物理中產生空位的反應有哪些

㈠ 什麼是空穴怎麼產生的

半導體在熱力學溫度0°時電子填滿炸彈。導帶是空的，此時的半導體和絕緣體的情況相同，不能導電。當溫度高於熱力學溫度0°時，價電子在熱激發下有可能克服共價鍵束縛。從價帶遷到導帶。使其炸腱斷裂。電子從價帶躍遷到導帶後，在價帶中留下一個空位稱為空穴。

㈡ 半導體物理中 熱缺陷 形成的原理

熱缺陷是由於晶體中的原子(或離子)的熱運動而造成的缺陷,從幾何圖形上看是一種點缺陷,熱缺陷的數量與溫度有關，溫度愈高，造成缺陷的機會愈多。晶體中熱缺陷有2種形態，一是肖脫基(Schotty)缺陷，2是弗侖克爾(Frenkel)缺陷。
1)肖脫基缺陷
由於熱運動，晶體中陽離子及陰離子脫離平衡位置，跑到晶體表面或晶界位置上，構成一層新的界面，而產生陽離子空位及陰離子空位，不過，這些陽離子空位與陰離子空位是符合晶體化學計量比的。如：MgO晶體中，形成Mg2+和O2-空位數相等。而在TiO2中，每形成一個Ti4+離子空位，就形成兩個O2-離子空位。肖脫基缺陷實際產生過程是：由於靠近表面層的離子熱運動到新的晶面後產生空位，然後，內部鄰近的離子再進入這個空位，這樣逐步進行而造成缺陷。
2）弗侖克爾缺陷
弗侖克爾缺陷形成過程為：一種離子脫離平衡位置擠入晶體的間隙位置中去，形成所謂間隙（或稱填隙）離子，而原來位置形成了陽離子或陰離子空位。這種缺陷的特點是間隙離子和空位是成對出現的。弗侖克爾缺陷除與溫度有關外，與晶體本身結構也有很大關系，若晶體中間隙位置較大，則易形成弗侖克爾缺陷。如AgBr比NaCl易形成這種缺陷。

㈢ 空穴是什麼

空穴又稱電洞（Electron hole），在固體物理學中指共價鍵上流失一個電子，最後在共價鍵上留下空位的現象。即共價鍵中的一些價電子由於熱運動獲得一些能量，從而擺脫共價鍵的約束成為自由電子，同時在共價鍵上留下空位，我們稱這些空位為空穴。

㈣ 常見的物理、化學反應各十種

一、物理反應
其特徵是物質狀態發生變化，沒有產生新物質，常見的物理反應有：

1. 水蒸發；

2. 金屬熔化；

3. 二氧化碳凝華成乾冰；

4. 蔗糖熔化；

5. 焰火反應（金屬或其化合物在無色火焰中灼燒時使得火焰發生顏色變化，沒有生成新物質，是原子能中的電子能量變化）；

6. 澱粉溶於水。

二、化學反應

其特徵是產生新的物質，是物質的性質發生了變化，常見的化學反應有：

1. 鐵鍋生銹；

2. 糧食釀酒；

3. 鹵水煮豆腐（可溶性鹽使豆腐中的蛋白質溶解度降低而析出）；
   

4. 光合作用；

5. 消化食物（比如唾液中的澱粉酶將糖和碳水化合物進行分解，以便更容易吸收）；

6. 酸鹼反應（比如酸性的醋、檸檬汁，和鹼性的肥皂、小蘇打發生反應）。
   

㈤ 半導體物理：空位表現為（ ）作用，間隙原子表現為（ ）作用。

空位表現為受主作用;間隙原子表現為施主 作用

希望對你有幫助
學習進步O(∩_∩)O謝謝

㈥ 晶體中的晶體缺陷有哪些

晶體中的缺陷及其對材料性能的影響

前言

晶體的主要特徵是其中原子（或分子）的規則排列， 但實際晶體中的原子排列會由於各種原因或多或少地偏離嚴格的周期性，於是就形成了晶體的缺陷，晶體中缺陷的種類很多，它影響著晶體的力學、 熱學、電學、光學等各方面的性質。晶體的缺陷表徵對晶體

理想的周期結構的任何形式的偏離。

晶體缺陷的存在，破壞了完美晶體的有序性，引起晶體內能U和熵S增加。按缺陷在空間的幾何構型可將缺陷分為點缺陷、線缺陷、面缺陷和體缺陷，它們分別取決於缺陷的延伸范圍是零維、一維、二維還是三維來近似描述。每一類缺陷都會對晶體的性能產生很大影響，例如點缺陷會影響晶體的電學、光學和機械性能，線缺陷會嚴重影響晶體的強度、電性能等。

一、晶體缺陷的基本類型

點缺陷

1、點缺陷定義

由於晶體中出現填隙原子和雜質原子等等，它們引起晶格周期性的破壞發生在一個或幾個晶格常數的限度范圍內，這類缺陷統稱為點缺陷。這些空位和填隙原子是由熱起伏原因所產生的，因此又稱為熱缺陷。

體缺陷

在體缺陷中比較重要的是包裹體。包裹體是晶體生長過程中界面所捕獲的夾雜物。它可能是晶體原料中某一過量組分形成的固體顆粒，也可能是晶體生產過程中坩堝材料帶入的雜質微粒。

二． 晶體缺陷對材料性能的影響

（1）點缺陷對材料性能的影響

晶體中點缺陷的不斷無規則運動和空位與間隙原子不斷產生與復合是晶體中許多物理過程如擴散、相變等過程的基礎。空位是金屬晶體結構中固有的點缺陷，空位會與原子交換位置造成原子的熱激活運輸，空位的遷移直接影響原子的熱運輸，從而影響材料的電、熱、磁等工程性能。晶體中點缺陷的存在一方面造成點陣畸變，使晶體內能升高，增加了晶體熱力學不穩定性，另一方面增大了原子排列的混亂程度，改變了周圍原子的振動頻率。使熵值增大使晶體穩定。矛盾因素使晶體點缺陷在一定溫度下有一定平衡數目。在一般情形下，點缺陷主要影響晶體的物理性質，如比容、比熱容、電阻率等。

1.比容:為了在晶體內部產生一個空位，需將該處的原子移到晶體表面上的新原子位置，導致晶體體積增大

2．比熱容:由於形成點缺陷需向晶體提供附加的能量（空位生成焓），因而引起附加比熱容。

3．電阻率:金屬的電阻來源於離子對傳導電子的散射。在完整晶體中，電子基本上是在均勻電場中運動，而在有缺陷的晶體中，在缺陷區點陣的周期性被破壞，電場急劇變化，因而對電子產生強烈散射，導致晶體的電阻率增大。

4.密度的變化：對一般金屬，輻照引起體積膨脹，但是效應不明顯，一般變化很少超過0.1~0.2%，這種現象可以用弗侖克爾缺陷來描述

5.電阻：增加電阻，晶體點陣的有序結構被破壞，使原子對自由電子的散射效果提升。一般可以通過電阻分析法萊追蹤缺陷濃度的變化.

6．晶體結構：輻照很顯著地破壞了合金的有序度，而且一些高溫才穩定的相結構可以保持到室溫

7．力學性能：輻照引起金屬的強化和變脆（注，空位使晶格畸變類似置換原子引起的）。

此外，點缺陷還影響其他物理性質，如擴散系數，內耗，介電常數等，在鹼金屬的鹵化物晶體中，由於雜質或過多的金屬離子等點缺陷對可見光的選擇性吸收，會使晶體呈現色彩，這種點缺陷稱為色心。

（2）線缺陷對材料性能的影響

位錯是一種及重要的晶體缺陷，他對金屬的塑性變形，強度與斷裂有很重要的作用，塑性變形就其原因就是位錯的運動，而強化金屬材料的基本途徑之一就是阻礙位錯的運動，另外，位錯對金屬的擴散、相變等過程也有重要影響。所以深入了解位錯的基本性質與行為，對建立金屬強化機制將具有重要的理論和實際意義。金屬材料的強度與位錯在材料受到外力的情況下如何運動有很大的關系。如果位錯運動受到的阻礙較小，則材料強度就會較高。實際材料在發生塑性變形時，位錯的運動是比較復雜的，位錯之間相互反應、位錯受到阻礙不斷塞積、材料中的溶質原子、第二相等都會阻礙位錯運動，從而使材料出現加工硬化。因此，要想增加材料的強度就要通過諸如：細化晶粒（晶粒越細小晶界就越多，晶界對位錯的運動具有很強的阻礙作用）、有序化合金、第二相強化、固溶強化等手段使金屬的強度增加。以上增加金屬強度的根本原理就是想辦法阻礙位錯的運動。

位錯密度取決於材料變性率的大小。 在高形變率荷載下，位錯密度持續增大，因為高應變率下材料的動態回復與位錯攀岩被限制，因而位錯密度增大，材料強度增大，可以等同於降低材料溫度。

金屬材料的強度與位錯在材料受到外力的情況下如何運動有很大的關系。如果位錯運動受到的阻礙較小，則材料強度就會較高。實際材料在發生塑性變形時，位錯的運動是比較復雜的，位錯之間相互反應、位錯受到阻礙不斷塞積、材料中的溶質原子、第二相等都會阻礙位錯運動，從而使材料出現加工硬化。因此，要想增加材料的強度就要通過諸如：細化晶粒（晶粒越細小晶界就越多，晶界對位錯的運動具有很強的阻礙作用）、有序化合金、第二相強化、固溶強化等手段使金屬的強度增加。以上增加金屬強度的根本原理就是想辦法阻礙位錯的運動。

對金屬材料來說，位錯密度對材料的韌性，強度等有影響。對於晶體來說，位錯密度越大，材料強度越大。對於非晶剛好相反：位錯密度正比於自由體積，位錯密度越多，強度越低，塑性可能會好。在外力的作用下，金屬材料的變形量增大，晶粒破碎和位錯密度增加，導致金屬的塑性變形抗力迅速增加，對材料的力學性能影響是： 硬度和強度顯著升高；塑性和韌性下降，產生所謂的「加工硬化」現象。隨著塑性變形程度的增加，晶體對滑移的阻力愈來愈大。從位錯理論的角度看，其主要原因是位錯運動愈來愈困難。滑移變形的過程就是位錯運動的過程，如果位錯不易運動，就是材料不易變形，也就是材料強度提高，即產生了硬化。加工硬化現象在生產工藝上有很現實的作用，如拉絲時已通過拉絲模的金屬截面積變小，因而作用在這一較小界面積上的單位面積拉力比原來大，但是由於加工硬化。這一段金屬可以不繼續變形，反而引導拉絲模後面的金屬變形，從而才能進行拉拔。

加工硬化對金屬材料的使用也是有利的，例如構件在承受負荷時，盡管局部地區負荷超過了屈服強度，金屬發生塑性變形，但通過加工硬化，這部分金屬可以承受這一負荷而不發生破壞，並把部分負荷轉嫁給周圍受力較小的金屬，從而保證構件的安全。

鋼經形變處理後，形變奧氏體中的位錯密度大為增加，可形變數愈大，位錯密度愈高，金屬的抗斷強度也隨之增高。隨著形變程度增加不但位錯密度增加而且位錯排列方式也會發生變化由於變形溫度下，原子有一定的可動性，位錯運動也較容易進行，因此在形變過程中及形變後停留時將出現多邊化亞結構及位錯胞狀結構。當亞晶之間的取向差達到幾度時，就可像晶界一樣，起到阻礙裂紋擴展的作用，由霍爾一派奇公式，晶粒越小則金屬強度越大。

（3）面缺陷對材料性能的影響

1.面缺陷的晶界處點陣畸變大，存在晶界能，晶粒長大與晶界平直化使晶界米面積減小，晶界總能量降低，這兩過程通過原子擴散進行，隨溫度升高與保溫時間增長，有利於這兩過程的進行。

2.面缺陷原子排列不規則，常溫下晶界對位錯運動起阻礙作用，塑性變形抗力提高，晶界有較高的強度和硬度。晶粒越細，材料的強度越高，這就是細晶強化，而高溫下剛好相反，高溫下晶界又粘滯性，使相鄰晶粒產生相對滑動。

3.面缺陷處原子偏離平衡位置，具有較高的動能，晶界處也有較多缺陷，故晶界處原子的擴散速度比晶內快。

4.固態相變中，晶界能量較高，且原子活動能力較大，新相易於在晶界處優先形核，原始晶粒越細，晶界越多，新相形核率越大。

5．由於成分偏析和內吸附現象，晶界富集雜質原子情況下，晶界熔點低，加熱過程中，溫度過高引起晶界熔化與氧化，導致過熱現象。

6.晶界處能量較高，原子處於不穩定狀態，及晶界富集雜質原子的緣故，晶界腐蝕速度較快。

（4）缺陷對半導體性能的影響

硅、鍺等第4族元素的共價晶體絕對零度時為絕緣體，溫度刀·高導電率增加但比金屬的小得多，稱這種晶體為半導體。晶體呈現半導體性能的根本原因是填滿電子的最高能帶與導帶之間的禁帶寬度很窄，溫度升高部分電子可以從滿帶躍遷到導帶成為傳導電子。晶體的半導體性能決定於禁帶寬度以及參與導電的載流子(電子或空穴)數目和它的遷移率。缺陷影響禁帶寬度和載流子數目及遷移率，因而對晶體的半導體性能有嚴重影響。

1.缺陷對半導體晶體能階的影響

硅和鍺本徵半導體的晶體結構為金剛石型。每個原子與四個近鄰原子共價結合。雜質原子的引入或空位的形成都改變了參與結合的共價電子數目，影響晶體的能價分布。

有時為了改善本徵半導體的性能有意摻入一些三、五族元素形成摻雜半導體；而其他點缺陷如空位或除三，五族以外的別的雜質原子原則上也會形成附近能階。位錯對半導體性能影響很大，但目前只對金鋼石結構的硅、鍺中的位錯了解得較多一點。

2.缺陷對載流子數目的影響

點缺陷使能帶的禁帶區出現附加能階，位錯本身又會起懸浮鍵作用，它起著施主或受主的作用，另外位錯俘獲電子使載流子數目減少，所以半導體中實際載流子數目減少。

由於晶體缺陷對半導體材料的影響，故可以在半導體材料中有以下應用

1.過量的Zn原子可以溶解在ZnO晶體中，進入晶格的間隙位置，形成間隙型離子缺陷，同時它把兩個電子鬆弛地束縛在其周圍，對外不表現出帶電性。但這兩個電子是亞穩定的，很容易被激發到導帶中去，成為准自由電子，使材料具有半導性。

2.Fe3O4晶體中，全部的Fe2+離子和1/2量的Fe3+離子統計地分布在由氧離子密堆所構成的八面體間隙中。因為在Fe2+—Fe3+—Fe2+—Fe3+—……之間可以遷移，Fe3O4是一種本徵半導體。

3.常溫下硅的導電性能主要由雜質決定。在硅中摻入VA族元素雜質（如P、As、Sb等）後，這些VA族雜質替代了一部分硅原子的位置，但由於它們的最外層有5個價電子，其中4個與周圍硅原子形成共價鍵，多餘的一個價電子便成了可以導電的自由電子。這樣一個VA族雜質原子可以向半導體硅提供一個自由電子而本身成為帶正電的離子，通常把這種雜質稱為施主雜質。當硅中摻有施主雜質時，主要靠施主提供的電子導電，這種依靠電子導電的半導體被成為n型半導體。

4.在BaTiO3陶瓷中，人們常常加入三價或五價雜質來取代Ba2+離子或Ti4+離子來形成n型半導瓷。例如，從離子半徑角度來考慮，一般使用的五價雜質元素的離子半徑是與Ti4+離子半徑（0.064nm）相近的，如Nb5+=0.069nm，Sb5+=0.062nm，它們容易替代Ti4+離子；或者使用三價元素，如La3+=0.122nmCe3+=0.118nm，Nd3+=0.115nm，它們接近於Ba2+離子的半徑（0.143nm），因而易於替代Ba2+離子。由此可知，不管使用三價元素還是五價元素摻雜，結果大都形成高價離子取代，即形成n型半導體。

（5）位錯對鐵磁性的影響

只有過渡族元素的一部分或其部分化合物是鐵磁性材料。物質的鐵磁性要經過外磁場的磁化作用表現出來。能量極小原理要求磁性物質是由磁矩取向各異的磁疇構成。一般說來加工硬化降低磁場H的磁化作用，磁疇不可逆移動開始的磁場Ho(起始點的磁場強度)升高，而加工則使物質的飽和磁化強度降低。

三．總結

缺陷對物理性能的影響很大，可以極大的影響材料的導熱，電阻，光學，和機械性能，極大地影響材料的各種性能指標，比如強度，塑性等。化學性能影響主要集中在材料表面性能上，比如雜質原子的缺陷會在大氣環境下形成原電池模型，極大地加速材料的腐蝕，另外表面能量也會受到缺陷的極大影響，表面化學活性，化學能等等。其實正是有了缺陷金屬材料才能有著我們需要的良好的使用性能，比如人工在半導體材料中進行摻雜，形成空穴，可以極大地提高半導體材料的性能。總之影響非常大，但是如果合理的利用缺陷，可以提高材料某一方面的性能。

㈦ 簡述空位和位錯的形成原因分別有哪些

位錯又可稱為差排（英語：dislocation），在材料科學中，指晶體材料的一種內部微觀缺陷，即原子的局部不規則排列（晶體學缺陷）。從幾何角度看，位錯屬於一種線缺陷，可視為晶體中已滑移部分與未滑移部分的分界線，其存在對材料的物理性能，尤其是力學性能，具有極大的影響。「位錯」這一概念最早由義大利數學家和物理學家維托·伏爾特拉（Vito Volterra）於1905年提出。
理想位錯主要有兩種形式：刃位錯（edge dislocations）和 螺旋位錯（screw dislocations），是線缺陷。混合位錯（mixed dislocations）兼有前面兩者的特徵。

㈧ 搜羅神奇的物理現象~

姆潘巴現象：1963年，坦尚尼亞的馬乾巴中學三年級的學生姆潘巴（Mupainmubar）經常與同學們一起做冰淇淋吃。在做的過程中，他們總是先把生牛奶煮沸，加入糖，等冷卻後倒入冰格中，再放進冰箱冷凍。有一天，當姆潘巴做冰淇淋時，冰箱冷凍室內放冰格的空位已經所剩無幾。為了搶占剩下的冰箱空位，姆潘巴只得急急忙忙把牛奶煮沸，放入糖，等不及冷卻，就把滾燙的牛奶倒入冰格中，並送入冰箱。一個半小時後，姆潘巴發現了一個讓他十分困惑的現象：他放入的熱牛奶已經結成冰，而其他同學放的冷牛奶還是很稠的液體。照理說，水溫越低，結冰的速度越快，而牛奶中含有大量的水，應該是冷牛奶比熱牛奶結冰速度快才對，但事實怎麼會顛倒過來了？

共振（resonance）：

1.共振的現象已為大家所熟知，因為基本上大家都看過物理書上「一隊士兵在堅固的橋上整齊地走會導致橋坍塌」的案例。
2.共振是指一個物理系統在其自然的振動頻率（所謂的共振頻率）下趨於從周圍環境吸收更多能量的趨勢。
3.如果兩個物體的固有頻率又或是成整數比，就會發生共振的現象。震盪的強度是振幅的平方。

壓電效應（Piezoelectric effect）：

這個詞彙出現在第4話湯川初次見到田上升一的場景，湯川稱贊田上的論文不錯。猜測田上研究方向就是這個（註：為殺人武器的發明奠定了基礎。）
翻資料的時候才知道原來這個專業的詞彙已經出現了100年了。
它的定義為

：某些電介質在沿一定方向上受到外力的作用而變形時，其內部會產生極化現象，同時在它的兩個相對表面上出現正負相反的電荷。當外力去掉後，它又會恢復到不帶電的狀態，這種現象稱為正壓電效應。當作用力的方向改變時，電荷的極性也隨之改變。相反，當在電介質的極化方向上施加電場，這些電介質也會發生變形，電場去掉後，電介質的變形隨之消失，這種現象稱為逆壓電效應，或稱為電致伸縮現象。
這種效應的用途也是很廣泛的，可以用作聲波的感測器與接受器，振動能和超聲振動能-電能換能器，以及機器人的接近覺感測器。

然後就是在資料中找到這樣的一句話：
1927年，伍德（R.W.Wood）與魯密斯（A.L.Loomis）首先使用高功率超聲波。使用藍傑文型的石英換能器配合高功率真空管，在液體中產生高能量，使液體引起所謂的空腔（cavitation）現象。同時也研究高功率超聲波對生物試樣的效應。

空腔現象（cavitation）：

又稱空化、氣蝕現象。最早發現這個現象是在20世紀初。當時第一批巨輪試航了12小時後，就發現螺旋槳受到了嚴重的損壞。最後發現工程師發現螺旋槳高速轉動的時候會產生大量微小氣泡，這些氣泡雖然很小，但當他們破裂的時候壓強可以達到幾千個大氣壓。於是氣泡不斷地破裂，在液體中形成激波或是高速微射流。金屬材料受到這種攻擊後，結構會被破壞。另外，有科學家論證，超聲波的空泡破裂的時候會瞬間發出光芒，理論上破滅時的溫度可以達到2 000 000K。超聲波殺人原理就暫時解釋到此，如何殺人那又是另一個話題。
題外話，平時清洗眼睛的商店就是利用超聲波的空腔現象，只不過頻率沒有那麼高。

浮在水面上的字。要實現這個效果就要使用到米紙，那，什麼是米紙呢？
米紙，RICE PAPER，以米為原料。首先把米磨成細粉，加入水後變成糊漿，再蒸熟後碾成薄紙狀，即成。用於食物包裝（常見於花生牛奶堂，神舟7號上宇航員服用的「太空養心丹」也用米紙），可以食用。
那麼，現在就解釋那個小實驗：
1）用油性筆在米紙上任意寫字。
2）把米紙輕輕放在水面上。此時現象開始出現。米紙開始慢慢變得透明，因為這時候米紙在水中變成溶膠，慢慢地、不均勻地向四周擴散，幾乎在水中看不到了。
3）油性筆的油脂不溶於水，密度一般在0.91g/ml-0.93g/ml之間，而水的密度為1g/ml，故用油脂寫成的字會漂浮在水面上。此時只要不觸碰水面，字就不會消失。

ER fluid（Electrorheofogical Fluid）*：
即粒子分散型電流變液。通電時，它的粘度隨外電場增加而變稠，從液體向固體演變，當電場足夠大時，整個體系表現出類似固體的特徵。當去掉外加電場時，它又由固態重新恢復到原有的液態。由於這種材料可以在電場作用下在液態和固態之間轉換，故被稱為電流變液。由於電場可由電腦操縱，因此可變態的電流變液又被稱為智能材料。用於機械工程、汽車工程、控制工程等領域。

認知心理學：又稱信息加工信息學。在20世紀70年代開始成為西方心理學的研究方向。它涉及人類的高級心理過程，包括意識、記憶、注意、表象等。其理論基礎也被廣泛應用在其他學科中，如管理學、傳播學。

圖式(schemas)：人們用來組織他們關於某個主題的知識，關於周圍的社會世界的心理結構；這種心理結構會影響人們所注意思考和識記的信息。沒有圖式，我們對這個世界就很難理解，我們要花大量的時間去尋找我們曾經知道的事物的信息。圖式更象我們身體裡面的記憶搜索引擎，迅速找到某些真實（也有可能是虛假）的信息，減少了模糊性。

記憶的可提取性(accessibility)：圖式和概念在人們的頭腦中所處位置的優越性以及當我們對社會世界作出判斷的時候，使用這些圖式和概念的可能性有多大。也就是劇中所說的先入感。

記憶重構：由華盛頓大學的伊利莎白 羅夫特斯教授提出，並通過實驗證明。該理論說明：一種有關記憶和回憶的准確理論必須包括重構過程，即當新的信息被整合到人對某一事件的最初記憶中去的時候，這種重構過程就回發生。

㈨ 半導體物理中，引入空穴的意義

空穴是一種虛擬粒子，實際上一個空穴的導電就代表了許多價電子運動所產生的導電；空穴的引入正是為了使問題簡化，即把許多價電子的運動採用一個空穴的運動來代替。
導帶電子是載流子，價帶電子——價電子不一定都是載流子；只有不滿帶中的許多價電子才能運動、並導電，這時採用少數空穴來代替之，顯然就簡單得多。
所以，一般就認為導帶電子和價帶空穴都是載流子，而價電子就不能簡單地認為是載流子。
參見「http://blog.163.com/xmx028@126/」中的有關說明。

㈩ 物理中，空穴指的是什麼

一個圓圈，由1000個位置，其中999個被電子占據，一個空著，這個空著的位置理解為「空穴」，現在要求電子圍著這個圓圈單向運動，且每個電子每次移動只能移動到相鄰的位置，那麼，你想一想，電子要怎麼才能繞圈運動呢？自然是與「空穴」相鄰的電子移動到空穴中，然後這個電子原來的位置變成了「空穴」，同理，其他的電子在以這樣的方式運動下去，比如電子按順時針移動，那麼很容易想像，「空穴」的移動是按著逆時針方向的。 也就是樓主所說的「有人說「空穴並不是真實存在的,只是對大量電子運動的一種等效,空穴的流動其實就是大量電子運動的等效的反運動」 。 在電子順時針運動過程中也就形成了電流，因為電流就是電子的定向運動。 在這個電流的產生過程中，實際上只有999個電子的運動，那個空穴的運動只是電子運動的產物。而並非是999個電子和一個空穴共同導電。 實質上:我們可以認為空穴就是帶正電的原子,如:質子。原子失去了電子(當然不是全部,是一部分電子)之後,就形成了空穴。