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mos是什麼

發布時間:2022-07-17 10:08:11

⑴ MOS管是什麼

MOS管一般又叫場效應管,與二極體和三極體不同,二極體只能通過正向電流,反向截止,不能控制,三極體通俗講就是小電流放大成受控的大電流,MOS管是小電壓控制電流的。

拓展資料:

MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source,另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地,drain接正電壓。

⑵ MOS是什麼意思

MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconctor即金屬-氧化物-半導體。
MOS還是Microsoft Office Specialist的英文開頭字母縮寫,微軟辦公軟體使用的國際認證:國際權威職業化辦公認證,是Certiport這個國際著名的從事計算機應用能力認證的專業機構與Microsoft總部共同推出的微軟辦公軟體的實際運用能力的考核,這是微軟辦公軟體Office專家應用認證,為Microsoft 唯一所認可的Office 軟體國際級的專業認證。

⑶ MOS是什麼

1有閾值化學物質計算安全邊界比
安全邊界比Margin of Safety(MoS)
人暴露與動物無作用劑量,即MoS=NOAEL(animal)/EXP(human)
MoS>1,無風險;MoS<1,有風險。
2考試認證簡介
Microsoft Office Specialist的英文開頭字母縮寫

⑷ MOS是什麼意思

MOS英文全稱為Metal-Oxide-Semiconctor即半導體金屬氧化物,它是集成電路中的材料,現在也可指代晶元.MOS內部的結構和二極體、三極體差不多,由P-N結構成,P是正的意思(positive),N是負的意思(negative).由於正負離子的作用,在MOS內部形成了耗盡層和溝道,耗盡層里的正負離子相互綜合,達到了穩定的狀態,而溝道是電子流通的渠道,耗盡層和溝道一般是相對的耗盡層窄了,溝道就寬了,反之亦然.
MOS的功能和三極體差不多主要是放大電路,MOS可分為HMOS(高密度MOS)和CMOS(互補MOS),兩種合起來又有了CHMOS.

⑸ mos是什麼意思

以金屬-氧化物-半導體(MOS)場效應晶體管為主要元件構成的集成電路 。簡稱MOSIC 。1964年研究出絕緣柵場效應晶體管。直到1968年解決了MOS器件的穩定性,MOSIC得到迅速發展。與雙極型集成電路相比,MOSIC具有以下優點:①製造結構簡單,隔離方便。②電路尺寸小、功耗低適於高密度集成。③MOS管為雙向器件,設計靈活性高。④具有動態工作獨特的能力。⑤溫度特性好。其缺點是速度較低、驅動能力較弱。一般認為MOS集成電路功耗低、集成度高,宜用作數字集成電路;雙極型集成電路則適用作高速數字和模擬電路。
按晶體管的溝道導電類型,可分為P溝MOSIC、N溝MOSIC以及將P溝和N溝MOS晶體管結合成一個電路單元的互補MOSIC,分別稱為PMOS 、NMOS和CMOS集成電路。隨著工藝技術的發展,CMOS集成電路已成為集成電路的主流,工藝也日趨完善和復雜 ,由P阱或N阱CMOS發展到雙阱CMOS工藝。80年代又出現了集雙極型電路和互補金 屬-氧化物-半導體(CMOS)電路優點的BiCMOS集成電路結構。按柵極材料可分為鉛柵、硅柵、硅化物柵和難熔金屬(如鉬、鎢)柵等MOSIC,柵極尺寸已由微米進入亞微米(0.5~1微米)和強亞微米(0.5微米以下)量級 。此外,還發展了不同的MOS集成電路結構的MOSIC:如浮柵雪崩注入MOS(FAMOS)結構,用於可擦寫只讀存貯器;擴散自對准MOS(DMOS)結構和V型槽MOS結構等,可滿足高速、高電壓要求。近年來發展了以藍寶石為絕緣襯底的CMOS結構,具有抗輻照、功耗低和速度快等優點。MOSIC廣泛用於計算機、通信、機電儀器、家電自動化、航空航天等領域,可使整機體積縮小、工作速度快、功能復雜、可靠性高、功耗低和成本便宜等。

⑹ MOS是什麼有什麼作用

你可以直接到網路中去查MOS管的資料。

mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconctor)場效應晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。MOS管的source和drain是可以對調的,他們都是在P型backgate中形成的N型區。在多數情況下,這個兩個區是一樣的,即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。

目錄

簡介
詳細介紹
編輯本段
簡介

雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大後,在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比(beta)。另一種晶體管,叫做場效應管(FET),把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等於它的transconctance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。
場效應管的名字也來源於它的輸入端(稱為gate)通過投影一個電場在一個絕緣層上來影響流過晶體管的電流。事實上沒有電流流過這個絕緣體,所以FET管的GATE電流非常小。最普通的FET用一薄層二氧化硅來作為GATE極下的絕緣體。這種晶體管稱為金屬氧化物半導體(MOS)晶體管,或,金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)。因為MOS管更小更省電,所以他們已經在很多應用場合取代了雙極型晶體管。
編輯本段
詳細介紹

首先考察一個更簡單的器件-MOS電容-能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極,一個是金屬,另一個是extrinsic silicon,他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE,而半導體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為gate dielectric。圖示中的器件有一個輕摻雜P型硅做成的backgate。這個MOS 電容的電特性能通過把backgate接地,gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導體BACKGATE在WORK FUNCTION上的差異在電介質上產生了一個小電場。在器件中,這個電場使金屬極帶輕微的正電位,P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面來,它同時把空穴排斥出表面。這個電場太弱了,所以載流子濃度的變化非常小,對器件整體的特性影響也非常小。
當MOS電容的GATE相對於BACKGATE正偏置時發生的情況。穿過GATE DIELECTRIC的電場加強了,有更多的電子從襯底被拉了上來。同時,空穴被排斥出表面。隨著GATE電壓的升高,會出現表面的電子比空穴多的情況。由於過剩的電子,硅表層看上去就像N型硅。摻雜極性的反轉被稱為inversion,反轉的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續不斷升高,越來越多的電子在表面積累,channel變成了強反轉。Channel形成時的電壓被稱為閾值電壓Vt。當GATE和BACKGATE之間的電壓差小於閾值電壓時,不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時,channel就出現了。
MOS電容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反轉(VBG=3V),(C)積累(VBG=-3V)。
中是當MOS電容的GATE相對於backgate是負電壓時的情況。電場反轉,往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了,這個器件被認為是處於accumulation狀態了。
MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate,電介質和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區域。其中一個稱為source,另一個稱為drain。假設source 和backgate都接地,drain接正電壓。只要GATE對BACKGATE的電壓仍舊小於閾值電壓,就不會形成channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置,所以只有很小的電流從drain流向backgate。如果GATE電壓超過了閾值電壓,在GATE電介質下就出現了channel。這個channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。由電子組成的電流從source通過channel流到drain。總的來說,只有在gate 對source電壓V 超過閾值電壓Vt時,才會有drain電流。
在對稱的MOS管中,對source和drain的標注有一點任意性。定義上,載流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。有時晶體管上的偏置電壓是不定的,兩個引線端就會互相對換角色。這種情況下,電路設計師必須指定一個是drain另一個是source。
Source和drain不同摻雜不同幾何形狀的就是非對稱MOS管。製造非對稱晶體管有很多理由,但所有的最終結果都是一樣的。一個引線端被優化作為drain,另一個被優化作為source。如果drain和source對調,這個器件就不能正常工作了。
晶體管有N型channel所有它稱為N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一個由輕摻雜的N型BACKGATE和P型source和drain組成的PMOS管。如果這個晶體管的GATE相對於BACKGATE正向偏置,電子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就積累,沒有channel形成。如果GATE相對於BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的閾值電壓是負值。由於NMOS管的閾值電壓是正的,PMOS的閾值電壓是負的,所以工程師們通常會去掉閾值電壓前面的符號。一個工程師可能說,「PMOS Vt從0.6V上升到0.7V」, 實際上PMOS的Vt是從-0.6V下降到-0.7V。

⑺ 想知道mos是什麼

mos是半導體金屬氧化物。

氧化物半導體具有半導體特性的一類氧化物。氧化物半導體的電學性質與環境氣氛有關。導電率隨氧化氣氛而增加稱為氧化型半導體,是p型半導體。

電導率隨還原氣氛而增加稱為還原型半導體,是n型半導體;導電類型隨氣氛中氧分壓的大小而成p型或n型半導體稱為兩性半導體。非單晶氧化物可用純金屬高溫下直接氧化或通過低溫化學反應(如金屬氯化物與水的復分解反應)來制備。

mos的特點

氧化物半導體材料的平衡組成因氧的壓力改變而改變,氧原子濃度決定其導電的類型。由於金屬和氧之間的負電性差別較大,化學鍵離子性成分較強,破壞這樣一個離子鍵要比共價鍵容易,使它含有的點缺陷濃度較大,所以化學計量比偏離對材料的電學性質影響也大。

如化學計量比偏離缺氧時(或金屬過剩時),則此氧化物半導體材料即呈現n型,此時氧空位或間隙金屬離子形成施主能級而提供電子。

屬於此類半導體材料的有ZnO、CdO、TiO2、Al2O3、SnO:等。例如:ZnO化學計量比偏離缺氧時:與上相反則呈p型半導體,此時金屬空位將形成能級而提供空穴,屬於此類半導體材料的有:C u2O、NiO 、CoO、FeO、Cr2O3。等。

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