半導體物理與器件教材哪個好

⑴ 半導體物理與器件是施敏的好還是Donald A. Neamen的好

微電子研究生採用施敏的較好，內容豐富；微電子本科生還是採用Donald A. Neamen的較好，內容簡明一些。
參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」。

⑵ 半導體物理相關的好書籍有哪些

半導體物理可以看劉恩科的；講器件的書比較多，我看的陳星弼張慶中的《晶體管原理與設計》，公式推導很多，自學的話比較吃力
功率器件方面，看 Jayant Baliga 《Fundamentals of Power Semiconctor Devices》，很全面。如果覺得內容太多，可以看電子科大張波教授的精簡版《Power Semiconctor Devices and Smart Power ICs》
半導體物理再往底，就是固體電子學，然後是量子力學，都是硬骨頭，不好啃的

⑶ 學習微電子基礎知識，學了半導體物理後還需要學什麼器件應該看什麼樣的書

半導體物理 電子器件 模電 數電
以上4門為微電子基本科目
本科的集成工藝那些，基本都是泛泛而談，不會深入。

英文的：《Semiconctor Physics and Devices》 [美] Donald A. Neamen著 有中譯本：《半導體物理與器件》，包括了半導體物理和電子器件2門核心課
或者： 《Introction to Semiconctor Devices》 也是上個人的
至於工藝，就那10多個步驟...現在都是軟體直接仿，主要理論是半導體物理的，還真不知道有啥英文原版書....

⑷ 半導體物理學應該怎麼學

半導體物理最好最普遍的教材是劉恩科的，現在已經出到第七版了。如果你用的是劉恩科的書，建議買一本配套的習題集（劉恩科教材後面會有推薦的），貌似是田敬民（沒記錯名字的話）編的。先把課本看懂，尤其是重點的知識點和物理過程，多看幾遍，把書上的物理過程按照圖，自己能溜一遍，就說明你能把書上的知識理解並且自己表達出來了。再結合課後習題和習題集做就可以了~~如果是考研的話，多看幾遍書，每遍對物理過程都會有新的體會~~~

⑸ 小弟考研想考清華的半導體物理，器件及集成電路，不知現在本科階段應該看些什麼書

您好，具體信息可以查看清華大學研究生院招生信息：
http://yz.tsinghua.e.cn/docinfo/board/boardlist.jsp?columnId=02902&parentColumnId=029
以下為相關信息：
初試內容：
①101思想政治理論②201英語一③301數學一④831半導體物理 、器件及集成電路
其中清華大學研招辦官方不指定具體參考書，本參考書信息由清華大學本專業部分研究生提供，僅供參考：
831 半導體物理 、器件及集成電路
《半導體物理與器件》（第三版） 電子工業出版社，ISBN: 712100863 (美) Donald A. Neamen著; 趙毅強, 姚素英, 謝曉東等譯
《數字集成電路設計－電路、系統與設計》 電子工業出版社，2004. Jan M.Rabaey等著，周潤德等譯
《半導體物理學》 電子工業出版社（第6版）或其它出版社（第1－5版）。不考其中的第十三章「非晶態半導體」。 劉恩科、朱秉升、羅晉生等編著
模擬CMOS集成電路設計 西安交通大學出版社 畢查德.拉扎維

復試時專業綜合考試內容：半導體物理、器件及集成電路
清華大學2013年碩士生入學考試復試資格基本要求
理學[07] (不含科學技術史[0712])
總分315 政治和外語50 業務課一80 業務課二80
復試內容
復試一般包含以下內容：
① 筆試或實踐（實驗）能力測試
按招生專業目錄公布的復試筆試內容組織考試，時間為120分鍾，筆試滿分為100分。條件許可的院系可單獨組織對考生的實踐（實驗）能力考核。
②面試
面試可採取口試、筆試或兩者兼而有之的方式。面試時將核查考生的准考證和身份證件，重點考察考生的專業素質和能力、創新精神和創新能力、思想狀況、外語聽說能力等。
③體檢
參照教育部、衛生部、中國殘聯制訂的《普通高等學校招生體檢工作指導意見》（教學[2003]3號）執行。
4．對同等學力考生的加試
入圍復試的同等學力考生（含成人高等學校應屆本科畢業生）復試時，必須加試與報考專業相關的本科主幹課程，其中筆試科目不少於兩門。筆試時間每門為3小時，試卷滿分為100分。
錄取
1.所有擬錄取考生都必須經過復試。各院系自行決定考生初試和復試總成績計算辦法，嚴格按考生總成績排名擇優錄取。
2.對有特殊才能和突出貢獻的考生，如在各項國際或國家級大賽中獲獎，或在相關領域發表過較高水平學術論文，錄取時予以優先考慮。
3.復試中，面試成績小於60分者；思想政治素質和道德品質考核及體檢結果不合格者；同等學力考生的加試課程成績不合格者，視為復試不合格，均不予錄取。
4.單考生總成績原則上也按照上述辦法進行排序，擇優選拔。單考生不得調劑錄取。
5.校內調劑錄取的考生，必須由錄取院系進行復試。考生必須達到原報考專業的清華大學學科門類復試基本要求，方可在相同或相近專業之間進行校內調劑。相互調劑的專業統考科目必須一致，且業務課考試科目須相同或相近。報考工學碩士研究生的考生調劑到全日制工程碩士專業學位研究生，須達到我校工學門類分數線。
6.第一志願報考工商管理MBA、公共管理MPA、工程管理、會計碩士的考生不得調入其他專業，其他專業的考生也不能調入該四個專業。第一志願報考法律碩士（非法學）專業的考生不得調入其他專業，其他專業的考生也不得調入該專業。

⑹ 先考山東大學的博士，專業課是半導體物理和半導體器件理論，不知道指導教材是哪個版本

半導體物理與器件(第三版)——國外電子與通信教材系列
目錄：
緒論 半導體和集成電路
歷史
集成電路（IC）
製造
參考文獻
第1章 固體晶格結構
1.1 半導體材料
1.2 固體類型
1.3 空間晶格
1.4 原子價鍵
*1.5 固體中的缺陷和雜質
*1.6 半導體材料的生長
1.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第2章 量子力學初步
2.1 量子力學的基本原理
2.2 薛定諤波動方程
2.3 薛定諤波動方程的應用
*2.4 原子波動理論的延伸
2.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第3章 固體量子理論初步
3.1 允帶與禁帶
3.2 固體中電的傳導
3.3 三維擴展
3.4 狀態密度函數
3.5 統計力學
3.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第4章 平衡半導體
4.1 半導體中的載流子
4.2 摻雜原子與能級
4.3 非本徵半導體
4.4 施主和受主的統計學分布
4.5 電中性狀態
4.6 費米能級的位置
4.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第5章 載流子輸運現象
5.1 載流子的漂移運動
5.2 載流子擴散
5.3 雜質梯度分布
*5.4 霍爾效應
5.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第6章 半導體中的非平衡過剩載流子
6.1 載流子的產生與復合
6.2 過剩載流子的性質
6.3 雙極輸運
6.4 准費米能級
*6.5 過剩載流子的壽命
*6.6 表面效應
6.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第7章 pn結
7.1 pn結的基本結構
7.2 零偏
7.3 反偏
*7.4 非均勻摻雜pn結
7.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第8章 pn結二極體
8.1 pn結電流
8.2 pn結的小信號模型
8.3 產生復合電流
8.4 結擊穿
*8.5 電荷存儲與二極體瞬態
*8.6 隧道二極體
8.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第9章 金屬半導體和半導體異質結
9.1 肖特基勢壘二極體
9.2 金屬半導體的歐姆接觸
9.3 異質結
9.4 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻

第10章 雙極晶體管
10.1 雙極晶體管的工作原理
10.2 少子的分布
10.3 低頻共基極電流增益
10.4 非理想效應
10.5 等效電路模型
10.6 頻率上限
10.7 大信號開關
*10.8 其他的雙極晶體管結構
10.9 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第11章 金屬氧化物半導體場效應晶體管基礎
11.1 雙端MOS結構
11.2 電容電壓特性
11.3 MOSFET基本工作原理
11.4 頻率限制特性
*11.5 CMOS技術
11.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第12章 金屬氧化物半導體場效應晶體管：概念的深入
12.1 非理想效應
12.2 MOSFET按比例縮小理論
12.3 閾值電壓的修正
12.4 附加電學特性
*12.5 輻射和熱電子效應
12.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第13章 結型場效應晶體管
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
*13.3 非理想因素
*13.4 等效電路和頻率限制
*13.5 高電子遷移率晶體管
13.6 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第14章 光器件
14.1 光學吸收
14.2 太陽能電池
14.3 光電探測器
14.4 光致發光和電致發光
14.5 光電二極體
14.6 激光二極體
14.7 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻
第15章 半導體功率器件
15.1 功率雙極晶體管
15.2 功率MOSFET
15.3 散熱片和結溫
15.4 半導體閘流管
15.5 小結
重要術語解釋
知識點
復習題
習題
參考文獻

附錄A 部分參數符號列表
附錄B 單位制、單位換算和通用常數
附錄C 元素周期表
附錄D 誤差函數
附錄E 薛定諤波動方程的推導
附錄F 能量單位——電子伏特
附錄G 部分習題參考答案
索引

⑺ 半導體物理與器件的介紹

《半導體物理與器件》是機械工業出版社出版發行裴素華編著的實體書。《半導體物理與器件》較系統全面地闡述了半導體物理的基礎知識和典型半導體器件的工作原理、工作特性。具體內容包括：半導體材料的基本性質、PN結機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應晶體管、半導體器件制備技術、Ga在SiO（2）/Si結構下的開管摻雜共6章。每章後附有內容小結、思考題和習題。書後有附錄，附錄A是《半導體物理與器件》的主要符號表，附錄B是常用物理常數表，附錄c是鍺、硅、砷化鎵主要物理性質表，附錄D是求擴散結雜質濃度梯度的圖表和方法。對《半導體物理與器件》各章內容可以單獨選擇或任意組合使用。

⑻ 施敏的《半導體器件物理與工藝》和《半導體器件物理》有哪些區別

《半導體器件物理與工藝》所講的器件種類要少，而且後面還有一定篇幅講工藝，《半導體器件物理》這本書各種半導體器件都涉及到了，當時也認真學了，感覺很開拓思路，但是施敏有些地方還是沒寫清楚，還好上課的時候老師差不多把施敏沒講清楚的地方都給我們提出來講了講。所以這本書不適合初學器件，如果你是剛接觸器件課，建議看看皮埃羅的《半導體器件基礎》，器件課其實器件課主要就是學PN結，金半接觸，BJT，MOSFET，PN結和金半接觸是所有器件的基礎，後兩者是電流控制器件和場控器件的典型代表。當然有些書在這三者的基礎上又加上了MESFET，MODFET，JFET，這些其實都是場控器件。