怎麼比較質子的化學位移

『壹』 在60mhz儀器中，某質子與tms的共振頻率相差120hz，則該質子的化學位移是多少

要計算質子的化學位移，我們需要知道它與參考化合物（通常是四甲基硅烷，TMS）的共振李遲頻率差。假設在一個60 MHz的核磁共振（NMR）儀器中，某個質子與TMS的共振頻率相差120 Hz，那麼它的化學位移可以通過以下公式計算：
化學位移 = (參考化合物的團擾手共振頻率 - 樣品的共振頻率) / 參考化合物的共振頻率
由於60 MHz NMR儀器的觀測頻率為60 MHz，即參考化合物TMS的共振頻率為60 MHz，我們可以將上述公式簡化為：
化學位移 = 120 Hz / 60 MHz = 0.002
因此，該質子的化學位移為0.002。通常，化學位移用單位ppm表示，因此可以將其轉換為ppm，方法如下：塌嫌
化學位移（ppm）= 化學位移 × 10^6
化學位移（ppm）= 0.002 × 10^6 = 2000 ppm
因此，該質子的化學位移為2000 ppm。

『貳』 有機化學核磁共振的化學位移怎麼看的

氫核外的電子雲密度越小，化學位移越大。1那的是c，2那的是b，4.3那的是a，因為硝基是強吸電子基團，離這個基團越遠，吸電子效應越弱。
非要具體算，你得找本參考書了，不過一般識譜沒有這個必要。

『叄』 大學化學 有機化學 這個如何比較質子化學位移值詳細解釋

化學位移值與電子雲密度有關。簡單碼嫌櫻來說就是連吸電子基團遲叢處的質子化學位移值較大，比者亂如你的這個結構：c處因為直接與羰基相連，所以位移值最大，b處是與電負性元素氧相連，所以第二，a處與給電子基團亞甲基相連，所以位移值最小

『肆』 怎麼判斷1-硝基丙烷質子的化學位移呢，質子a和質子b的位移分別是哪個，怎麼判斷的

1-硝基丙烷：
CH3CH2CH2-NO2.
離硝基最近兩個CH2的是質子a， 中間的是質子b， 甲基上的是質子c。
離吸電子取代基NO2越近， 受到的電子屏蔽越大， 化學越向低場， 化學位移越大 。因此化學位移ppm的順序是：
a>b>c.

『伍』 關於有機物的化學位移值。為什麼甲醛＞苯＞乙烯＞乙炔

質子的化學位移
碳上質子的化學位移值取決於質子的化學環境。因此,我們也可以反過來由質子的化學位移推測質子的化學環境及分子的結構。各類質子的化學位移大體有一個范圍,下面給出各類質子的粗略化學位移:
碳上的氫(H)
脂肪族CH(C上無雜原子) 0——2.0
β-取代脂肪族CH 1.0——2.0
炔氫 1.6——3.4
α-取代脂肪族CH(C上有O、N、X或與烯鍵、炔鍵相連) 1.5——5.0
烯氫 4.5——7.5
苯環、芳雜環上氫 6.0——9.5 醛基氫 9——10.5
氧上的氫(OH)
醇類 0.5——5.5 酚類 4.0——8.0 酸 9——13.0
氮上的氫(NH)
脂肪族0.6——3.5 芳香胺 3.0——5.0 醯胺 5——8.5
對於大部分有機化合物來說氫譜的化學位移值在0-13 ppm. 大致可分以下幾個區
0-0.8 ppm :很少見,典型化合物; 環丙烷,硅烷,以及金屬有機化合物。
0.8-1.5 ppm :烷烴區域. 氫直接與脂肪碳相連,沒有強電負性取代基。化學位移地次序CH>CH2>CH3.。如果有更多的取代基化學位移移向低場。
2-3 ppm:羰基αH(醛、酮、羧酸、酯)、苄位碳H。
1.5-2ppm:烯丙位碳H
鹵代烴(氯、溴、碘)同碳氫:2-4ppm,氟代烴:4-4.5
3.0-
4.5 ppm:醚區域。即醚,羥基或者酯基碳氧單鍵的αH如果有更多的電負性取代基化學位移移向低場。
5.0-7.0 ppm :雙鍵區域,氫直接與C=C 雙鍵相連。炔氫化學位移2-3。
7.0-8.0 ppm :芳環質子區域. 磁各向異性作用,導致芳環質子處於去屏蔽區。同樣現象發生在醛由於羰基地磁各向異性,醛質子化學位移在9-10 ppm
-OH 可以出現在任何位置,譜線的性質由多重因此影響H的交換:pH.濃度,溫度,溶劑等。一般芳環酚羥基更趨於低場。醇羥基0.5-5.5ppm,酚羥基4-8ppm 醇在DMSO中4.0-6.5
大多數的-NHR, -NH2和醇一樣,可被交換,在2-3 ppm 區域顯示寬峰。
脂肪胺 0.6-3.5ppm ,芳香胺3.0-5.0ppm。醯胺5-9ppm
-CO2H 可交換,像醇(>10 ppm)

『陸』 為什麼苯環質子的化學位移比乙烯大

苯環上的氫原子受苯環的共軛宴察大π鍵影響,電子雲被平均化,氫上的電子雲密度減小,產生念祥閉較強的去屏蔽作用,故而化學位移為什麼仔裂出現在低場.

『柒』 化學 有機化學 光譜題 質子化學位移值，a和b如何比較 詳細點

還好我核磁共明鎮振的知識還沒忘。。

Hb的化學位移比Ha的化學位移要高。

因為芳環的大孫態π鍵是去屏蔽效應，為低場高位移，Ha環境中氫激凱粗原子數目越多屏蔽效應越強，為高場低位移。

這是我的筆記，希望對你有幫助。

『捌』 核磁共振的質子化學位移

由於不同類型的質子化學位移不同，因此化學位移值對於分辨各類質子是重要的，而確定質子類型對於闡明分子結構是十分有意義的。下表列出了一些特徵質子的化學位移，表中黑體字的H是要研究的質子。 特徵質子的化學位移質子的類型 化學位移 質子的類型 化學位移 RCH3 0.9 ArOH 4.5-4.7（分子內締合10.5～16) R2CH2 1.3 R3CH 1.5 R2C=CR—OH 15～19（分子內締合） 0.22 RCH2OH 3.4～4 R2C=CH2 4.5～5.9 ROCH3 3.5～4 R2C=CRH 5.3 RCHO 9～10 R2C=CR—CH3 1.7 RCOCR2—H 2～2.7 RC≡CH 7～3.5 HCR2COOH 2～2.6 ArCR2—H 2.2～3 R2CHCOOR 2～2.2 RCH2F 4～4.5 RCOOCH3 3.7～4 RCH2Cl 3～4 RC≡CCOCH3 2～3 RCH2Br 3.5～4 RNH2或R2NH 0.5～5（峰不尖銳，常呈饅頭形） RCH2I 3.2~4 ROH 0.5～5.5（溫度、溶劑
、濃度改變時影響很大） RCONRH或ArCONRH 5～9.4 甲烷氫的化學位移值為0.23，其它開鏈烷烴中，一級質子在高場δ≈0.91處出現，二級質子移向低場在δ≈1.33處出現，三級質子移向更低場在δ≈1.5處出現。例如： 烷烴 CH4 CH3—CH3 CH3—CH2—CH3 (CH3)3CH δ 0.23 0.86 0.86 0.91 1.33 0.91 0.86 1.50 甲基峰一般具有比較明顯的特徵，亞甲基峰和次甲基峰沒有明顯的特徵，而且常呈很復雜的峰形，不易辨認。當分子中引人其它官能團後，甲基、次甲基及亞甲基的化學位移會發生變化，但其δ值極少超出0.7～4-5這一范圍。
環烷烴能以不同構象形式存在，未被取代的環烷烴處在一確定的構象中時，由於碳碳單鍵的 各向異性屏蔽作用，不同氫的δ值略有差異。例如，在環己烷的椅型構象中，由於C-I上的平伏鍵氫處於C⑵ — C⑶鍵及C⑸ — C⑹鍵的去屏蔽區，而C-I上的直立鍵氫不處在去屏蔽區，（圖環己烷的各向異性屏蔽效應）。所以平伏鍵氫比直立鍵氫的化學位移略高0.2～0.5。在低溫（-100℃）構象固定時，NMR譜圖上可以清晰地看出兩個吸收峰，一個代表直立鍵氫，一個代表平伏鍵氫。但在常溫下，由於構象的迅速轉換（圖環己烷構象的轉換），一般只看到一個吸收峰（見右圖）。
其它未取代的環烷烴在常溫下也只有一個吸收峰。環丙烷的δ值為0.22，環丁烷的δ值為1.96，別的環烷烴的δ值在1.5左右。取代環烷烴中，環上不同的氫有不同的化學位移，它們的圖譜有時呈比較復雜的峰形，不易辨認。 酯中烷基上的質子RCOOCH2R的化學位移δH=3.7～4。醯胺中氮上的質子RCONHR 的化學位移，一般在δ= 5～9.4之間，往往不能給出一個尖銳的峰。
羰基或氮基附近α碳上的質子具有類似的化學位移= 2～3，例如，CH3COCl δH=2.67,CH3COOCH3 δH=2.03， RCH2COOCH3 δH=2.13,CH3CONH2 δH= 2.08，RCH2CONH2 δH=2.23，CH3CN δH=1.98，RCH2CN δH=2.30。 醇的核磁共振譜的特點參見後文。醚α-H的化學位移約在3.54附近。
酚羥基氫的核磁共振的δ值很不固定，受溫度、濃度、溶劑的影響很大，只能列出它的大致范 圍。一般酚羥基氫的δ值在4～8范圍內，發生分子內締合的酚羥基氫的δ值在10.5～16范 圍內。
羧酸H的化學位移在2～2.6之間。羧酸中羧基的質子由於受兩個氧的吸電子作用，屏 蔽大大降低，化學位移在低場。R2CHCOOH δH=10～12。
胺中，氮上質子一般不容易鑒定，由於氫鍵程度不同，改變很大，有時N— H和C一H質子 的化學位移非常接近，所以不容易辨認。一般情況在α-H δH=2.7～3.1，β-H δ=1.1～1.71。N-H δ=0.5～5,RNH2,R2NH的δ值的大致范圍在0.4～3.5，ArNH2，ArzNH,ArNHR的δ值的大 致范圍在2.9～4.8之間。

『玖』 「化學位移」

1.化學位移是由於電子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移動。

2.化學位移絕對值的差別很小，要精確測量難度很大，所以需要選定一個標准物質，將其核磁共振吸收峰的位置定為零，採用相對數值表示法來表示化合物吸收峰的位置。

3.常用的標准物質為四甲基硅烷（TMS）， 化學位移=0。

原因：

（1）TMS為對稱分子，四個甲基上所連H化學環境相同，屬於化學等價質子，其吸收峰只有一個；

（2）硅與碳屬於同一主族元素，電負性相差不大，TMS中的質子所受屏蔽作用較大，共振吸收峰出現在高場。

4.絕大多數有機物中質子所受屏蔽效應比TMS 小，吸收峰處於低場，在TMS吸收峰的左側

5.影響化學位移的因素

(1) 電負性：

吸電子基團使得H核周圍的電子雲密度降低，屏蔽效應減小，化學滲旅位移值 增大；

給電子基團使得H核周圍的電子雲密度升高，屏蔽效應增大，化學位移值 減小。

(2) 值會隨著H核與吸電子基團距離的增大而減小。

（可理解為：H核距離吸電子基團越遠，H核周圍電子雲密度降低得越少，屏蔽效應越大，化學位移越銷知小）

總結：

(1)化學位移與H核周圍的電子雲密度有關，可根據H核周圍的電子雲密度判斷化合物吸收峰與標准物質吸收峰的位置關系。

(2)處於屏蔽區的質子，化學位移向高場移動；處於去屏蔽叢斗凳區的質子，化學位移向低場移動。

(3)高場位於標准物質的右邊，低場位於標准物質的左邊。

例如：鹵素原子為吸電子基團，H核周圍的電子雲密度降低，屏蔽效應減小，化學位移值 增大，位於低場，在標准物質吸收峰的左邊。

祝各位小夥伴們端午節快樂！過節也不忘學習哦~~~

『拾』 化學 有機化學 如何比較質子化學位移值解釋一下

電子雲的偏移。a上連了高電負性的氧，電子雲偏離大賣枝明，h感 小，h有效 就大。另外，昨天問搭橡核磁共振的人也中告是你吧。。。