㈠ 少子壽命的概念是什麼
對於p型矽片,少子就是電子,所謂少子壽命就是當一定波長的光照射矽片後,矽片內就會出現電子-空穴對的分離,作為少數載流子的電子由於數量較少,在擴散過程中就會逐漸被復合掉,從產生到復合的時間即為少子壽命,一般單位為us(微秒)。
㈡ 直拉單晶生產中的少子壽命是什麼
少子壽命是硅晶中少數載流子從產生到復合所需要的時間。它是用來判定單晶硅完美性的重要指標之一。它主要跟單晶硅的純度和缺陷有關,特別是重金屬雜質。少子壽命越高,硅晶電池的轉換效率也要高。所以,在單晶硅的生產中,要盡量提高少子壽命,使用純度高的多晶硅原料,減少生產過程中的污染等。
㈢ 想知道少子壽命的具體含義和計算方法
隨便找本半導體的入門書都有這個的...
簡單來說.本徵半導體有2種摻雜方式.
即P型半導體和N型半導體.
P型中的少子為電子.
電子周圍有大量的空穴存在(空穴為多子)
物質的熱運動很容易使少子被復合.少子的"存活"時間就是單個少子的壽命.
由於這種復合是大量少子的行為,必須用統計力學的概念來描述這種"寸活"時間..這就是少子壽命的概念.
估計它的速度和不會遇到多子的最長距離.就可以得出其少子壽命.
㈣ 少子壽命的概念是什麼 關於多晶硅的
對於p型矽片,少子就是電子,所謂少子壽命就是當一定波長的光照射矽片後,矽片內就會出現電子-空穴對的分離,作為少數載流子的電子由於數量較少,在擴散過程中就會逐漸被復合掉,從產生到復合的時間即為少子壽命,一般單位為us(微秒).
㈤ 少子壽命測試儀,所測的"少子"在物理學上是什麼定義
少子,即少數載流子,是半導體物理的概念。 它相對於多子而言。
半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子佔少數,導電中起到次要作用,則稱它為少子。如,在 N型半導體中,空穴是少數載流子,電子是多數載流子;在P型半導體中,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。
多子和少子的形成:五價元素的原子有五個價電子,當它頂替晶格中的四價硅原子時,每個五價元素原子中的四個價電子與周圍四個硅原子以共價鍵形式相結合,而餘下的一個就不受共價鍵束縛,它在室溫時所獲得的熱能足以便它掙脫原子核的吸引而變成自由電子。出於該電子不是共價鍵中的價電子,因而不會同時產生空穴。而對於每個五價元素原子,盡管它釋放出一個自由電子後變成帶一個電子電荷量的正離子,但它束縛在晶格中,不能象載流子那樣起導電作用。這樣,與本徵激發濃度相比,N型半導體中自由電子濃度大大增加了,而空穴因與自由電子相遇而復合的機會增大,其濃度反而更小了。
少子濃度主要由本徵激發決定,所以受溫度影響較大。
㈥ 少子壽命的介紹
少子壽命是半導體材料和器件的重要參數。它直接反映了材料的質量和器件特性。能夠准確的得到這個參數,對於半導體器件製造具有重要意義。
㈦ 少子壽命的基本信息
少子壽命指少子的平均生存時間,壽命標志少子濃度減少到原值的1/e所經歷的時間。對太陽能電池來說,少子壽命越短,電池效率越低。
少子,即少數載流子,是半導體物理的概念。 它相對於多子而言。
半導體材料中有電子和空穴兩種載流子。如果在半導體材料中某種載流子佔少數,導電中起到次要作用,則稱它為少子。如,在N型半導體中,空穴是少數載流子,電子是多數載流子;在P型半導體中,空穴是多數載流子,電子是少數載流子。
㈧ 什麼是少子壽命
少子壽命就是少子的平均生存時間!壽命標志著少子濃度減少到原值的1/e所經歷的時間~~有個公式的,具體參考《半導體物理學》劉恩科---國防工業出版社P118,式5-7
㈨ 單晶矽片的少子壽命和多晶矽片的少子壽命
um(微米)是長度單位,是指少子的擴散長度;少子壽命的單位是us(微秒)
少子擴散長度和少子壽命基本上是等同的,一個是指能「跑多遠」,一個是指能「活多久」,表述不同而已
少子壽命是越大越好,就目前的太陽能級硅來說能有5us已經不錯了,如果太低(如小於1us)將嚴重影響電池效率。現在太陽能企業要求越來越高,多晶要求大於2,單晶要求大於10。
處於熱平衡狀態下的半導體,在一定溫度下,載流子的濃度是一定的,稱為平衡載流子濃度, 如果對半導體施加外界作用,破壞了熱平衡的條件,稱為非平衡狀態。比平衡狀態多出來的這部分載流子稱為非平衡載流子。非平衡載流子分為非平衡多數載流子和非平衡少數載流子, 對於n型半導體材料,多出來的電子就是非平衡多數載流子,空穴則是非平衡少數載流子。對p型半導體材料則相反, 產生非平衡載流子的外界作用撤除以後,它們要逐漸衰減以致消失,最後載流子濃度恢復到平衡時的值, 非平衡少數載流子的平均生存時間稱為非平衡少數載流子的壽命,簡稱少子壽命。
㈩ 什麼是單晶硅的少子壽命
少子 准確來說就是 載流子 但是在PN 結裡面分為P型N型 在P型裡面多子是空穴少子是電子 在N 型裡面多子電子少子空穴.
少子壽命就是少數載流子受激發從產生到復合的時間!單位微秒!