核磁分析中化學位移是哪個怎麼知道

㈠ 有機化學核磁共振的化學位移怎麼看的

以TMS的峰為基準，從右往左看，測量峰與TMS峰的間距就是該峰的化學位移

㈡ 什麼是化學位移,用哪種儀器判斷化學位移

化學位移是核磁共振譜儀（Nuclear Magnetic Resonance Spectros-NMR)在磁場中測定有機物質時對應的核（例如C，H，O）對磁場的響應所產生的吸收頻率， 用化學位移單位ppm來表示。

㈢ 核磁共振波譜分析法答案 什麼是化學位移，影響化學位移的因素有哪些

四大波譜是:
核磁共振（NMR）,物質粒子的質量譜-質譜（MS）,振動光譜-紅外/拉曼(IR/Raman）,電子躍遷-紫外（UV）。

紫外：四個吸收帶，產生、波長范圍、吸光系數
紅外：特徵峰，吸收峰影響因素、不同化合物圖譜聯系與區別
核磁：N+1率，化學位移影響因素，各類化合物化學位移
質譜：特徵離子、重排、各化合物質譜特點（如:有無分子離子峰等）

㈣ 核磁共振氫譜中那個什麼「化學位移」，就是圖下面的刻度，表示的是什麼

化學位移就是指在磁場照射下，化學鍵各官能團的偏移值。
按樓主的追問 它與氫原子個數關系不大，主要與氫原子所處的環境有關。
如果一峰為另一峰的三倍，如果出現這種情況，基本判斷該物質中存在氯元素。
請採納哦！又不明白的可以追問

㈤ 核磁共振的化學位移

氫的核磁共振譜提供了三類極其有用的信息：化學位移、偶合常數、積分曲線。應用這些信 息，可以推測質子在碳胳上的位置。
根據前面討論的基本原理，在某一照射頻率下，只能在某一磁感應強度下發生核磁共振。例如：照射頻率為60 MHz，磁感應強度是 14.092 Gs(14.092×10^-4 T），100 MHz—23.486 Gs(23.486×10^-4 T），200 MHz—46.973 Gs(46.973×10^-4 T）。600 MHz—140.920 Gs(140.920×10^-4 T）。但實驗證明：當1H在分子中所處化學環境（化學環境是指1H的核外電子以及與1H 鄰近的其它原子核的核外電子的運動情況）不同時，即使在相同照射頻率下，也將在不同的共振磁場下顯示吸收峰。下圖是乙酸乙酯的核磁共振圖譜，圖譜表明：乙酸乙酯中的8個氫，由 於分別處在a，b，c三種不同的化學環境中，因此在三個不同的共振磁場下顯示吸收峰。同種核由於在分子中的化學環境不同而在不同共振磁感應強度下顯示吸收峰，這稱為化學位移（chemical shift）。 化學位移是怎樣產生的？分子中磁性核不是完全裸露的，質子被價電子包圍著。這些電子 在外界磁場的作用下發生循環的流動，會產生一個感應的磁場，感應磁場應與外界磁場相反（楞次定律），所以，質子實際上感受到的有效磁感應強度應是外磁場感應強度減去感應磁場強度。即
B有效=B0(1-σ）=B0-B0σ=B0-B感應
外電子對核產生的這作用稱為屏蔽效應（shielding effect），也叫抗磁屏蔽效應（diamagnetic effect）。稱為屏蔽常數（shielding constant）。與屏蔽較少的質子比較，屏蔽多的質子對外磁場感受較少，將在較高的外磁場B0作用下才能發生共振吸收。由於磁力線是閉合的，因此感應磁 場在某些區域與外磁場的方向一致，處於這些區域的質子實際上感受到的有效磁場應是外磁場B0加上感應磁場B感應。這種作用稱為去屏蔽效應（deshielding effect）。也稱為順磁去屏蔽效應（paramagnetic effect）。受去屏蔽效應影響的質子在較低外磁場B0作用下就能發生共振吸收。綜上所述：質子發生核磁共振實際上應滿足：
ν射=γB有效/2π
因在相同頻率電磁輻射波的照射下，不同化學環境的質子受的屏蔽效應各不相同，因此它們發生 核磁共振所需的外磁場B0也各不相同，即發生了化學位移。
對1H化學位移產生主要影響的是局部屏蔽效應和遠程屏蔽效應。核外成鍵電子的電子雲 密度對該核產生的屏蔽作用稱為局部屏蔽效應。分子中其它原子和基團的核外電子對所研究的 原子核產生的屏蔽作用稱為遠程屏蔽效應。遠程屏蔽效應是各向異性的。 化學位移的差別約為百萬分之十，要精確測定其數值十分困難。現採用相對數值表示法，即選用一個標准物質，以該標准物的共振吸收峰所處位置為零點，其它吸收峰的化學位移值根據這 些吸收峰的位置與零點的距離來確定。最常用的標准物質是四甲基硅（CH3)4Si簡稱TMS。選TMS為標准物是因為：TMS中的四個甲基對稱分布，因此所有氫都處在相 同的化學環境中，它們只有一個銳利的吸收峰。另外，TMS的屏蔽效應很高，共振吸收在高場出現，而且吸收峰的位置處在一般有機物中的質子不發生吸收的區域內。現規定化學位移用δ來 表示，四甲基硅吸收峰的δ值為零，其峰右邊的δ值為負，左邊的δ值為正。測定時，可把標准物與樣品放在一起配成溶液，這稱為內標准法。也可將標准物用毛細管封閉後放人樣品溶液中進 行測定，這稱為外標准法。此外，還可以利用溶劑峰來確定待測樣品各個峰的化學位移。
由於感應磁場與外磁場的B0成正比，所以屏蔽作用引起的化學位移也與外加磁場B0成正 比。在實際測定工作中，為了避免因採用不同磁感應強度的核磁共振儀而引起化學位移的變化，δ一般都應用相對值來表示，其定義為
δ=(ν樣-ν標)/ν儀×10^6④
在式④中，ν樣和ν標分別代表樣品和標准化合物的共振頻率，ν儀為操作儀器選用的頻率。多數有機物的質子信號發生在0～10處，零是高場，10是低場。 需注意也有一些質子的信號是在小於0的地方出現的。如安扭烯的環內的質子，受到其外芳環磁各向異性的影響，甚至可以達到-2.99。此外，在不同兆數的儀器中，化學位移的值是相同的。 化學位移取決於核外電子雲密度，因此影響電子雲密度的各種因素都對化學位移有影響，影 響最大的是電負性和各向異性效應。
⑴電負性（誘導效應）
電負性對化學位移的影響可概述為：電負性大的原子（或基團）吸電子能力強，1H核附近的吸電子基團使質子峰向低場移（左移），給電子基閉使質子峰向高場移（右移）。這是因為吸電子基團降低了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之降低，所以質子的化學位 移向低場移動。給電子基團增加了氫核周圍的電子雲密度，屏蔽效應也就隨之增加，所以質子的 化學位移向高場移動。下面是一些實例。
實例一： 電負性 C2.6 N3.0 O3.5 δ C—CH3(0.77～1.88) N—CH3(2.12～3.10) O—CH3(3.24～4.02) 實例二： 電負性 Cl3.1 Br2.9 I2.6 δ CH3—Cl(3.05)
CH2—Cl2(5.30)
CH—Cl3(7.27) CH3—Br(2.68) CH3—I(2.16) 電負性對化學位移的影響是通過化學鍵起作用的，它產生的屏蔽效應屬於局部屏蔽效應。
⑵各向異性效應
當分子中某些基團的電子雲排布不呈球形對稱時，它對鄰近的1H核產 生一個各向異性的磁場，從而使某些空間位置上的核受屏蔽，而另一些空間位置上的核去屏蔽， 這一現象稱為各向異性效應（anisotropic effect）。
除電負性和各向異性的影響外，氫鍵、溶劑效應、van der Waals效應也對化學位移有影響。氫鍵對羥基質子化學位移的影響與氫鍵的強弱及氫鍵的電子給予體的性質有關，在大多數情況 下，氫鍵產生去屏蔽效應，使1H的δ值移向低場。有時同一種樣品使用不同的溶劑也會使化學位移值發生變化，這稱為溶劑效應。活潑氫的溶劑效應比較明顯。
當取代基與共振核之間的距離小於van der Waals半徑時，取代基周圍的電子雲與共振核周圍的電子雲就互相排 斥，結果使共振核周圍的電子雲密度降低，使質子受到的屏蔽效應明顯下降，質子峰向低場移動，這稱為van der Waals效應。氫鍵的影響、溶劑效應、van der Waals效應在剖析NMR圖譜時很有用。
（3）共軛效應
苯環上的氫若被推電子基取代，由於P-π共軛，使苯環電子雲密度增大，質子峰向高場位移。而當有拉電子取代基則反之。對於雙鍵等體系也有類似的效果。

㈥ 有機化學核磁共振的化學位移怎麼看的

氫核外的電子雲密度越小，化學位移越大。1那的是c，2那的是b，4.3那的是a，因為硝基是強吸電子基團，離這個基團越遠，吸電子效應越弱。
非要具體算，你得找本參考書了，不過一般識譜沒有這個必要。