遷移率的物理含義是什麼意思

『壹』 總遷移率的名詞解釋

某地區的總遷移率是指某地區遷出人口加上遷出人口除以年平均人口，
總遷移率=（遷出人口+遷入人口）/（（年出人口+年末人口）/2）。
例，某地區2020年1月1日總人口為100萬人，遷出人口為10萬人，遷入人口為20萬人，2021年1月1日總人口為110萬人，則總遷移率為（10+20）/105

『貳』 載流子遷移率的概念

電子運動速度等於遷移率乘以電場強度 ，也就是說相同的電場強度下，載流子遷移率越大，運動得越快；遷移率小，運動得慢。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，低摻雜硅材料中，電子的遷移率為1350(很明顯用公式排版不好看，建議網路改進)，而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。
遷移率主要影響到晶體管的兩個性能：
一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構。
二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關轉換速度。
一般來說P型半導體的遷移率是N型半導體的1/3到1/2.。

『叄』 機械遷移率的定義是什麼

非均相混合物的特點是體系內包含一個以上的相,相界面兩側物質的性質完全不同,如由固體顆粒與液體構成的懸浮液,由固體顆粒與氣體構成的含塵氣體等.這類混合物的分離就是將不同的相分開,通常採用機械的方法.

『肆』 離子遷移率的離子遷移率

離子在電場作用下的運動稱為電遷移，它的存在是電解質溶液導電的必要條件。
某種離子在一定的溶劑中，當電位梯度為每米1伏特時的遷移速率稱為此種離子的淌度，單位是米2·秒-1·伏特-1。離子淌度是代表離子遷移速率特徵的物理量。離子遷移率主要取決於溶液中陰、陽離子的運動速度，故凡是能影響離子運動速度的因素均有可能影響離子遷移率。而離子在電場中的運動速度除了與離子本性及溶劑性質有關外，還與溫度、濃度及電場強度等因素有關。

『伍』 載流子的遷移率和濃度的單位分別是什麼

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。 遷移率主要影響到晶體管的兩個性能： 一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構. 二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關形影速度。
參考資料：http://www.ice.net/Article/xinpian/zdq/200707/6664.html

『陸』 電泳遷移率的含義是指

在實際操作中，為了不考慮不同電壓對電泳速度的影響，我們常用遷移率（ move rate,M ）來表示帶電顆粒的電泳特性，遷移率指帶電顆粒在單位電場強度下的電泳速度，帶電顆粒的凈電荷越多，分子顆粒越小，在電場中的遷移率就越快；反之越慢

『柒』 遷移率計算公式

遷移率計算公式：μ=L2/（tTR×V）L。遷移率（mobility）是指單位電場強度下所產生的載流子平均漂移速度。它的單位是厘米2/（伏·秒）。遷移率代表了載流子導電能力的大小，它和載流子（電子或空穴）濃度決定了半導體的電導率。
電場強度是用來表示電場的強弱和方向的物理量。實驗表明，在電場中某一點，試探點電荷（正電荷）在該點所受電場力與其所帶電荷的比值是一個與試探點電荷無關的量。於是以試探點電荷（正電荷）在該點所受電場力的方向為電場方向，以前述比值為大小的矢量定義為該點的電場強度，常用E表示。

『捌』 載流子遷移率的單位是什麼

c㎡/v·s，載流子遷移率在固體物理學中用於指代半導體內部電子和空穴整體的運動快慢。

電子運動速度等於遷移率乘以電場強度，也就是說相同的電場強度下，載流子遷移率越大，運動得越快；遷移率小，運動得慢。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率硅中載流子遷移率隨摻雜濃度的變化曲線不同，一般是電子的遷移率高於空穴。

(8)遷移率的物理含義是什麼意思擴展閱讀：

遷移率決定半導體材料的電導率，影響器件的工作速度。對於載流子遷移率已有諸多文章對載流子遷移率的重要性進行了研究 。

遷移率的相關概念在半導體材料中，由某種原因產生的載流子處於無規則的熱運動，當外加電壓時，導體內部的載流子受到電場力作用，做定向運動形成電流，即漂移電流，定向運動的速度成為漂移速度，方向由載流子類型決定。在電場下，載流子的平均漂移速度v 與電場強度E 成正比。

『玖』 什麼是載流子的遷移率

遷移率是指載流子（電子和空穴）在單位電場作用下的平均漂移速度，即載流子在電場作用下運動速度的快慢的量度，運動得越快，遷移率越大；運動得慢，遷移率小。同一種半導體材料中，載流子類型不同，遷移率不同，一般是電子的遷移率高於空穴。如室溫下，輕參雜硅材料中，電子的遷移率為1350cm^2/（VS），而空穴的遷移率僅為480cm^2/(VS)。 遷移率主要影響到晶體管的兩個性能： 一是載流子濃度一起決定半導體材料的電導率（電阻率的倒數）的大小。遷移率越大，電阻率越小，通過相同電流時，功耗越小，電流承載能力越大。由於電子的遷移率一般高於空穴的遷移率，因此，功率型MOSFET通常總是採用電子作為載流子的n溝道結構，而不採用空穴作為載流子的p溝道結構. 二是影響器件的工作頻率。雙極晶體管頻率響應特性最主要的限制是少數載流子渡越基區的時間。遷移率越大，需要的渡越時間越短，晶體管的截止頻率與基區材料的載流子遷移率成正比，因此提高載流子遷移率，可以降低功耗，提高器件的電流承載能力，同時，提高晶體管的開關形影速度。

『拾』 原子遷移率的准確定義

Phase separation causes to one phase in two liquid phases have compared to the
mother phase obvious big atom mobility urges the system to be even nucleation.
There are some indefinite factors between phase separation and crystallizations.相分離導致兩液相中的一相具有比母相明顯大原子遷移率來促使系統均勻成核,相分離和結晶之間也存在著一些不確定的因素。