半導體物理Nd是什麼

Ⅰ 物理量nD,d,mp,bp分別表示什麼

中灰密度鏡:中性灰度鏡又叫中性灰度鏡,簡稱ND,其作用是過濾光線。

d 可以表示直徑 光的干涉及衍射里表示雙逢之間的距離。

MP是Multi-Link PPP的縮寫，是將多個物理鏈路的PPP捆綁在同一個邏輯埠，旨在增加鏈路的帶寬，只要是支持PPP的物理鏈路都可以啟用MP，互相捆綁在同一個邏輯埠Dialer口。MP允許將IP等網路層的報文進行碎片處理，將碎片的報文通過多個鏈路傳輸，同時抵達同一個目的地，以求匯總所有鏈路的帶寬。
mp 熔點(mp)，物質從一種相轉變為另一種相的過程。物質系統中物理、化學性質完全相同，與其他部分具有明顯分界面的均勻部分稱為相。與固、液、氣三態對應。

bp：物理學名詞：沸點

Ⅱ nd表示的是什麼意思

nd的英文縮寫的意思是需要，全稱是need。

英文縮寫詞，是用一個單詞或片語的簡寫形式來代表一個完整的形式，它不同於首字母縮寫詞。英文縮寫是英語詞語的簡易形式，用英文單詞中重要的字母來代表整個單詞的意義，也被稱為縮略詞。

一個英文縮寫詞可以用任何方法縮短，將通過一些字母部件繪制在一起。

但是縮寫也會帶來困擾，因為縮寫可能在不同行業代表不同的意思。

音節縮寫：

音節的縮寫是由每個單詞（通常）初步形成音節的縮寫，它結合了兩個詞。

例如INTERPOL等於INTERnational加POLice。

它是一個首字母縮寫的變體。音節的縮寫常是使用小寫，有時會連起一個大寫字母來寫。

英語（英文：English）是一種西日耳曼語支，最早被中世紀的英國使用，並因其廣闊的殖民地而成為世界使用面積最廣的語言。英國人的祖先盎格魯部落是後來遷移到大不列顛島地區的日耳曼部落之一，稱為英格蘭。

這兩個名字都來自波羅的海半島的Anglia。該語言與弗里斯蘭語和下撒克森語密切相關，其詞彙受到其他日耳曼語系語言的影響，尤其是北歐語（北日耳曼語），並在很大程度上由拉丁文和法文撰寫。

英語已經發展了1400多年。英語的最早形式是由盎格魯-撒克遜人移民於5世紀帶到英國的一組西日耳曼語支（Ingvaeonic）方言，被統稱為古英語。中古英語始於11世紀末，諾曼征服英格蘭。

1476年，威廉·卡克斯頓將印刷機介紹給英國，並開始在倫敦出版第一本印刷書籍，擴大了英語的影響力。自17世紀以來，現代英語在英國和美國的廣泛影響下在世界各地傳播。通過各類這些國家的印刷和電子媒體，英語已成為國際主導語言之一，在許多地區和專業的環境下的語言也有主導地位，例如科學、導航和法律。

Ⅲ 電路板上ND是什麼元件

R代表電阻resistance
D代表二極體diode
C代表電容capacitance
U代表IC 具體英語是啥倒是想不起來了。。。

Ⅳ ST、ND、RD 、TH這些英語簡寫是什麼意思

數字後面加
th，讀音和原來的序數詞是一樣的，如：365th，就讀作：three
hundred
and
fifty-sixth
，
12th
讀
twelfth
不知道你的其它數字後面加的字母是什麼意思，如果是序數詞，那後面的字母是不能亂加的，只有第一、第二十一、第三十一、第四十一.......
等後面可以加
-st（如：1st,21st,31st,41st......）
；第二、第二十二、第三十二、第四十二.......
等的後面可以加
-nd
（如：2nd,
22nd,
32nd,
42nd......）；
第三、第二十三、第三十三、第四十三....等後面可以加
-rd
（如：3rd,
23rd,
33rd,43rd.....）；其它的情況一律加
th（如：4th,
26th,
37th,
108th
........）

Ⅳ 半導體物理n0是什麼

半導體載流子濃度(n型) n型半導體中存在著帶負電的導帶電子(濃度為n0)。

半導體指常溫下導電性能介於導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極體就是採用半導體製作的器件。

分類及性能

（1）元素半導體。元素半導體是指單一元素構成的半導體，其中對硅、硒的研究比較早。它是由相同元素組成的具有半導體特性的固體材料，容易受到微量雜質和外界條件的影響而發生變化。目前， 只有硅、鍺性能好，運用的比較廣，硒在電子照明和光電領域中應用。

（2）有機合成物半導體。有機化合物是指含分子中含有碳鍵的化合物，把有機化合物和碳鍵垂直，疊加的方式能夠形成導帶，通過化學的添加，能夠讓其進入到能帶，這樣可以發生電導率，從而形成有機化合物半導體。

（3）非晶態半導體。它又被叫做無定形半導體或玻璃半導體，屬於半導電性的一類材料。非晶半導體和其他非晶材料一樣，都是短程有序、長程無序結構。它主要是通過改變原子相對位置，改變原有的周期性排列，形成非晶硅。

Ⅵ nd是什麼的縮寫

nd不是縮寫，nd是釹的化學式。

釹，化學符號Nd，原子序數為60，鑭系元素之一，單質為銀白色金屬，是最活潑的稀土金屬之一，熔點1024°C，密度7.004g/cm³，有順磁性。

在空氣中能迅速變暗，生成氧化物；在冷水中緩慢反應，在熱水中反應迅速。摻釹的釔鋁石榴石和釹玻璃可代替紅寶石做激光材料，釹和鐠玻璃可做護目鏡。釹在稀土領域中扮演著重要角色，並且左右著稀土市場。

釹的主要用途：

釹元素憑借其在稀土領域中的獨特地位，多年來成為市場關注的熱點。金屬釹的最大用戶是釹鐵硼永磁材料。釹鐵硼永磁體的問世，為稀土高科技領域注入了新的生機與活力。釹鐵硼磁體磁能積高，被稱作當代「永磁之王」，以其優異的性能廣泛用於電子、機械等行業。

阿爾法磁譜儀的研製成功，標志著我國釹鐵硼磁體的各項磁性能已跨入世界一流水平。釹還應用於有色金屬材料。在鎂或鋁合金中添加1.5-2.5%釹，可提高合金的高溫性能、氣密性和耐腐蝕性，廣泛用作航空航天材料。

Ⅶ 半導體中如果Nd大於Na，那麼這個半導體是什麼型半導體（室溫）

Nd>Na 屬於n型半導體...
室溫下,本徵載流子濃度ni=c(一個定值)
n=Nd-Na+p
p=ni^2/n

Ⅷ 求教半導體物理學幾個基本概念

半導體中有兩種載流子：自由電子和空穴。在熱力學溫度零度和沒有外界能量激發時，價電子受共價鍵的束縛，晶體中不存在自由運動的電子，半導體是不能導電的。但是，當半導體的溫度升高（例如室溫300oK）或受到光照等外界因素的影響，某些共價鍵中的價電子獲得了足夠的能量，足以掙脫共價鍵的束縛，躍遷到導帶，成為自由電子，同時在共價鍵中留下相同數量的空穴。空穴是半導體中特有的一種粒子。它帶正電，與電子的電荷量相同。把熱激發產生的這種躍遷過程稱為本徵激發。顯然，本徵激發所產生的自由電子和空穴數目是相同的。 由於空穴的存在，臨近共價鍵中的價電子很容易跳過去填補這個空穴，從而使空穴轉移到臨近的共價鍵中去，而後，新的空穴又被其相鄰的價電子填補，這一過程持續下去，就相當於空穴在運動。帶負電荷的價電子依次填補空穴的運動與帶正電荷的粒子作反方向運動的效果相同，因此我們把空穴視為帶正電荷的粒子。可見，半導體中存在兩種載流子，即帶電荷+q的空穴和帶電荷–q的自由電子。 在沒有外加電場作用時，載流子的運動是無規則的，沒有定向運動，所以形不成電流。在外加電場作用下，自由電子將產生逆電場方向的運動，形成電子電流，同時價電子也將逆電場方向依次填補空穴，其導電作用就像空穴沿電場運動一樣，形成空穴電流。雖然在同樣的電場作用下，電子和空穴的運動方向相反，但由於電子和空穴所帶電荷相反，因而形成的電流是相加的，即順著電場方向形成電子和空穴兩種漂移電流。 在本徵半導體硅（或鍺）中摻入少量的五價元素，如磷、砷或銻等，就可以構成N型半導體。若在鍺晶體中摻入少量的砷原子如圖1所示，摻入的砷原子取代了某些鍺原子的位置。砷原子有五個價電子，其中有四個與相鄰的鍺原子結合成共價鍵，餘下的一個不在共價鍵內，砷原子對它的束縛力較弱，因此只需得到極小的外界能量，這個電子就可以掙脫砷原子的束縛而成為自由電子。這種使雜質的價電子游離成為自由電子的能量稱為電離能。這種電離能遠小於禁帶寬度EGO,所以在室溫下，幾乎所有的雜質都已電離而釋放出自由電子。雜質電離產生的自由電子不是共價鍵中的價電子，因此，與本徵激發不同，它不會產生空穴。失去一個價電子的雜質原子成為一個正離子，這個正離子固定在晶格結構中，不能移動，所以它不參與導電。 由於砷原子很容易貢獻出一個自由電子故稱為「施主雜質」。失去一個價電子而電離的雜質原子，稱為「施主離子」。施主雜質的濃度用ND表示。 砷原子對第5個價電子的束縛力較弱，反應在能帶圖上，就是該電子的能級非常接近導帶底，稱施主能級ED，其能帶圖如圖2所示。在砷原子數量很少時，各施主能級間幾乎沒有什麼影響，施主能級處於同一能量水平。 施主能級ED和導帶底能級EC之差稱為施主電離能級EiD。對鍺中摻有砷的雜質半導體，約為0.0127eV，比鍺的禁帶寬度0.72eV小的多。在常溫下，幾乎所有砷施主能級上的電子都跳到了導帶，成為自由電子，留下的則是不能移動的砷施主離子。因此，N型半導體的自由電子由兩部分構成，一部分由本徵激發產生，另一部分由施主雜質電離產生，只要在鍺中摻入少量的施主雜質，就可以使後者遠遠超過前者。例如每104個鍺原子中摻入一個砷原子，鍺的原子密度是4.4´1022/cm3，在單位體積中就摻入了4.4´1018個砷原子，即施主雜質濃度ND=4.4´1018/cm3。在室溫下，施主雜質電離產生的自由電子濃度n=ND=4.4´1018/cm3。而鍺本徵激發產生的自由電子濃度ni=2.5´1013/cm3,可見由雜質提供的自由電子濃度比本徵激發產生的自由電子濃度大10萬倍。由於自由電子的大量增加，使得電子與空穴復合機率增加，因而空穴濃度急劇減小，在熱平衡狀態下，空穴濃度Pn比本徵激發產生的空穴濃度pi要小的多。因此，N型半導體中，自由電子濃度遠大於空穴濃度，即nn>>pn。因為自由電子佔多數，故稱它為多數載流子，簡稱「多子」；而空穴佔少數，故稱它為少數載流子，簡稱「少子」。 在本徵半導體硅（或鍺）中摻入少量的三價元素，如硼、鋁或銦等，就可以構成P型半導體。若在鍺晶體中摻入少量的硼原子如圖3所示，摻入的硼原子取代了某些鍺原子的位置。硼原子有三個價電子，當它與相鄰的鍺原子組成共價鍵時，缺少一個電子，產生一個空位，相鄰共價鍵內的電子，只需得到極小的外界能量，就可以掙脫共價鍵的束縛而填補到這個空位上去，從而產生一個可導電的空穴。由於三價雜質的原子很容易接受價電子，所以稱它為「受主雜質」。 硼的受主能級EA非常接近價帶頂EV,即受主電離能級EiA=EA-EV之值很小，受主能級幾乎全部被原價帶中的電子占據，受主雜質硼全部電離。受主雜質接受了一個電子後，成為一個帶負電荷的負離子。這個負離子固定在鍺晶格結構中不能移動，所以不參與導電。在常溫下，空穴數大大超過自由電子數，所以這類半導體主要由空穴導電，故稱為P型或空穴型半導體。P型半導體中，空穴為多數載流子，自由電子為少數載流子。 雜質半導體中，施主雜質和受主雜質要麼處於未離化的中性態，要麼電離成為離化態。以施主雜質為例，電子占據施主能級時是中性態，離化後成為正電中心。因為費米分布函數中一個能級可以容納自旋方向相反的兩個電子，而施主雜質能級上要麼被一個任意自旋方向的電子占據(中性態)，要麼沒有被電子占據(離化態)，這種情況下電子占據施主能級的幾率為 如果ED-EF>>k0T，則未電離施主濃度nD≈0，而電離施主濃度nD+≈ND，雜質幾乎全部電離。 如果費米能級EF與施主能級ED重合時，施主雜質有1/3電離，還有2/3沒有電離。 雜質半導體載流子濃度（n型） n型半導體中存在著帶負電的導帶電子(濃度為n0)、帶正電的價帶空穴(濃度為p0)和離化的施主雜質(濃度為nD+)，因此電中性條件為 一般求解此式是有困難的。 實驗表明，當滿足Si中摻雜濃度不太高並且所處的溫度高於100K左右的條件時，那麼雜質一般是全部離化的，這樣電中性條件可以寫成 一般Si平面三極體中摻雜濃度不低於5×1014cm-3，而室溫下Si的本徵載流子濃度ni為1.5×1010cm-3，也就是說在一個相當寬的溫度范圍內，本徵激發產生的ni與全部電離的施主濃度ND相比是可以忽略的。這一溫度范圍約為100～450K，稱為強電離區或飽和區，對應的電子濃度為 一般n型半導體的EF位於Ei之上Ec之下的禁帶中。 EF既與溫度有關，也與雜質濃度ND有關： 一定溫度下摻雜濃度越高，費米能級EF距導帶底Ec越近；如果摻雜一定，溫度越高EF距Ec越遠，也就是越趨向Ei。圖5是不同雜質濃度條件下Si中的EF與溫度關系曲線。 n型半導體中電離施主濃度和總施主雜質濃度兩者之比為 越小，雜質電離越多。所以摻雜濃度ND低、溫度高、雜質電離能ΔED低，雜質離化程度就高，也容易達到強電離，通常以I+=nD+/ND=90%作為強電離標准。經常所說的室溫下雜質全部電離其實忽略了摻雜濃度的限制。 雜質強電離後，如果溫度繼續升高，本徵激發也進一步增強，當ni可以與ND比擬時，本徵載流子濃度就不能忽略了，這樣的溫度區間稱為過渡區。 處在過渡區的半導體如果溫度再升高，本徵激發產生的ni就會遠大於雜質電離所提供的載流子濃度，此時，n0>>ND，p0>>ND，電中性條件是n0=p0，稱雜質半導體進入了高溫本徵激發區。在高溫本徵激發區，因為n0=p0，此時的EF接近Ei。 可見n型半導體的n0和EF是由溫度和摻雜情況決定的。 雜質濃度一定時，如果雜質強電離後繼續升高溫度，施主雜質對載流子的貢獻就基本不變了，但本徵激發產生的ni隨溫度的升高逐漸變得不可忽視，甚至起主導作用，而EF則隨溫度升高逐漸趨近Ei。 半導體器件和集成電路就正常工作在雜質全部離化而本徵激發產生的ni遠小於離化雜質濃度的強電離溫度區間。 在一定溫度條件下，EF位置由雜質濃度ND決定，隨著ND的增加，EF由本徵時的Ei逐漸向導帶底Ec移動。 n型半導體的EF位於Ei之上，EF位置不僅反映了半導體的導電類型，也反映了半導體的摻雜水平。 圖6是施主濃度為5×1014cm-3的n型Si中隨溫度的關系曲線。低溫段(100K以下)由於雜質不完全電離，n0隨著溫度的上升而增加；然後就達到了強電離區間，該區間n0=ND基本維持不變；溫度再升高，進入過渡區，ni不可忽視；如果溫度過高，本徵載流子濃度開始占據主導地位，雜質半導體呈現出本徵半導體的特性。 如果用nn0表示n型半導體中的多數載流子電子濃度，而pn0表示n型半導體中少數載流子空穴濃度，那麼n型半導體中 也就是說在器件正常工作的較寬溫度范圍內，隨溫度變化少子濃度發生顯著變化，因此依靠少子工作的半導體器件的溫度性能就會受到影響。對p型半導體的討論與上述類似。