物理氣相沉積為什麼要在真空環境中進行

『壹』 真空鍍膜原理是什麼

真空鍍膜原理：

1、物理氣相沉積技術是指在真空條件下，利用各種物理方法，將鍍料氣化成原子、分子或使其離化為離子，直接沉積到基體表面上的方法。

2、化學氣相沉積技術是把含有構成薄膜元素的單質氣體或化合物供給基體，藉助氣相作用或基體表面上的化學反應，在基體上制出金屬或化合物薄膜的方法，主要包括常壓化學氣相沉積、低壓化學氣相沉積和兼有CVD和PVD兩者特點的等離子化學氣相沉積等。

(1)物理氣相沉積為什麼要在真空環境中進行擴展閱讀：

真空鍍膜設備適用范圍：

1、建築五金：衛浴五金（如水龍頭）、門鎖、門拉手、衛浴、門鎖、五金合葉、傢具等。

2、製表業：可用於表殼、表帶的鍍膜、水晶製品。

3、其它小五金：皮革五金、不銹鋼餐具、眼鏡框、刀具、模具等。

4、大型工件：汽車輪轂、不銹鋼板、招牌、雕塑等。

5、不銹鋼管和板（各種類型表面）。

6、傢具、燈具、賓館用具。

7、鎖具、拉手、衛浴五金、高爾夫球頭、不銹鋼餐具、器血等五金製品鍍超硬裝飾膜。

8、手錶、表帶、眼鏡、首飾等裝飾品鍍超耐磨裝飾（金銀）納米膜和納米膜和納米疊層膜。

『貳』 物理氣相沉積塗覆工藝是什麼

物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition，PVD)技術表示在真空條件下，採用物理方法，將材料源——固體或液體表面氣化成氣態原子、分子或部分電離成離子，並通過低壓氣體(或等離子體)過程，在基體表面沉積具有某種特殊功能的薄膜的技術。 物理氣相沉積的主要方法有，真空蒸鍍、濺射鍍膜、電弧等離子體鍍、離子鍍膜，及分子束外延等。發展到目前，物理氣相沉積技術不僅可沉積金屬膜、合金膜、還可以沉積化合物、陶瓷、半導體、聚合物膜等。

『叄』 物理氣相沉積的詳述

(一)真空蒸鍍原理
(1) 真空蒸鍍是在真空條件下，將鍍料加熱並蒸發，使大量的原子、分子氣化並離開液體鍍料或離開固體鍍料表面(升華)。
(2)氣態的原子、分子在真空中經過很少的碰撞遷移到基體。
(3)鍍料原子、分子沉積在基體表面形成薄膜。
(二)蒸發源
將鍍料加熱到蒸發溫度並使之氣化，這種加熱裝置稱為蒸發源。最常用的蒸發源是電阻蒸發源和電子束蒸發源，特殊用途的蒸發源有高頻感應加熱、電弧加熱、輻射加熱、激光加熱蒸發源等。
(三)真空蒸鍍工藝實例 以塑料金屬化為例,真空蒸鍍工藝包括：鍍前處理、鍍膜及後處理。
真空蒸鍍的基本工藝過程如下：
(1)鍍前處理，包括清洗鍍件和預處理。具體清洗方法有清洗劑清洗、化學溶劑清洗、超聲波清洗和離子轟擊清洗等。具體預處理有除靜電，塗底漆等。
(2)裝爐，包括真空室清理及鍍件掛具的清洗，蒸發源安裝、調試、鍍件褂卡。
(3)抽真空，一般先粗抽至6．6Pa以上，更早打開擴散泵的前級維持真空泵，加熱擴散泵，待預熱足夠後，打開高閥，用擴散泵抽至6×10-3Pa半底真空度。
(4)烘烤，將鍍件烘烤加熱到所需溫度。
(5)離子轟擊，真空度一般在10Pa～10-1Pa，離子轟擊電壓200V～1kV負高壓，離擊時間為5min～30min,
(6)預熔，調整電流使鍍料預熔，除氣1min～2min。
(7)蒸發沉積，根據要求調整蒸發電流，直到所需沉積時間結束。
(8)冷卻，鍍件在真空室內冷卻到一定溫度。
(9)出爐，．取件後，關閉真空室，抽真空至l × l0-1Pa，擴散泵冷卻到允許溫度，才可關閉維持泵和冷卻水。
(10)後處理，塗面漆。 離子鍍技術最早在1963年由D．M．Mattox提出，1972年，Bunshah &Juntz推出活性反應蒸發離子鍍(AREIP)，沉積TiN,TiC等超硬膜，1972年Moley&Smith發展完善了空心熱陰極離子鍍，l973年又發展出射頻離子鍍(RFIP)。20世紀80年代，又發展出磁控濺射離子鍍(MSIP)和多弧離子鍍(MAIP)。
(一) 離子鍍
離子鍍的基本特點是採用某種方法(如電子束蒸發磁控濺射，或多弧蒸發離化等)使中性粒子電離成離子和電子，在基體上必須施加負偏壓，從而使離子對基體產生轟擊，適當降低負偏壓後，使離子進而沉積於基體成膜。 離子鍍的優點如下：①膜層和基體結合力強。②膜層均勻，緻密。③在負偏壓作用下繞鍍性好。④無污染。⑤多種基體材料均適合於離子鍍。
(二)反應性離子鍍
如果採用電子束蒸發源蒸發，在坩堝上方加20V～100V的正偏壓。在真空室中導人反應性氣體。如N2、O2、C2H2、CH4等代替Ar，或混入Ar，電子束中的高能電子(幾千至幾萬電子伏特)，不僅使鍍料熔化蒸發，而且能在熔化的鍍料表面激勵出二次電子，這些二次電子在上方正偏壓作用下加速，與鍍料蒸發中性粒子發生碰撞而電離成離子，在工件表面發生離化反應，從而獲得氧化物(如TeO2：SiO2、Al2O3、ZnO、SnO2、Cr2O3、ZrO2、InO2等)。其特點是沉積率高，工藝溫度低。
(三)多弧離子鍍
多弧離子鍍又稱作電弧離子鍍，由於在陰極上有多個弧斑持續呈現，故稱作「多弧」。多弧離子鍍的主要特點如下： (1)陰極電弧蒸發離化源可從固體陰極直接產生等離子體，而不產生熔池，所以可以任意方位布置，也可採用多個蒸發離化源。 (2)鍍料的離化率高，一般達60%～90%，顯著提高與基體的結合力改善膜層的性能。 (3)沉積速率高，改善鍍膜的效率。 (4)設備結構簡單，弧電源工作在低電壓大電流工況，工作較為安全。
英文指phisical vapor deposition 簡稱PVD.是鍍膜行業常用的術語.
PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類，真空蒸發鍍膜、真空濺射鍍和真空離子鍍膜。對應於PVD技術的三個分類，相應的真空鍍膜設備也就有真空蒸發鍍膜機、真空濺射鍍膜機和真空離子鍍膜機這三種。
近十多年來，真空離子鍍膜技術的發展是最快的，它已經成為當今最先進的表面處理方式之一。我們通常所說的PVD鍍膜 ，指的就是真空離子鍍膜；通常所說的PVD鍍膜機，指的也就是真空離子鍍膜機。
物理氣相沉積（PVD）
物理氣相沉積是通過蒸發，電離或濺射等過程，產生金屬粒子並與反應氣體反應形成化合物沉積在工件表面。物理氣象沉積方法有真空鍍，真空濺射和離子鍍三種，應用較廣的是離子鍍。
離子鍍是藉助於惰性氣體輝光放電，使鍍料（如金屬鈦）氣化蒸發離子化，離子經電場加速，以較高能量轟擊工件表面，此時如通入CO2，N2等反應氣體，便可在工件表面獲得TiC,TiN覆蓋層，硬度高達2000HV。離子鍍的重要特點是沉積溫度只有500℃左右，且覆蓋層附著力強，適用於高速鋼工具，熱鍛模等。

『肆』 什麼是真空沉積技術

是真空鍍膜。真空氣相沉積是利用熱蒸發或輝光放電、弧光放電等物理過程，在基材表面沉積所需塗層的技術。它包括真空蒸發鍍膜、離子鍍膜和濺射。
另外，引入反應氣體
(
O2,
N2,
CH4,
B2H6,
H2S,
…)可以在低溫條件下生成氧化物，氮化物，碳化物，硼化物等化合物
。
PEMSTM
技術
本公司應用PEMSTM（等離子體增強磁控濺射）技術進行真空沉積。它相對於傳統的真空沉積技術既可以獲得高密度、高結合力的塗層，又能在低溫下進行處理，從而不影響零件的基體性能。
此技術尤其適應於建立降低摩擦系系數和抗磨損性的超硬金屬陶瓷沉積層。
採用陰極弧方式沉積的塗層表面
採用PEMSTM技術沉積的塗層表面
主要優點有：
被處理材料范圍很廣（金屬，陶瓷，聚合物，玻璃）；
塗層均勻，成分精確；
一機多用，可在多種模式下運行：
-PVD
(物理氣相沉積)
形式
-PECVD（等離子體增強化學氣相沉積）形式
-建立復合沉積層（例如：TiN+DLC）
操作簡單，電腦全自動控制沉積過程，穩定性好；
工藝靈活，根據客戶具體要求，方便的對准程序進行調整，優化沉積層質量.；
沉積前，在爐內自動對零件和靶材同時進行清洗，以保證得到高結合力和成份准確的沉積層。
塗層
塗層
硬度（HV）
減少摩擦的程度
抗熱氧化
顏色
CERTESSTM
X
**
**
**
CERTESSTM
N
*
*
***
CERTESSTM
Ti
**
*
**
CERTESSTM
SD
****
**
***
CERTESSTM
C
***
*
**
CERTESSTM
T
**
*
****
CERTESSTM
DLC
*
****
*
用*號多少表示程度高低
優點
與其他鍍層或表面處理方法相比，真空氣相沉積具有以下特點：
鍍層材料廣泛，可以各種金屬、合金、氧化物、氮化物、碳化物等化合物鍍層，也可以鍍金屬、化合物的多層和復合層；
鍍層結合力強；工藝溫度低，工件一般無受熱變形或材料變質的問題；鍍層成分准確、組織緻密；
工藝過程由電參數控制，易於控制、調節；
對環境無污染。
應用
機械摩擦件:
汽車：活塞、活塞環、軸、氣門搖臂、噴油器、挺桿
液壓機械：進氣閥、閘門旋塞
醫療器械：人造骨膜、手術器械
紡織：線導套
其他：滑輪、滑閥、軸承、齒輪、支架
精密機械零件
工具：
各種材料的壓印、沖壓模具
研磨材料的切割刀具
塑料的壓注和模壓成型的擠壓模具
機械加工（鑽孔、銑削、攻絲
、車削…）刀具

『伍』 什麼是真空氣相沉積晶體

定義
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發展起來的一種新型氣相外延生長技術。
縮寫
Metal-organic Chemical Vapor Deposition （金屬有機化合物化學氣相沉澱。
原理
MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統中的晶體生長都是在常壓或低壓(10-100Torr)下通H2的冷壁石英(不銹鋼)反應室中進行，襯底溫度為500-1200℃,用射頻感應加熱石墨基座(襯底基片在石墨基座上方),H2通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機物到生長區。
編輯本段概況
系統組成
因為MOCVD生長使用的源是易燃、易爆、毒性很大的物質，並且要生長多組分、大面積、薄層和超薄層異質材料。因此在MOCVD系統的設計思想上，通常要考慮系統密封性，流量、溫度控制要精確，組分變換要迅速，系統要緊湊等。不同廠家和研究者所產生或組裝的MOCVD設備是不同的。 一般由 源供給系統 、氣體輸運和流量控制系統、反應室及溫度控制系統、尾氣處理及安全防護報警系統、自動操作及電控系統。 【源供給系統】 包括Ⅲ族金屬有機化合物、V族氫化物及摻雜源的供給。金屬有機化合物裝在特製的不銹剛的鼓泡器中，由通入的高純H2攜帶輸運到反應室。為了保證金屬有機化合物有恆定的蒸汽壓，源瓶置入電子恆溫器中，溫度控制精度可達0.2℃以下。氫化物一般是經高純H2稀釋到濃度5%一10%後，裝入鋼瓶中，使用時再用高純H2稀釋到所需濃度後，輸運到反應室。摻雜源有兩類，一類是金屬有機化合物，另一類是氫化物，其輸運方法分別與金屬有機化合物源和氫化物源的輸運相同。 【氣體輸運系統】 氣體的輸運管都是不銹鋼管道。為了防止存儲效應，管內進行了電解拋光。管道的接頭用氫弧焊或VCR及Swagelok方式連接，並進行正壓檢漏及Snoop液體或He泄漏檢測，保證反應系統無泄漏是MOCVD設備組裝的關鍵之一。流量是由不同量程、響應時間快、精度高的質量流量計和電磁閥、氣動閥等來實現。在 真空系統與反應室之間設有過濾器，以防油污或其它顆粒倒吸到反應室中。為了迅速變化反應室內的反應氣體，而且不引起反應室內壓力的變化，設置「run」和「vent，，管道。 【反應室和加熱系統】 反應室是由石英管和石墨基座組成。為了生長組分均勻、超薄層、異質結構的化合物半導體材料，各生產廠家和研究者在反應室結構的設計上下了很大功夫，設計出了不同結構的反應室。石墨基座是由高純石墨製成，並包裹SIC層。加熱多採用高頻感應加熱，少數是輻射加熱。由熱電偶和溫度控制器來控制溫度，一般溫度控制精度可達到0.2℃或更低。 【尾氣處理系統】 反應氣體經反應室後大部分熱分解，但還有部分尚未完全分解，因此尾氣不能直接排放到大氣中，必須先進行處理，處理方法主要有高溫熱解爐再一次熱分解，再用硅油或高錳酸鉀溶液處理;也可以把尾氣直接通入裝有H2SO4+H2O及裝有NaOH溶液的吸濾瓶處理;也有的把尾氣通入固體吸附劑中吸附處理，以及用水淋洗尾氣等。 【安全保護及報警系統】 為了安全，一般的MOCVD系統還備有高純從旁路系統，在斷電或其它原因引起的不能正常工作時，通入純N2保護生長的片子或系統內的清潔。在停止生長期間也有常通高純N2保護系統。 【手動和自動控制系統】 一般MOCVD設備都具有手動和微機自動控制操作兩種功能。在控制系統面板上設有閥門開關、各個管路氣體流量、溫度的設定及數字顯示，如有問題會自動報警，是操作者能及時了解設備運轉的情況。此外，MOCVD設備一般都設在具有強排風的工作室內。
優點
1 適用范圍廣泛，幾乎可以生長所有化合物及合金半導體; 2 非常適合於生長各種異質結構材料; 3 可以生長超薄外延層，並能獲得很陡的界面過渡; 4 生長易於控制; 5 可以生長純度很高的材料; 6 外延層大面積均勻性良好; 7 可以進行大規模生產。
目前全球及國內的MOCVD系統
隨著化合物半導體器件(如 GaAs MMIC、 InP MMIC以及GaN藍光LED)市場的不斷擴大，MOCVD系統的需求量不斷增長。目前國際上實力最為雄厚的MOCVD系統製造商有:德國Aixtron公司、美國的Emcore公司（其MOCVD已被Veeco兼並）、英國的Thomass~(1999年被Aixtron兼並)等。因為MOCVD系統最關鍵的問題就是保證材料生長的均勻性和重復性，因此不同廠家的MOCVD系統最主要的區別在於反應室結構。Aixtron採用行星反應(Planetary Reactor)，Emcore採用TurboDisc反應室(該業務己出售給Veeco公司)、Thomas Swan(該公司於2003年2月份被Aixtron兼並)採用 Closed Coupled Showerhead(CCS)反應室。 目前國內擁有的進口MOCVD系統200台左右，其中 Aixtron MOCVD系統和Emcore MOCVD系統占絕大多數，有少量的 Thomas Swan MOCVD系統、法國ASM MOCVD系統和日本RIPPON SANSO MOCVD系統，主要用於GaN LD/LED的研究和製造。

『陸』 氣相沉澱是什麼

氣相沉積法
化學氣相沉積(CVD)是半導體工業中應用最為廣泛的用來沉積多種材料的技術，包括大范圍的絕緣材料，大多數金屬材料和金屬合金材料。從理論上來說，它是很簡單的：兩種或兩種以上的氣態原材料導入到一個反應室內，然後他們相互之間發生化學反應，形成一種新的材料，沉積到晶片表面上。淀積氮化硅膜(Si3N4)就是一個很好的例子，它是由硅烷和氮反應形成的。
然而，實際上， 反應室中的反應是很復雜的，有很多必須考慮的因素，沉積參數的變化范圍是很寬的：反應室內的壓力、晶片的溫度、氣體的流動速率、氣體通過晶片的路程(如圖所示)、氣體的化學成份、一種氣體相對於另一種氣體的比率、反應的中間產品起的作用、以及是否需要其它反應室外的外部能量來源加速或誘發想得到的反應等。額外能量來源諸如等離子體能量，當然會產生一整套新變數，如離子與中性氣流的比率，離子能和晶片上的射頻偏壓等。
然後，考慮沉積薄膜中的變數：如在整個晶片內厚度的均勻性和在圖形上的覆蓋特性(後者指跨圖形台階的覆蓋)，薄膜的化學配比(化學成份和分布狀態)，結晶晶向和缺陷密度等。當然，沉積速率也是一個重要的因素，因為它決定著反應室的產出量，高的沉積速率常常要和薄膜的高質量折中考慮。反應生成的膜不僅會沉積在晶片上，也會沉積在反應室的其他部件上，對反應室進行清洗的次數和徹底程度也是很重要的。
化學家和物理學家花了很多時間來考慮怎樣才能得到高質量的沉積薄膜。他們已得到的結論認為：在晶片表面的化學反應首先應是形成「成核點」，然後從這些「成核點」處生長得到薄膜，這樣淀積出來的薄膜質量較好。另一種結論認為，在反應室內的某處形成反應的中間產物，這一中間產物滴落在晶片上後再從這一中間產物上淀積成薄膜，這種薄膜常常是一種劣質薄膜。
CVD技術常常通過反應類型或者壓力來分類，包括低壓CVD(LPCVD)，常壓CVD(APCVD)，亞常壓CVD(SACVD)，超高真空CVD(UHCVD)，等離子體增強CVD(PECVD)，高密度等離子體CVD(HDPCVD)以及快熱CVD(RTCVD)。然後，還有金屬有機物CVD(MOCVD)，根據金屬源的自特性來保證它的分類，這些金屬的典型狀態是液態，在導入容器之前必須先將它氣化。不過，容易引起混淆的是，有些人會把MOCVD認為是有機金屬CVD(OMCVD)。
過去，對LPCVD和APCVD最常使用的反應室是一個簡單的管式爐結構，即使在今天，管式爐也還被廣泛地應用於沉積諸如Si3N4 和二氧化硅之類的基礎薄膜(氧氣中有硅元素存在將會最終形成為高質量的SiO2，但這會大量消耗硅元素；通過硅烷和氧氣反應也可能沉積出SiO2 -兩種方法均可以在管式爐中進行)。
而且，最近，單片淀積工藝推動並導致產生了新的CVD反應室結構。這些新的結構中絕大多數都使用了等離子體，其中一部分是為了加快反應過程，也有一些系統外加一個按鈕，以控制淀積膜的質量。在PECVD和HDPCVD系統中有些方面還特別令人感興趣是通過調節能量，偏壓以及其它參數，可以同時有沉積和蝕刻反應的功能。通過調整淀積：蝕刻比率，有可能得到一個很好的縫隙填充工藝。
對許多金屬和金屬合金一個有趣的爭論就是，他們是通過物理氣相沉積(PVD)還是通過化學氣相沉積(CVD)能得到最好的沉積效果。盡管CVD比PVD有更好的台階覆蓋特性，但目前諸如銅的子晶層和鉭氮擴散層薄膜都是通過PVD來沉積的，因為現有的大量裝置都是基於PVD系統的，工程技術人員對PVD方法也有較高的熟練程度。一些人建議，既然台階覆蓋特性越來越重要(尤其是在通孔邊牆覆蓋)，CVD方法將成為必不可少的技術。相似的爭論也存在於產生低k值介質材料方面：是使用CVD方法好還是採用旋塗工藝好？
在化學氣相沉積中，決定晶圓間薄膜均勻性的重要參數之一是晶圓間的氣體是如何流動的。上圖所示是Novellus概念下Three ALTUS系統中，一個晶圓及其基座上的SiH4集中度和鎢沉積率的典型路徑圖。
氣相法是直接利用氣體，或者通過各種手段將物質轉變為氣體，使之在氣體狀態下發生物理變化或者化學反應，最後在冷卻過程中凝聚長大形成納米粒子的方法。用該法可制備純度高、顆粒分散性好、粒徑分布窄、粒徑小的納米陶瓷粉體。氣相法又可分為氣體中蒸發法、化學氣相反應法、濺射源法、流動油麵上真空沉積法和金屬蒸汽合成法。
沉澱法又分為直接沉澱法、共沉澱法和均勻沉澱法等，都是利用生成沉澱的液相反應來製取。共沉澱法可在制備過程中完成反應及摻雜過程，因此較多地應用於電子陶瓷的制備。BaTiO3是一種重要的電子陶瓷材料，具有高介電常數和優異的鐵電和壓電性能。用TiCl4,H2O2和BaCl2以共沉澱法制備過氧化鈦前驅體，經無水乙醇分散脫水，熱分解制備出顆粒直徑小於30 nm的BaTi03納米晶[3]。

化學氣相沉積
定義
化學氣相沉積(Chemical vapor deposition，簡稱CVD)是反應物質在氣態條件下發生化學反應，生成固態物質沉積在加熱的固態基體表面，進而製得固體材料的工藝技術。它本質上屬於原子范疇的氣態傳質過程。與之相對的是物理氣相沉積（PVD）。
應用
現代科學和技術需要使用大量功能各異的無機新材料，這些功能材料必須是高純的，或者是在高純材料中有意地摻人某種雜質形成的摻雜材料。但是，我們過去所熟悉的許多制備方法如高溫熔煉、水溶液中沉澱和結晶等往往難以滿足這些要求，也難以保證得到高純度的產品。因此，無機新材料的合成就成為現代材料科學中的主要課題。
化學氣相淀積是近幾十年發展起來的制備無機材料的新技術。化學氣相淀積法已經廣泛用於提純物質、研製新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態天機薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過氣相摻雜的淀積過程精確控制。目前，化學氣相淀積已成為無機合成化學的一個新領域。
特點
1)在中溫或高溫下，通過氣態的初始化合物之間的氣相化學反應而形成固體物質沉積在基體上。
2)可以在常壓或者真空條件下(負壓「進行沉積、通常真空沉積膜層質量較好)。
3)採用等離子和激光輔助技術可以顯著地促進化學反應，使沉積可在較低的溫度下進行。
4)塗層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。
5)可以控制塗層的密度和塗層純度。
6)繞鍍件好。可在復雜形狀的基體上以及顆粒材料上鍍膜。適合塗覆各種復雜形狀的工件。由於它的繞鍍性能好，所以可塗覆帶有槽、溝、孔，甚至是盲孔的工件。
7)沉積層通常具有柱狀晶體結構，不耐彎曲，但可通過各種技術對化學反應進行氣相擾動，以改善其結構。
8)可以通過各種反應形成多種金屬、合金、陶瓷和化合物塗層。

『柒』 電子束蒸發是一種物理氣相沉積 (PVD)技術，他的優缺點是什麼

電子束蒸發是一種物理氣相沉積 (PVD)技術,它在真空下利用電子束直接加熱蒸發材料(通常是顆粒),並將蒸發的材料輸送到基板上形成一個薄膜.電子束蒸鍍可以鍍出高純度、高精度的薄膜.
電子束蒸發應用
電子束蒸發因其高沉積速率和高材料利用效率而被廣泛應用於各種應用中.例如,高性能航空航天和汽車行業,對材料的耐高溫和耐磨性有很高的要求;耐用的工具硬塗層;和化學屏障和塗層,以保護腐蝕環境中的表面.電子束蒸發也用於光學薄膜,包括激光光學、太陽能電池板、玻璃和建築玻璃,以賦予它們所需的導電、反射和透射特性.
電子束蒸發優點和缺點
電子束蒸發可以蒸發高熔點材料,比一般電阻加熱蒸發效率更高.電子束蒸發可廣泛用於高純薄膜和導電玻璃等光學鍍膜.它還具有用於航空航天工業的耐磨和熱障塗層、切削和工具工業的硬塗層的潛在工業應用.然而,電子束蒸發不能用於塗覆復雜幾何形狀的內表面.此外,電子槍中的燈絲退化可能導致蒸發速率不均勻.

『捌』 什麼是PVD

PVD是英文Physical Vapor Deposition的縮寫,中文意思是「物理氣相沉積」,是指在真空條件下,用物理的方法使材料沉積在被鍍工件上的薄膜制備技術。 2. PVD鍍膜和PVD鍍膜機 — PVD(物理氣相沉積)鍍膜技術主要分為三類, (有離子鍍、磁控濺射鍍、蒸發鍍)

真空蒸鍍法是在高度真空條件下加熱金屬，使其熔融、蒸發，冷卻後在塑料表面形成金屬薄膜的方法。常用的金屬是鋁等低熔點金屬。
加熱金屬的方法：有利用電阻產生的熱能，也有利用電子束的。
在對塑料製品實施蒸鍍時，為了確保金屬冷卻時所散發出的熱量不使樹脂變形，必須對蒸鍍時間進行調整。此外，熔點、沸點太高的金屬或合金不適合於蒸鍍。

置待鍍金屬和被鍍塑料製品於真空室內，採用一定方法加熱待鍍材料，使金屬蒸發或升華，金屬蒸汽遇到冷的塑料製品表面凝聚成金屬薄膜。
在真空條件下可減少蒸發材料的原子、分子在飛向塑料製品過程中和其他分子的碰撞，減少氣體中的活性分子和蒸發源材料間的化學反應（如氧化等），從而提供膜層的緻密度、純度、沉積速率和與附著力。通常真空蒸鍍要求成膜室內壓力等於或低於10-2Pa，對於蒸發源與被鍍製品和薄膜質量要求很高的場合，則要求壓力更低（ 10-5Pa ）。
鍍層厚度0.04-0.1um,太薄，反射率低；太厚，附著力差，易脫落。厚度0.04時反射率為90%

『玖』 如何在塑料上鍍上一層金屬

摘要 物理氣相沉積（PVD）

『拾』 PVD真空鍍膜原理是什麼

PVD即物理氣相沉積，是當前國際上廣泛應用的先進的表面處理技術。其工作原理就是在真空條件下，利用氣體放電使氣體或被蒸發物質部分離化，在氣體離子或被蒸發物質離子轟擊作用的同時把蒸發物或其反應物沉積在基材上。它具有沉積速度快和表面清潔的特點，特別具有膜層附著力強、繞性好、可鍍材料廣泛等優點。 採用全球先進的磁控濺射離子鍍膜和多弧離子鍍膜工藝設備，及在此基礎之上與國際專家的工藝創新。憑借在裝飾鍍行業十多年的寶貴經驗，為客戶提供最適合的塗層加工方案。
PVD鍍膜的屬性
•金屬外觀 顏色均勻一致 耐久的表面，在各種基本的空氣和直射陽光環境條件下永久保持良好外觀。顏色深韻、光亮。
•經濟，可減少清洗和擦亮電鍍黃銅或金色所必須的時間和成本。使用一塊軟布和玻璃清潔劑即可清潔干凈PVD膜層。
•對環境無害，避免化學中毒和VOC的散發。
•具生物兼容性。
PVD鍍膜特性
•卓越的附著力，可以折彎90度以上不發生裂化或者剝落（PVD鍍膜持有很高附著力和耐久力）。其它的技術，包括電鍍，噴塗都不能與其相比。
•可以蝕刻出任何能夠想像出的設計圖案。
•可以使用在內裝修或者室外。
•真空鍍膜，抗氧化，抗腐蝕。耐腐蝕，化學性能穩定，抗酸。手機外殼PVD鍍膜抵抗力。
•鍍膜外殼容易清除油漆和指紋。
•在強烈的陽光，鹹的濕地和城市環境下，都不失去光澤，不氧化，不褪色，不脫落和爆裂。高度耐磨損，耐刮擦，不易劃傷。可鍍材料廣泛，與基體結合力強。
PVD 裝飾塗層顏色系列
PVD可以在不銹鋼、銅、鈦 鋅鋁合金等金屬上鍍制CrN. TiN. TiAlCN. TiCN. TiAlN。金色、黃銅色、玫瑰金色、銀白色、黑色、煙灰色、紫銅色、棕色、紫色、藍色、酒紅色、古銅色等顏色，並能根據您的要求提供所需的顏色及質量。還可在塑料產品上鍍制EMI膜 半透膜 透明膜 不導電膜。
PVD應用范圍
PVD技術廣泛應用於電子產品 門窗五金、廚衛五金、燈具、海上用品、首飾、工藝品，及其它裝飾性製品的加工製造。
如今PVD在日用五金領域已相當普及，許多世界領先的五金製造商都已開始PVD產品的開發和大批量生產。PVD豐富的色彩使其非常容易搭配，優異的抗惡劣環境，以及易清洗、不褪色的性能使其深受消費者喜愛。特別是銅色系列塗層，被全世界廣泛採用，並用來代替銅及鍍銅製品。