密度，因此影響電子雲密度的各種因素都對化學位移有影響，影響最大的是電負性和各向異性效應。此外還有氫鍵、溶劑效應、范德華效應。

『伍』 dept表是什麼

DEPT譜（Distortionless Enhancement by Polarization Transfer），又稱為無畸變極化轉移技術，是一種碳譜核磁共振譜中的一種檢測技術，主要用於區分碳譜圖中的伯碳、仲碳、叔碳和季碳。

碳譜與氫譜的基本原理相同，化學位移定義及表示方法與氫譜一致 。所以內標物也與氫譜相同， 統一用TMS作為碳譜化學位移的零點。

影響碳譜化學位移的因素很多，主要有雜化效應、誘異效應及磁各向異性等。而且磁各向異性中的順磁屏蔽效應佔主導作用，它使碳核的核磁共振倍號大幅度移向低場。值受碳原子雜化影響順序與平行。

(5)影響碳譜化學位移的因素有哪些擴展閱讀：

區分譜圖中的溶劑峰和雜質峰。

同氫譜中一樣，測定液體核磁共振碳譜也須採用氘代溶劑，除氘代水（D2O）等少數不含碳的氘代溶劑外，溶劑中的碳原子在碳譜中均有相應的共振吸收峰，並且由於氘代的緣故在質子雜訊去耦譜中往往呈現為多重峰，裂分數符合2nI +1，由於氘的自旋量子數I=1，故裂分數為2n +1 規律。

碳譜中雜質峰的判斷可參照氫譜解析時雜質峰的判別。一般雜質峰均為較弱的峰。當雜質峰較強而難以確定時，可用反轉門控去耦的方法測定定量碳譜，在定量碳譜中各峰面積（ 峰強度）與分子結構中各碳原子數成正比，明顯不符合比例關系的峰一般為雜質峰。

『陸』 影響化學位移的因素有哪些

化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達(相對的，通常使用四甲基硅烷作為基準)。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。
影響因素可以表示為
內因:有吸電子基團的向低場移動(因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高);共軛效應的向低場移動(如苯環上的H向低場移動);還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間(不是苯環上)的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆。
外因:溶劑，溫度(低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰，如DMF的)

『柒』 化學位移是怎樣產生的有哪些因素影響化學位移

化學位移是核磁共振中的一種術語，是化學環境所引起的核磁共振信號位置的變化，具體是用數字來進行表達。如果你是大學生，有空去幫師兄師姐做做實驗你就會很了解，核磁共振是化合物結構解析的常用手段。

化學位移的產生:

在外磁場的作用下，核外電子會產生方向相反的感應磁場，即屏蔽作用，使原子核實際感受到的磁場強度減弱，共振頻率隨之改變。由於核所處的化學環境不同，導致核周圍電子雲密度不同所引起的共振吸收峰的位移現象稱為化學位移。

影響因素可表現為:

1.內因：

有吸電子基團的向低場移動，因為屏蔽作用減少，弛豫所需的外磁場強度可以不用很高；共軛效應的向低場移動，如苯環上的H向低場移動；還有就是各向異構引起的，比如苯環的上方空間，不是苯環上的H向高產移動，三鍵的鍵方向的向高產移動，雙建上方的H向高產移動。這些有機化學的課本上都有，注意分類，別弄混淆；

2.外因：溶劑，溫度，低溫的時候有的單峰肯能會列分成雙峰。

『捌』 請問影響化學位移的因素有哪些

不同的環境中氫的化學位移會發生變化的。影響化學位移的因素主要有：取代基的誘導效應，共軛效應，芳環雙鍵和羰基屏蔽的各向異性效應，三鍵和單鍵屏蔽的各向異性效應，氫鍵效應等。

『玖』 羰基對化學位移的影響

頻率位移的因素可分為分子結構有關的內部因素和測定狀態有關的外部因素。外部因素包括試樣的狀態、粒度、溶劑、重結晶條件及制樣方法等都會引起紅外光譜吸收頻率的改變。
影響因素：部因素有誘導效應、共軛效應、氫鍵；其中誘導效應一般可增加雙鍵性從而增加振動容頻率；共軛效應減少雙鍵性從而減少振動頻率；氫鍵同樣減少；吸收峰強度主要是：偶極矩的變化，躍遷幾率影響。