離子束加工的物理基礎是什麼

㈠ 離子束加工的分類

1.離子蝕刻或離子銑削：Ar離子傾斜轟擊工件，使工件表面原子逐個剝離。
2.離子濺射沉積：Ar離子傾斜轟擊某種材料的靶，靶材原子被擊出後沉澱在靶材附近的工件上，使之表面鍍上一層薄膜。
3.離子鍍或離子濺射輔助沉積：它和離子濺射沉積的區別在於同時轟擊靶材和工件，目的是為了增強膜材與工件基材之間的結合力。
4.離子注入：較高能量的離子束直接轟擊被加工材料，使工件表面層含有注入離子，改變了工件表面的化學成分，從而改變了工件表面層的物理、力學和化學性能，滿足特殊領域的要求。

㈡ 激光加工，電子束和離子束加工在原理上有何異同各有何特點

1、加工原理不同。電子束和離子束的加工原理相似，都是發生碰撞效應和注入效應，從而實現加工，而激光加工是熱效應的原理。

2、加工裝置不同。電子束和離子束相似，都是通過電子槍裝置將電子和離子打出從而對材料進行加工，而激光器是由激光器、電源等組成，與電子和離子不同。

3、加工范圍不同。電子束加工范圍一般適用於表面，離子束加工作用於材料的內部，而激光加工則適用范圍較廣，應用廣。

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激光加工技術主要有以下獨特的優點：

1、使用激光加工，生產效率高，質量可靠，經濟效益。

2、可以通過透明介質對密閉容器內的工件進行各種加工；在惡劣環境或其他人難以接近的地方，可用機器人進行激光加工。

3、激光加工過程中無「刀具」磨損，無「切削力」作用於工件。

4、可以對多種金屬、非金屬加工，特別是可以加工高硬度、高脆性及高熔點的材料。

5、激光束易於導向、聚焦實現作各方向變換，極易與數控系統配合、對復雜工件進行加工，因此它是一種極為靈活的加工方法。

6、無接觸加工，對工件無直接沖擊，因此無機械變形，並且高能量激光束的能量及其移動速度均可調，因此可以實現多種加工的目的。

7、激光加工過程中，激光束能量密度高，加工速度快，並且是局部加工，對非激光照射部位沒有或影響極小，因此，其熱影響區小，工件熱變形小，後續加工量小。

㈢ 離子束加工的特點

1.是一 種精密微細的加工方法。
2.非接觸式加工，不會產生應力和變形。
3.加工速度很快，能量使用率可高達90%。
4.加工過程可自動化。
5.在真空腔中進行，污染少，材料加工表面不氧化。
6.電子束加工需要一整套專用設備和真空系統，價格較貴。
離子束加工的基本原理
離子束加工是在真空條件下，先由電子槍產生電子束，再引入已抽成真空且充滿惰性氣體之電離室中，使低壓惰性氣體離子化。由負極引出陽離子又經加速、集束等步驟，獲得具有一定速度的離子投射到材料表面，產生濺射效應和注入效應。由於離子帶正電荷，其質量比電子大數千、數萬倍，所以離子束比電子束具有更大的撞擊動能，是靠微觀的機械撞擊能量來加工的。
離子束工主要特點如下：
1.加工的精度非常高。
2.污染少。
3.加工應力、熱變形等極小、加工精度高。
4.離子束加工設備費用高、成本貴、加工效率低。
離子束加工的分類
離子束加工依其目的可以分為蝕刻及鍍膜兩種。
蝕刻又可在分為濺散蝕刻和離子蝕刻兩種。
離子在電漿產生室中即對工件進行撞擊蝕刻，為濺散蝕刻。
產生電子使以加速之離子還原為原子而撞擊材料進行蝕刻為離子蝕刻。

㈣ 離子束加工的介紹

離子束加工的原理和電子束加工基本類似，也是在真空條件下，將離子源產生的離子束經過加速聚焦，使之撞擊到工件表面。離子束的加工裝置主要由包括離子源、真空系統、控制系統和電源等。

㈤ 電子束和離子束分別可用於哪些微納加工工藝

電子束離子束加工的發展趨勢及應用聚焦的離子束在半導體行業有著重要作用，可用來切割納米級結構，對光刻技術中的屏蔽板進行修補，分離和分析集成電路的各個元件，激活由特殊原子組成的材料，使其具有導電性等等。聚焦的離子束在其他方面也有應用。可用來分析樣品化學成分、進行生物研究以及製造保持血管暢通的心臟固定膜等微型醫學植入材料。但是，在用帶正電荷的離子束對絕緣材料進行成像或進行縮微處理時，常常會出現麻煩，絕緣材料會逐漸帶上正電荷，從而會排斥帶同性電荷的離子束，使聚焦的離子束發散，影響精度。科學界解決這一問題的傳統方法有兩個：一個是在離子束到達非金屬絕緣體之前，通過一種氣化元件進行中和；另一種方法是在絕緣材料上設置一電子束中和這個帶正電的離子束。但是這兩種方法都有其弊端，第一種方法往往要求加大離子束加速器和絕緣材料之間的距離，而距離太長會干擾離子束的聚焦。第二種方法中，產生額外的電子束需要另一電子加速器，而且要求與離子束隨時保持在同一直線上，對於多束離子同時作用一種材料，很難實現這些要求。而美國科學家對其實驗室發明的多離子束系統進行改進後，得到了中和正離子的全新方法。與傳統聚焦離子束裝置中的液化金屬離子不同，這一新系統使用兩個離子束腔，將氣態分子中的電子和正離子分離。通過三條電極組成的電極棒將兩個腔隔開，一個腔只允許電子通過，另一個腔只許正離子通過。這樣的設計，不但可以形成加速的離子束，而且也不會阻止電子束的通過，最後離子束達到目標材料後，離子和電子會自我中和形成先前的氣態原子，也不會導致目標材料帶電。利用這種裝置可以對各種離子進行加速，包括惰性氣體、錳等金屬甚至碳60這樣的分子團，都可以用來形成離子束。另外，科研人員還利用多孔屏蔽板，獲得圓洞形、線性和弧形等不同形狀的離子束，發射一次離子束可以生產幾千個心臟內膜，大大提高了效率。離子束刻蝕離子束刻蝕以離子束為刻飾手段達到刻飾目的的技術，其解析度限制於粒子進入基底以及離子能量耗盡過程的路徑范圍。離子束最小直徑約10nm，離子束刻蝕的結構最小可能不會小於10nm。目前聚焦離子束刻蝕的束斑可達100nm以下，最少的達到10nm，獲得最小線寬12nm的加工結果。相比電子與固體相互作用，離子在固體中的散射效應較小，並能以較快的直寫速度進行小於50nm的刻飾，故而聚焦離子束刻蝕是納米加工的一種理想方法。此外聚焦離子束技術的另一優點是在計算機控制下的無掩膜注入，甚至無顯影刻蝕，直接製造各種納米器件結構。但是，在離子束加工過程中，損傷問題比較突出，且離子束加工精度還不容易控制，控制精度也不夠高。束流強度達幾十萬以至上百萬安培的束流。它比通常加速器的束流密度高幾萬倍以至幾十萬倍。20世紀60年代初期,由於模擬核爆炸條件下γ射線輻照效應和X射線照相的需要，強流脈沖電子束加速器得到了迅速發展，70年代後，由於粒子束慣性約束聚變、電子束抽運氣體激光器、電子束產生高功率微波等研究工作的要求，研製了低電壓大電流的電子束加速器，並在這些技術的基礎上獲得了強流脈沖離子束。1984年已能產生1MeV、1MA的輕離子束，強流脈沖電子束也達到了如下的技術水平：電子能量0.3MeV～12MeV電子束流10kA～5MA脈沖寬度10ns～100ns總束能1kJ～5MJ功率1011W～3×1013W這些束流之特點是束流能量大、功率高、電流大、時間寬度窄。這種基於物理學和電工學相結合的高功率脈沖技術是一門新的前沿科學技術，近年來發展極為迅速，已成為研究高溫高壓等離子體物理的重要工具，它在經濟和軍事應用方面有著廣闊的前景。強流脈沖電子束的產生強流脈沖電子束加速器主要由三個部分組成，即沖擊電壓發生器、脈沖成形線與脈沖傳輸線和場致發射二極體。從沖擊電壓發生器輸出的微秒級上升時間的高壓脈沖經脈沖成形線成形為幾十納（10-9)秒上升時間的高壓脈沖，並由傳輸線輸運至場致發射二極體，二極體起著將電磁能轉變為電子束的能量的作用。沖擊電壓發生器見脈沖倍壓發生器之圖2。沖擊電壓發生器的工作原理是對電容器組並聯充電串聯放電，獲得脈沖高壓輸出，減小沖擊電壓發生器電感，可縮短輸出高壓脈沖的上升時間。電容器的排列有Z型、S型和混合型等，採取正、負充電線路，可使火花球隙數目減少一倍。LC反轉沖擊電壓發生器的電感小，輸出脈沖上升時間短，但當所有球隙不能在同一時間內擊穿時，過電壓會把電容器擊穿。脈沖成形線和脈沖傳輸線如圖1所示。沖擊電壓發生器輸出的電壓脈沖，對脈沖成形線充電，當電壓充至一定值時主開關接通，成形線中開始了波過程,經過時間在成形線末端產生時間寬度為的高壓脈沖加在場致發射二極體上。L為成形線長度,с為光速,ε為成形線介質的介電常數，也可以通過變阻抗傳輸線加到二極體上，以達到升壓或降壓的目的。脈沖成形線和脈沖傳輸線中充以去離子水或變壓器油，對於亞微秒充電時間的高壓脈沖，水是很好的絕緣介質，水的儲能密度大、價廉，發生電擊穿後能很快恢復不留痕跡。可根據T.H.馬丁的經驗公式來考慮脈沖成形線和脈沖傳輸線的絕緣要求。強流電子束二極體陰極表面細微的針尖狀結構，使場強增大約100倍，趨於108V/cm，由此引起的電流的增強造成陰極上微小尖端的蒸發，蒸發物的電離形成陰極等離子體，並從中發射電流，陰極等離子體的前沿以1～4×104m/s的速度向陽極運動，隨著束流的增強，在陽極上吸附的氣體釋放出來並被電離，形成陽極等離子體，它以約1×104m/s的速度向陰極運動。描述二極體中電子束流特性的一個重要物理量是v/γ值，v是單位長度上電子數目乘電子經典半徑，，，IA稱為阿爾文電流。低v/γ值二極體阻抗可由蔡爾德－朗繆爾公式描述，平行板二極體阻抗為式中V以兆伏為單位,R是二極體半徑，d是陰陽極間隙距離，以厘米為單位，μ是陰極等離子體運動速度，以厘米／秒為單位，Z以歐姆為單位，K(V)是隨著V而增長的函數，對於非相對論性束流K(V)＝136。當二極體中電流超過了臨界電流值時，電子軌跡開始箍縮，這時電子的拉莫爾半徑等於電子束半徑的一半，並等於陰陽極之間的間距。在高v/γ值的二極體中，當達到臨界電流值時，束流開始箍縮，實驗觀察到箍縮主要在脈沖的後一段時間內形成，並以(1～5)×106m/s的徑向崩塌速度進行，它比等離子體膨脹速率大一個半到二個數量級，這是由於陽極等離子體中的正離子向陰極運動，改變了空間電荷分布，增大了二極體電流，從而使箍縮進一步發展。箍縮發生後，二極體阻抗大致和"順位流模型"的計算值相符。箍縮的結果使電子向二極體的軸線方向移動。由於空間電荷的堆積，造成陰極中心部分軸向電場的減小，從而降低了陰極中心區域的電子發射，過剩的空間電荷使得等位面分布接近錐形。電子沿錐形等位面運動。等位面的法線方向和磁場方向垂直。因而向外的電場力和向內的自磁場力方向相反。空間電荷堆積一直繼續到作用在電子上的凈力為零。於是從陰極邊界處發出的電子沿等位面作凈力為零的運動。按順位流模型可得進一步考慮陰極和陽極表面上存在的等離子體對箍縮所起的作用，建立了聚焦流模型，按照該模型聚焦束流為強流離子束的產生在雙極性流的情況下，質子流和電子流密度滿足方程式中x是陰陽極之間距離，V是陰陽極間隙上的電壓，εo是空氣介電常數，e是電子電荷,mp是質子質量。電子流密度約為質子流密度的43倍，強流離子二極體的工作原理是利用電場或磁場抑制電子到達陽極，使二極體的能量大部分為離子所帶走，現有的離子二極體有三種類型：反射型二極體從陰極射出的電子穿過薄陽極靶後，遇到一個反向電場，使電子減速並回轉，重新穿過陽極靶，然後陰陽極之間的電場又將電子拉向陽極。若靶上塗以某種有機物,由於電子來回穿過陽極靶,在靶上產生離子並向陰極運動（圖2）。反射型二極體產生離子效率可達50％，實際上不需要第二個陰極，從陽極穿出的電子的堆積，形成虛陰極。離子流密度和電子流密度之比為式中Zm是離子的電荷,Mp是離子質量，〈Δθ2〉是散射角的均方值,散射角近似反比於二極體電壓的二次方,離子流密度和二極體電壓的關系可用7/2次方來描述。磁絕緣二極體。外加一個大於臨界磁場Bcr的橫向磁場,偏轉電子，使它不能到達陽極。

㈥ 特種加工中電子束加工和離子束加工有什麼區別

電子束、離子束、激光束是表面工程領域內的三大載體，號稱三束改性。都具有高能量密度特性。
顧名思義電子束加工是以激發電子作為載體，離子束則以離子。離子束加工是一種元素注入過程，具有輻照損傷、噴丸作用、表面壓縮、形成表面非晶態，形成彌散化合物質點等效應，而電子束與激光束的主要作用在高能量，沒有輻照、表面壓縮等特性。我這邊有個這方面的英文版課件（是哈爾濱工業大學-馬新欣老師的），如需要可以聯系。希望有幫助。

㈦ 聚焦離子束(FIB)技術的工作原理以及他在微納加工技術上的主要應用是什麼

聚焦離子束(FIB)技術
聚焦離子束( FIB) 技術的快速發展和實用化要歸功於液態金屬離子源的開發.
FIB系統的工作原理:
FIB 技術是利用靜電透鏡將離子束聚焦成極小尺寸的顯微切割技術,目前商用FIB 系統的粒子束是從液態金屬離子源中引出.
聚焦離子束技術在微納加工技術上的主要應用:
FIB 技術是當今微納加工和半導體集成電路製造業十分活躍的研究領域.由於它集材料刻蝕、沉積、注入、改性於一身, 有望成為高真空環境下實現器件製造全過程的主要加工手段.
目前, FIB 技術主要應用在: ① 光掩模的修補; ② 集成電路的缺陷檢測分析和修整; ③TEM 和STEM的薄片試樣制備; ④ 硬碟驅動器薄膜頭( TFH) 的製造.
同時, FIB 其他一些重要應用還在開發中,它們是: ① 掃描離子束顯微鏡(SIM); ②FIB 直接注入; ③FIB 曝光, 包括掃描曝光和投影曝光; ④多束技術和全真空聯機技術⑤FIB 微結構製造( 刻蝕、沉積) ; ⑥ FIB/SIMS( 二次離子質譜儀) 技術.

㈧ 鄒世昌的離子束技術

20世紀70年代初，經受過「文化大革命」批判的鄒世昌回到了研究工作崗位，此時他的研究領域已轉到研究離子束與固體材料的相互作用及其在半導體材料與器件方面的應用。當時「文化大革命」還在繼續，能用的設備是國內製造的第一台20萬電子伏特能量離子注入機，性能很不穩定。鄒世昌先參加了CMOS集成電路（電子手錶分頻器）閾值電壓控制的後期部分工作，這是在中國首次將離子注入應用於半導體集成電路。1974 年與上海原子核研究所合作在該離子注入機上配置束流準直器及精密定角器，建立了背散射能譜測量及溝道效應分析系統，應用於離子注入半導體的表面層組分濃度分布的測定、晶格損傷的分析以及摻雜原子晶格定位，於1975年完成了氖離子背面注入損傷吸收硅中重雜質以改善p-n結反向漏電特性的研究工作。同年9月，鄒世昌在西德卡爾斯魯厄「離子束表面分析」國際學術會議上發表了這篇論文，引起國際同行好評。令他們十分驚訝的是國際上一般都要用百萬以上電子伏特能量加速器及精密儀器進行的實驗，中國竟在自製的設備上完成了。這是中國第一篇在國際學術界發表的利用離子背散射能譜分析開展半導體研究的論文。1978年又與上海光機所合作在國內率先開展了半導體激光退火的研究工作。在建立了上述技術的基礎上，鄒世昌領導的離子束實驗室對離子束與固體材料的相互作用進行了系統的研究並應用於材料的改性、合成、加工、分析，陸續完成了以下一些研究工作。（1）半導體離子注入：研究了離子注入硅的損傷及其退火行為，獨創性地提出了用二氧化碳激光從背面照射對離子注入半導體進行退火及合金化的新方法，這項工作獲中國科學院1982年重大科技成果二等獎。研究了用雙離子注入的辦法在磷化銦中得到了最高的載流子濃度及摻雜電激活率，並用全離子注入技術率先研製出國內第一塊120門砷化鎵門陣列電路和高速分頻器，獲中國科學院1990年科技進步獎一等獎。
（2）SOI技術：對SOI技術進行了系統的研究，用離子注入和激光再結晶方法合成了SOI新材料。解決了激光再結晶SOI 材料適於製作電路的表面質量問題，獲得一項發明專利。在深入分析SOI材料光學效應的基礎上，提出了一套非破壞性的表徵技術，進而研製成功新型的CMOS/SOI電路。該項目獲中國科學院1990年自然科學獎二等獎。近年來SOI材料已進入實用並將成為21世紀硅集成電路的基礎技術，說明鄒世昌對這一新研究領域的高瞻遠矚。
（3）離子束微細加工：研究了低能離子束轟擊材料表面引起的濺射、損傷和貌相變化等物理現象，並用反應離子束微細加工在石英基片上刻蝕出中國第一批實用閃耀全息光柵，閃耀角可控，工藝重復穩定，衍射效率大為提高，這是光柵製造技術的重大突破，獲中國科學院1987年科技進步二等獎與1989年國家科技進步獎三等獎。
（4）離子束增強沉積：負責國家「863高技術材料領域材料表面優化」專題，建立並掌握了可控、可預置和可重復的離子束增強沉積技術，合成了與基體有很強粘附力，低摩擦系數和高耐磨性的氮化硅、氮化鈦薄膜。
由於這些成績，鄒世昌被選為國際離子束領域兩個主要學術會議（離子注入技術——IIT和離子束材料改性——IBMM）的國際委員會委員。1989年被評為上海市勞動模範。

㈨ 聚焦離子束的基本功能

聚焦離子束顯微鏡的基本功能可概分為四種：
1. 定點切割(Precisional Cutting)-利用離子的物理碰撞來達到切割之目的。 廣泛應用於集成電路(IC)和LCD的Cross Section加工和分析。
2. 選擇性的材料蒸鍍(Selective Deposition)-以離子束的能量分解有機金屬蒸氣或氣相絕緣材料，在局部區域作導體或非導體的沉積，可提供金屬和氧化層的沉積(Metal and TEOS Deposition)，常見的金屬沉積有鉑(Platinum,Pt)和鎢(Tungstun,W)二種。
3. 強化性蝕刻或選擇性蝕刻(Enhanced Etching-Iodine/Selective Etching-XeF2)-輔以腐蝕性氣體，加速切割的效率或作選擇性的材料去除。
4. 蝕刻終點偵測(End Point Detection)-偵測二次離子的訊號，藉以了解切割或蝕刻的進行狀況。
在實際的應用上，為了有效的搜尋故障的區域或外來掉落的材料碎屑、塵埃、污染粒子(Particles)等位置，離子束顯微鏡在外圍的控制系統上，可配備自動定位導航系統或影像重疊定位裝置，當生產線的缺陷檢視系統(Defect Inspection System)，例如:KLA或Tencor，發現製程異常時，可將晶元上缺陷的計算機檔案傳送到自動定位導航系統，離子束顯微鏡即可迅速找尋缺陷的位置，並進行切割動作，確認缺陷發生的層次，如此可避免晶元送出無塵室後與外界的灰塵混淆，達到 Off-line 找到的就是In-line 看到的 精準度，這種功能免除了工程師在試片制備上極大的困擾，同時節省了傳統機械研磨法中大量的人力與工時，加之也大大的提升了成功率。
在新型的聚焦離子束顯微鏡，目前已有雙束(Dual Beam)的機型(離子束+電子束)，在以離子束切割時，用電子束觀察影像，除了可避免離子束繼續 破壞現場 外，尚可有效的提高影像解析度，同時也可配備X-光能譜分析儀或二次離子質譜儀，作元素分析之用，多樣化的分析功能使得聚焦離子束顯微鏡的便利性及使用率大幅提升。
至於離子束顯微鏡在IC工業上的應用，主要可分為五大類：1.線路修補和布局驗證；2.組件故障分析；3.生產線製程異常分析；4.IC 製程監控-例如光阻切割；5.穿透式電子顯微鏡試片製作。
在各類應用中，以線路修補和布局驗證這一類的工作具有最大經濟效益，局部的線路修改可省略重作光罩和初次試作的研發成本，這樣的運作模式對縮短研發到量產的時程絕對有效，同時節省大量研發費用。
當我們欲進行產品偵錯或故障分析時，在沒有KLA或TENCOR等數據檔案(例如：GDSII file)數據的情況下，對於小尺寸的晶粒或已經封裝後的產品，亦可利用附屬的影像重疊系統(Image Overlay System)，在光學顯微鏡下依據參考點定出欲分析位置的相對橫向和縱向距離，而在離子束顯微鏡內迅速找到該位置，不需以人力費時的去尋找。假若當欲分析處為前層次或是為平坦化製程，離子束顯微鏡的影像無法從上視(Top-View)的觀察推斷出確切的分析位置時，也可藉影像對准(Align Image)將離子束顯微鏡影像與光學顯微鏡影像重疊，再由光學顯微鏡影像定出欲切割位置，同樣可達成定點位置的分析。
關於穿透式電子顯微鏡試片製作，離子束顯微鏡提供了另一種選擇，在合理的工作時數(2-6小時)與成功率(> 90 %)的掌握度下，離子束顯微鏡不失為良好的試片製作工具。
由於離子束顯微鏡在輔以不同的化學氣體時可具有材料沉積與蝕刻的功能，因此在5-10年前即引起人們對In-Situ Processing(在單一Chamber內連續完成所有製程) 的研究興趣，許多先進的組件製作，例如：雷射二極體(Laser Diode)，量子井組件(Quantum Well Devices)等，都曾利用離子束顯微鏡的工作原理示範過組件的製作。加之，因為離子束顯微鏡的離子源為鎵離子，對硅晶材料而言，鎵離子植入亦可作為P-Type接面的離子源，在過去的淺接面(Shallow Junction Formation)中，由於鎵離子的擴散系數和穿隧效應比硼(Boron,B)來得小，因此也曾掀起研究的熱潮。
此外在免光罩式的離子植入(Maskless Ion Implantation)應用上，由於離子束顯微鏡的離子束能量可隨意調變，所以相較於傳統式的光阻罩幕後單一能量離子布植，離子束顯微鏡不但可以作極小面積的離子布植(0.1埃0.1 um2 以下)，而且最特別的是布植區域的離子植入深度 (亦即 P/N 接面的深度)可依組件設計而調變，這將使得組件設計的空間更廣更有趣；在IC工業的應用上，離子束顯微鏡在光罩修補(Mask Repair)上亦有取代雷射光的趨勢，尤其是對相位轉換光罩(Phase Shift Mask, PSM)的製作中，離子束顯微鏡的解析度和修補的精準度(Repair Edge Placement Accuracy)都優於雷射光，在0.25 um以下的製程中，可預期的是離子束顯微鏡也將會在這個領域中活絡起來。

㈩ 離子束加工跟等離子體加工的原理有何不同

1、離子束加工的基本原理
所謂離子束拋光，就是把惰性氣體氬、氮等放在真空瓶中，用高頻電磁振盪或放電 等方法對陰極電流加熱，使之電離成為正離子，再用 5 千至 10 萬伏高電壓對這些正離 子加速，使它們具有一定的能量。利用電子透鏡聚焦，將它們聚焦成一細束,形成高能 量密度離子流， 在計算機的控制下轟擊放在真空室經過精磨的工件表面，從其表面把工 件物質一個原子一個原子地濺射掉。用這種方法對工件表面進行深度從 100 埃到 10 微 米左右的精密加工。
2、等離子體加工的基本原理
等離子體加工又稱為等離子弧加工，是利用電弧放電使氣體電離成過熱的等離子氣 體流束，靠局部熔化及氣體去除材料的。等離子體又被成為物質的第四種狀態。 等離子體是高溫電離的氣體，它由氣體原子或分子在高溫下獲得能量電離之後，理 解成帶正電荷的離子和帶負電荷的自由電子，整體的正負離子數目和正負電荷仍相等， 因此稱為等離子體，具有極高的能量密度。