『壹』 化學位移的計算方法
待測物中加一標准物質(如TMS),分別測定待測物和標准物的吸收頻率nx和ns,以下式來表示化學位移d:化學位移(d)=(信號位置-TMS峰的位置)X106/核磁共振所用儀器的頻率MHz,用ppm單位表示化學位移與儀器的頻率無關。
『貳』 化學位移ppm
由於各個核磁儀器的場強不同,對同一樣品測出的「絕對」頻率位移也會不一樣。但是如果使用相對位移(例如,相對於所使用儀器的「鎖場」頻率),不同的儀器,對同一樣品的測出的「相對」頻率位移就一樣了。
化學位移ppm就是這種相對位移。ppm=(樣品共振頻率-鎖場頻率)/鎖場頻率
(因為HNMR的頻率都是在百萬赫茲范圍,而差(樣品共振頻率-鎖場頻率)一般在幾個赫茲的范圍內。所以,用part per million.)
譬如,說在某個100MHz的儀器上水的質子的絕對化學位移是 1000004 Hz,飽和烴的質子的絕對化學位移是 1000007 Hz。那麼,它們的相對化學位移(相對於水)=(1000007-1000004)/1000004=3ppm。
但是,在另一台400MHz儀器上水的質子的絕對化學位移是 4000015 Hz,而飽和烴的質子的絕對化學位移是 4000003 Hz。那麼,它們的相對化學位移(相對於水)=(4000015-1000003)/4000015=3ppm。
『叄』 什麼是化學位移,用哪種儀器判斷化學位移
化學位移是核磁共振譜儀(Nuclear Magnetic Resonance Spectros-NMR)在磁場中測定有機物質時對應的核(例如C,H,O)對磁場的響應所產生的吸收頻率, 用化學位移單位ppm來表示。
『肆』 什麼是化學位移為什麼不用核的共振頻率(Hz)表示化學位移
用核磁共振儀可以記錄到有關信號,處在不同化學環境中的氫原子因產生共振時吸收電磁波的頻率不同,在譜圖上出現的位置也不同,各類氫原子的這種差異被稱為化學位移。
『伍』 什麼是化學位移,為什麼用化學位移表示峰位 ,而不用共振頻率的絕對值
核磁共振中,化學位移本身是有單位的,其單位是Hz,之所以最終沒有單位,是因為我們常說的化學位移指的是化學相對位移.
打個比方,當使用200MHz的NMR時,某個位移值為200Hz,這時就採用相對位移,用200Hz去除以200MHz,得到的是百萬分之一,也就是1ppm;之所以這么表示是因為,位移值會隨著機器的不同而改變,例如剛才的例子,在400MHz的NMR下,位移值是400Hz,只是相對位移不變,仍然是1ppm;
『陸』 化學位移
由於有機分子中各種質子受到不同程度的屏蔽效應,因此在核磁共振譜的不同位置上出現吸收峰。
某一物質吸收峰的位置與標准質子吸收峰位置之間的差異稱為該物質的化學位移(chemical shift),常以δ表示
『柒』 在60mhz儀器中,某質子與tms的共振頻率相差120hz,則該質子的化學位移是多少
相對化學位移=質子與TMS核磁共振頻率之差/儀器的頻率•10的次方
即=120hz•10六次方/60MHz=2ppm
注意⚠️1MHz=1000hz
『捌』 什麼是化學位移
原子核在磁場的作用下會發生自旋,當吸收外來電磁輻射時,會發生核自旋能級的躍遷,產生核磁共振現象,有機化合物中,處在不同結構和位置上的各種氫核周圍的電子雲密度不同,導致共振頻率有差異,產生共振吸收峰的位移,稱為化學位移。
『玖』 化學位移的單位怎麼是ppm
化學位移的單位怎麼是ppm的原因是:
核磁共振中,化學位移本身的單位並不是ppm,而其單位是Hz,之所以單位為ppm,是因為我們常說的化學位移指的是化學相對位移。
打個比方,當使用200MHz的NMR時,某個位移值為200Hz,這時就採用相對位移,用200Hz去除以200MHz,得到的是百萬分之一,也就是1ppm;之所以這么表示是因為,位移值會隨著機器的不同而改變,例如剛才的例子,在400MHz的NMR下,位移值是400Hz,只是相對位移不變,仍然是1ppm。
化學位移的公式表示:
現採用相對數值表示法,即選用一個標准物質,以該標准物的共振吸收峰所處位置為零點,其它吸收峰的化學位移值根據這些吸收峰的位置與零點的距離來確定。
化學位移值普遍採用無量綱的δ值表示,其定義為:
(9)如何用頻率表示化學位移擴展閱讀:
影響因素:
化學位移取決於核外電子雲密度,因此影響電子雲密度的各種因素都對化學位移有影響,影響最大的是電負性和各向異性效應。
1. 電負性
電負性大的原子(或基團)吸電子能力強,降低了氫核外圍的電子雲密度,屏蔽效應也就隨之降低,其共振吸收峰移向低場,化學位移會變大;反之,給電子基團可增加氫核外圍的電子雲密度,共振吸收峰移向高場,化學位移會變小。
2. 各向異性效應
當分子中的某些基團的電子雲排布不呈球形對稱時,它對鄰近的1H核產生一個各向異性的磁場,從而使某些空間位置上的核受屏蔽,而另一些空間位置上的核去屏蔽,這一現象稱為各向異性效應(anisotropic effect)。各向異性效應是由於成鍵電子的電子雲分布不均勻導致在外磁場中所產生的感應磁場的不均勻所引起的,如苯環上質子的化學位移移向低場,δ在7左右。
3. 氫鍵
氫鍵對羥基質子化學位移的影響與氫鍵的強弱及氫鍵的電子給予體的性質有關,在大多數情況下,氫鍵產生去屏蔽效應,使1H的δ值移向低場。
4. 溶劑效應
有時同一種樣品使用不同的溶劑也會使化學位移值發生變化,這稱為溶劑效應。活潑氫的溶劑效應比較明顯。能引起溶劑效應的因素很多,如N,N-二甲基甲醯胺在CDCl3中測定時,δαH>δβH,而在被測物中加入適量苯溶劑後可使δαH<δβH, 這是因為苯能與之形成復合物,而使兩種氫處於不同的屏蔽區所致。
5. 范德華效應
當取代基與共振核之間的距離小於范德華半徑時,取代基周圍的電子雲與共振核周圍的電子雲就互相排斥,共振核周圍的電子雲密度降低,使質子受到的屏蔽效應明顯下降,質子峰向低場移動,這稱為范德華效應。
『拾』 化學位移的介紹
化學位移是用核磁共振儀可以記錄到有關信號,處在不同化學環境中的氫原子因產生共振時吸收電磁波的頻率不同,在譜圖上出現的位置也不同,各類氫原子的這種差異被稱為化學位移。