1. 半導體物理怎麼學習
首先，需要一本好教材，建議用劉恩科的《半導體物理學》，經典，好
其次，第一遍看的時候好多不懂，不要緊，認認真真看三遍，基本沒有什麼大問題
最後，課後題看看，可以不做，但是要看看自己有沒有思路，有思路的時候就差不多了
注意：1.書中好多公式最好是自己能夠不看課本能夠推到下來，這才說明你理解了
2.多記憶一些數據，比如不同半導體材料的禁帶寬度等等，記的多了，自然會比較，就會理解的更好
個人經驗，望有助於你，此外本人就是搞半導體方面的，如有疑問，可以交流。
2. 小弟考研想考清華的半導體物理，器件及集成電路，不知現在本科階段應該看些什麼書
您好，具體信息可以查看清華大學研究生院招生信息：
http://yz.tsinghua.e.cn/docinfo/board/boardlist.jsp?columnId=02902&parentColumnId=029
以下為相關信息：
初試內容：
①101思想政治理論②201英語一③301數學一④831半導體物理 、器件及集成電路
其中清華大學研招辦官方不指定具體參考書，本參考書信息由清華大學本專業部分研究生提供，僅供參考：
831 半導體物理 、器件及集成電路
《半導體物理與器件》（第三版） 電子工業出版社，ISBN: 712100863 (美) Donald A. Neamen著; 趙毅強, 姚素英, 謝曉東等譯
《數字集成電路設計－電路、系統與設計》 電子工業出版社，2004. Jan M.Rabaey等著，周潤德等譯
《半導體物理學》 電子工業出版社（第6版）或其它出版社（第1－5版）。不考其中的第十三章「非晶態半導體」。 劉恩科、朱秉升、羅晉生等編著
模擬CMOS集成電路設計 西安交通大學出版社 畢查德.拉扎維
復試時專業綜合考試內容：半導體物理、器件及集成電路
清華大學2013年碩士生入學考試復試資格基本要求
理學[07] (不含科學技術史[0712])
總分315 政治和外語50 業務課一80 業務課二80
復試內容
復試一般包含以下內容：
① 筆試或實踐（實驗）能力測試
按招生專業目錄公布的復試筆試內容組織考試，時間為120分鍾，筆試滿分為100分。條件許可的院系可單獨組織對考生的實踐（實驗）能力考核。
②面試
面試可採取口試、筆試或兩者兼而有之的方式。面試時將核查考生的准考證和身份證件，重點考察考生的專業素質和能力、創新精神和創新能力、思想狀況、外語聽說能力等。
③體檢
參照教育部、衛生部、中國殘聯制訂的《普通高等學校招生體檢工作指導意見》（教學[2003]3號）執行。
4．對同等學力考生的加試
入圍復試的同等學力考生（含成人高等學校應屆本科畢業生）復試時，必須加試與報考專業相關的本科主幹課程，其中筆試科目不少於兩門。筆試時間每門為3小時，試卷滿分為100分。
錄取
1.所有擬錄取考生都必須經過復試。各院系自行決定考生初試和復試總成績計算辦法，嚴格按考生總成績排名擇優錄取。
2.對有特殊才能和突出貢獻的考生，如在各項國際或國家級大賽中獲獎，或在相關領域發表過較高水平學術論文，錄取時予以優先考慮。
3.復試中，面試成績小於60分者；思想政治素質和道德品質考核及體檢結果不合格者；同等學力考生的加試課程成績不合格者，視為復試不合格，均不予錄取。
4.單考生總成績原則上也按照上述辦法進行排序，擇優選拔。單考生不得調劑錄取。
5.校內調劑錄取的考生，必須由錄取院系進行復試。考生必須達到原報考專業的清華大學學科門類復試基本要求，方可在相同或相近專業之間進行校內調劑。相互調劑的專業統考科目必須一致，且業務課考試科目須相同或相近。報考工學碩士研究生的考生調劑到全日制工程碩士專業學位研究生，須達到我校工學門類分數線。
6.第一志願報考工商管理MBA、公共管理MPA、工程管理、會計碩士的考生不得調入其他專業，其他專業的考生也不能調入該四個專業。第一志願報考法律碩士（非法學）專業的考生不得調入其他專業，其他專業的考生也不得調入該專業。
3. 半導體物理相關的好書籍有哪些
半導體物理可以看劉恩科的；講器件的書比較多，我看的陳星弼張慶中的《晶體管原理與設計》，公式推導很多，自學的話比較吃力
功率器件方面，看 Jayant Baliga 《Fundamentals of Power Semiconctor Devices》，很全面。如果覺得內容太多，可以看電子科大張波教授的精簡版《Power Semiconctor Devices and Smart Power ICs》
半導體物理再往底，就是固體電子學，然後是量子力學，都是硬骨頭，不好啃的
4. 學習微電子基礎知識，學了半導體物理後還需要學什麼器件應該看什麼樣的書
半導體物理 電子器件 模電 數電
以上4門為微電子基本科目
本科的集成工藝那些，基本都是泛泛而談，不會深入。
英文的：《Semiconctor Physics and Devices》 [美] Donald A. Neamen著 有中譯本：《半導體物理與器件》，包括了半導體物理和電子器件2門核心課
或者： 《Introction to Semiconctor Devices》 也是上個人的
至於工藝，就那10多個步驟...現在都是軟體直接仿，主要理論是半導體物理的，還真不知道有啥英文原版書....
5. 半導體物理怎麼學哪裡是重點
無論是半導體物理考研專業課，還是本科課程學習，搭建框架都挺重要的。不知道哪裡是重點？這篇文章介紹《半導體物理學》的框架，有助於初學者了解這個科目的整體結構。
面對比較復雜的科目，初學者可能會遇到這種情況——學了好幾章，仍然雲里霧里，不知自己在學什麼，接下來又要學什麼。等到學完，只記得一些零零散散的知識點，無法形成完整體系。這可能是因為忽略了一些內容，那就是這個科目的框架。
接下來以劉恩科《半導體物理學（第七版）》為參考書，講講半導體物理學的框架。當然，同樣的知識可以有很多種分類方式，我非常鼓勵大家按自己的理解去劃分，以下內容可供參考借鑒。
這本《半導體物理學》共13章，但大部分本科課程及考研大綱，重點在1~8章（半導體的電效應），剩餘章節僅對少量內容作要求。
按大的來分，就是兩個部分：1~9章是半導體的電效應（核心）、10~13章是其他效應和拓展。再分細一點，我們可以把整本書分為四個部分：
第一部分：固體物理基礎（1,2章）
第二部分：載流子的性質（3,4,5章）
第三部分：器件結構（6,7,8,9章）
第四部分：其他效應及拓展（10,11,12,13章）
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第1章 半導體中的電子狀態
第2章 半導體中的雜質和缺陷能級
第一部分，主要解決【半導體是什麼】、【半導體中有什麼】這兩個問題。
首先介紹半導體作為晶體的性質：晶格結構，以及晶體的能帶。
然後介紹半導體中有什麼：載流子（電子和空穴），以及雜質等缺陷。
電子和空穴這兩種載流子，決定了半導體的電、光、熱、磁等基本性質。而雜質，則是調控半導體這些性質最重要的手段。
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第3章 半導體中載流子的統計分布
第4章 半導體的導電性
第5章 非平衡載流子
第二部分中，主要解決【如何調控載流子濃度】、【如何調控半導體電學性質】這兩個問題。
第3章介紹「溫度、雜質濃度和載流子濃度的關系」。溫度和雜質濃度對載流子濃度有決定性的影響，控制這兩個量，就能控制載流子濃度，調控半導體的各種性質。
第4章介紹「溫度、雜質濃度和導電性的關系」。從σ=nqμ知道，半導體導電性主要受載流子濃度、遷移率的影響，其中遷移率主要受散射影響。無論是載流子濃度還是散射，都由溫度和雜質濃度控制。因此，確定了溫度和雜質濃度，就能調控半導體的導電性。
第5章介紹「載流子的動態變化」。載流子不是靜態的，它有產生、復合、擴散、漂移等活動，載流子濃度會因此發生動態變化。我們據此採取措施，可以進一步調控載流子濃度。
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第6章 pn結
第7章 金屬和半導體的接觸
第8章 半導體表面與MIS結構
第9章 半導體異質結構
第三部分主要解決【半導體有什麼用】這個問題。
半導體最重要的性質就是電效應，1~9章都在講電效應，後面的10~13章，研究方法與電效應是相通的。
半導體電效應的應用，最重要的就是6~9章對應的四種結構——pn結、肖特基結、MIS結構、異質結。重中之重是pn結和MIS結構，它們是信息時代的基石。
基於pn結的雙極晶體管，是集成電路的濫觴，它的問世掀起了一場技術革命，讓人類社會從工業時代進入了信息時代。
基於MIS結構的場效應晶體管，占今天所用晶體管的絕大部分（具體比例沒查到，可能要高於99%）。你現在拿著的手機里，就有幾十億、上百億個基於MIS結構的場效應晶體管。[1]
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第10章 半導體的光學性質和光電與發光現象
第11章 半導體的熱電性質
第12章 半導體磁和壓阻效應
第13章 非晶態半導體
第四部分，解決的是【半導體還有什麼用】、【介紹特殊的半導體】這兩個問題。
光、熱、磁效應的研究方法，與電效應是相通的，也是從載流子、能帶、溫度、雜質這幾個方面去研究。看看採取什麼措施能調控這些性質，能做出什麼有用的器件。
1~12章的內容都是基於半導體晶體，因為我們日常所用的絕大部分半導體，都是晶態半導體。但除此之外，還有一種特殊的半導體——非晶態半導體。
如果要對非晶態半導體進行研究，方法和1~12章是一樣的，我們同樣按以下順序，解決非晶態半導體的問題即可：
【半導體是什麼】
【半導體中有什麼】
【如何調控載流子濃度】
【如何調控半導體電學性質】
【半導體有什麼用（電效應）】
【半導體還有什麼用（光熱磁）】
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怎麼樣，現在對半導體物理學的框架有概念了吧？在接下來的學習過程中，一步步解決問題，就能學懂半導體物理了。加油！
怎樣學好半導體物理？
武忠祥這個是在營銷嗎？
PS. 寫干貨好累啊，一不小心就到一兩點了。真吃不消。少熬夜。休息一段時間。
參考文獻：[1] 麒麟9000集成153億晶體管