1. 哪種軟體適合做化學氣相沉積模擬
1,首先你需要一台化學氣相沉積機台,常見的有牛津的PECVD幾台。 2,葯品的話主要是一切特殊氣體,如硅烷,氮氣,氨氣,氧氣,笑氣,氟化碳氣體等。 3,試驗步驟建議使用田口的DOE實驗法,這樣你可以省去一些不必要的試驗。化學氣相沉積過程中有化學反應,多種材料相互反應,生成新的的材料。
物理氣相沉積中沒有化學反應,材料只是形態有改變。
物理氣相沉積技術工藝過程簡單,對環境改善,無污染,耗材少,成膜均勻緻密,與基體的結合力強。缺點膜一基結合力弱,鍍膜不耐磨, 並有方 向性
化學雜質難以去除。優點可造金屬膜、非金屬膜,又可按要求製造多成分的合金膜,成膜速度快,膜的繞射性好
2. 化學氣相沉積法 應用
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3. 請問CVD(化學氣相沉積)的原理及應用
其含義是氣相中化學反應的固體產物沉積到表面。CVD裝置由下列部件組成;反應物供應系統,氣相反應器,氣流傳送系統。反應物多為金屬氯化物,先被加熱到一定溫度,達到足夠高的蒸汽壓,用載氣(一般為Ar或H2)送入反應器。如果某種金屬不能形成高壓氯化物蒸汽,就代之以有機金屬化合物。在反應器內,被塗材料或用金屬絲懸掛,或放在平面上,或沉沒在粉末的流化床中,或本身就是流化床中的顆粒。化學反應器中發生,產物就會沉積到被塗物表面,廢氣(多為HCl或HF)被導向鹼性吸收或冷阱。
沉積反應可認為還原反應、熱解反應和取代反應幾類。CVD反應可分為冷壁反應與熱壁反應。在熱壁反應中,化學反應的發生與被塗物同處一室。被塗物表面和反應室的內壁都塗上一層薄膜。在熱壁反應器中只加熱被塗物,反應物另行導入。
4. 化學氣相沉積的化學反應有哪些特點
1)在中溫或高溫下,通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。2)可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。3)採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行。4)塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。5)可以控制塗層的密度和塗層純度。6)繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好,所以可塗覆帶有槽、溝、孔,甚至是盲孔的工件。7)沉積層通常具有柱狀晶體結構,不耐彎曲,但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動,以改善其結構。8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。
5. 化學氣相沉積法需要哪些實驗儀器和葯品
1,首先你需要一台化學氣相沉積機台,常見的有牛津的PECVD幾台。
2,葯品的話主要是一切特殊氣體,如硅烷,氮氣,氨氣,氧氣,笑氣,氟化碳氣體等。
3,試驗步驟建議使用田口的DOE實驗法,這樣你可以省去一些不必要的試驗。
6. 氣相沉積的基本過程包括哪幾個階段
化學氣相沉積過程分為四個重要的階段:反應氣體向基體表面擴散;反應氣體吸附於基體表面;在基體表面上產生的氣相副產物脫離表面;留下的反應物形成覆層。
物理氣相沉積中沒有化學反應,材料只是形態有改變。
7. 化學氣相沉積的特點
1)在中溫或高溫下,通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。
3)採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應,使沉積可在較低的溫度下進行。
4)塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化,從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制塗層的密度和塗層純度。
6)繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好,所以可塗覆帶有槽、溝、孔,甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結構,不耐彎曲,但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動,以改善其結構。
8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。
8. 化學沉積的化學氣相沉積CVD
(Chemical Vapor Deposition)是利用加熱,等離子體激勵或光輻射等方法,使氣態或蒸汽狀態的化學物質發生反應並以原子態沉積在置於適當位置的襯底上,從而形成所需要的固態薄膜或塗層的過程。化學氣相沉積是一種非常靈活、應用極為廣泛的工藝方法,可以用來制備各種塗層、粉末、纖維和成型元器件。特別在半導體材料的生產方面,化學氣相沉積的外延生長顯示出與其他外延方法(如分子束外延、液相外延)無與倫比的優越性,即使在化學性質完全不同的襯底上,利用化學氣相沉積也能產生出晶格常數與襯底匹配良好的外延薄膜。此外,利用化學氣相沉積還可生產耐磨、耐蝕、抗氧化、抗沖蝕等功能塗層。在超大規模集成電路中很多薄膜都是採用CVD方法制備。
9. 什麼是化學氣相沉積
化學氣相沉積是半導體技術中一種常用的薄膜生長技術,這種技術使用化學的方法來沉積薄膜。化學氣相沉積包括
MOCVDPECVD
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