半導體物理如何求禁帶寬度

⑴ 半導體物理中，能帶寬度與禁帶寬度的區別是什麼

1、概念不同：

能帶寬度：為價帶和導帶的寬度，即電子能量分裂的一個個密集能級組成的寬度。 禁帶寬度：為導帶和價帶的間距。能帶寬度就是通電的能力，禁帶寬度就是組電的能力。

2、所含電子不同：

能帶：是用量子力學的方法研究固體內部電子運動的理論。始於20世紀初期，在量子力學確立以後發展起來的一種近似理論。它曾經定性地闡明了晶體中電子運動的普遍特點，並進而說明了導體與絕緣體、半導體的區別所在，解釋了晶體中電子的平均自由程問題。

禁帶寬度：是指一個能帶寬度，固體中電子的能量是不可以連續取值的，而是一些不連續的能帶，要導電就要有自由電子存在，自由電子存在的能帶稱為導帶（能導電），被束縛的電子要成為自由電子，就必須獲得足夠能量從而躍遷到導帶，這個能量的最小值就是禁帶寬度。

例如：鍺的禁帶寬度為0.66ev；硅的禁帶寬度為1.12ev；砷化鎵的禁帶寬度為1.46ev。『

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半導體禁帶寬度與溫度和摻雜濃度等有關：半導體禁帶寬度隨溫度能夠發生變化，這是半導體器件及其電路的一個弱點（但在某些應用中這卻是一個優點）。半導體的禁帶寬度具有負的溫度系數。例如，Si的禁帶寬度外推到0K時是1.17eV，到室溫時即下降到1.12eV。

如果由許多孤立原子結合而成為晶體的時候，一條原子能級就簡單地對應於一個能帶，那麼當溫度升高時，晶體體積膨脹，原子間距增大，能帶寬度變窄，則禁帶寬度將增大，於是禁帶寬度的溫度系數為正。

⑵ 純凈鍺吸收輻射的最大波長為1.9μm,則鍺的禁帶寬度為答案是0.67eV，哪位大仙告訴小弟，是如何計算的呢。

這個屬於半導體物理的知識。
光子的能量要大於或等於禁帶寬度，才能使電子產生能級躍遷,吸收輻射，產生電流。
光子的能量=hv=h*(光速/波長)，h為普朗克常數=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由題意和上述原理可知，禁帶寬度就等於這時的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波長)=（4.14×10-15（eV*S））*（（3*10+8）m/s）/（1.9*10-6m）=0.654eV。
誤差應該是各值的實際值和理論值的正常偏離。

⑶ 半導體物理學:能帶底和導帶底，能帶頂和價帶頂有什麼區別 還有能帶，允帶，禁帶，導帶，價帶之間關系

這個問題我來，我是微電子專業的。
首先，導帶和價帶都是能帶。那麼能帶底就包括導帶底和價帶底，能帶頂同理。
導帶和價帶如圖：

Ec就是導帶底所處的能級，Ev就是價帶頂所處的能級。禁帶寬度就是中間的Eg，是不允許電子存在的部分（禁是禁止之意）。