‘壹’ 非晶合金刻蚀溶液问题
简单来说，电镀指借助外界直流电的作用，在溶液中进行电解反应，使导电体例如金属的表面沉积一金属或合金层。
我们以硫酸铜镀浴作例子:
硫酸铜镀液主要有硫酸铜、硫酸和水，甚至也有其它添加剂。硫酸铜是铜离子(Cu2+)的来源，当溶解于水中会离解出铜离子，铜离子会在阴极(工件)还原(得到电子)沈积成金属铜。这个沉积过程会受镀浴的状况如铜离子浓度、酸碱度(pH)、温度、搅拌、电流、添加剂等影响。
阴极主要反应 : Cu2+(aq) + 2e- → Cu (s)
电镀过程浴中的铜离子浓度因消耗而下降，影响沉积过程。面对这个问题，可以两个方法解决：1.在浴中添加硫酸铜；2.用铜作阳极。添加硫酸铜方法比较麻烦，又要分析又要计算。用铜作阳极比较简单。阳极的作用主要是导体，将电路回路接通。但铜作阳极还有另一功能，是氧化(失去电子)溶解成铜离子，补充铜离子的消耗。
阳极主要反应 : Cu (s) → Cu2+(aq) + 2e-
由于整个镀液主要有水，也会发生水电解产生氢气(在阴极)和氧气(在阳极)的副反应
阴极副反应 : 2H3O+(aq) + 2e- → H2(g) + 2H2O(l)
阳极副反应 : 6H2O(l) → O2(g) + 4H3O+(aq) + 4e-
结果，工件的表面上覆盖了一层金属铜。这是一个典型镀浴的机理，但实际的情况是十分复杂。自催化镀及浸渍镀。
‘贰’ 什么是蚀刻什么是湿蚀刻蚀刻用的化学药水有
摘要 您好，蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类
‘叁’ 谁知道蚀刻用的溶液怎么配制，需要那几样产品。
铁蚀刻液配方：
硝酸 25%
三氯化铁45°Be 25%
水 50%
蚀刻温度：30-50度
不锈钢蚀刻液配方：
1、浓盐酸 210克/升
浓硝酸 200克/升
冰醋酸 20克/升
氢氟酸 200克/升
磷酸氢二钠 12个结晶水 12克/升
水 358克/升
蚀刻温度： 30-50度
2、 浓盐酸 586毫升/升
浓硝酸 80.5毫升/升
氯化镍 9.6克/升
三氯化铁 344.5克/升
水 加水到一升。
蚀刻温度：24-60度
3、三氯化铁（45-48）°Be 65%
蚀刻温度：30-50度
4、三氯化铁（30-42）°Be 67%
双氧水 16%
氢氟酸 17%
蚀刻温度：30-50度
4、三氯化铁（40-45）°Be 65%
双氧水 10%
氢氟酸 25%
蚀刻温度：30-50度
注意：不锈钢材料的成份不同所采用的蚀刻液配方也应不同。
钛金板蚀刻液配方： 在腐蚀之前，先用氢氟酸或用氟化钠水溶液少量盐酸擦洗把表面钛金膜去掉，再用不锈钢腐蚀液蚀刻。
材料：500ml可乐瓶（根据刀具大小而定）、碳棒（一号干电池）、油性记号笔（日本进口的，要最粗的那种，黑色的）、36v电瓶车充电器、盐酸、钢针
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步骤：1、将刀具打磨到800目、盐酸稀释（20：80）
2、用油性记号笔将刀具全部涂满（要保护的部分），等干后再涂第二遍，至少四遍。。。
3、可乐瓶、碳棒、36v电瓶车充电器连接方法可看老贴、将稀释盐酸倒入容器
4、用钢针刻画出要腐蚀的图案
5、将刀具连接正极放入容器、通电电解，并不时搅动
时间：20~45分钟
结果：图案清晰、细致，深度根据腐蚀电解时间长短
‘肆’ 集成电路刻蚀溶液是什么化学品
湿法刻蚀
这是传统的刻蚀方法。把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中，使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去。例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜，用磷酸刻蚀铝薄膜等。这种在液态环境中进行刻蚀的工艺称为“湿法”工艺，其优点是操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产，并且刻蚀的选择性也好。但是，化学反应的各向异性较差，横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形（见图）。这不仅使图形剖面发生变化，而且当稍有过刻蚀时剖面会产生如图中的虚线，致使薄膜上图形的线宽比原抗蚀剂膜上形成的线宽小2墹x,并且墹x随过刻蚀时间迅速增大。这使精确控制图形变得困难。湿法刻蚀的另一问题，是抗蚀剂在溶液中，特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效，因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案。
对于采用微米级和亚微米量级线宽的超大规模集成电路，刻蚀方法必须具有较高的各向异性特性，才能保证图形的精度，但湿法刻蚀不能满足这一要求。
干法刻蚀
70年代末研究出一系列所谓干法刻蚀工艺。干法刻蚀有离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种主要方法。
①离子铣刻蚀：低气压下惰性气体辉光放电所产生的离子加速后入射到薄膜表面，裸露的薄膜被溅射而除去。由于刻蚀是纯物理作用，各向异性程度很高，可以得到分辨率优于 1微米的线条。这种方法已在磁泡存储器、表面波器件和集成光学器件等制造中得到应用。但是，这种方法的刻蚀选择性极差，须采用专门的刻蚀终点监测技术，而且刻蚀速率也较低。
②等离子刻蚀：利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电，产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团，生成的反应产物是挥发性的。它在低气压的真空室中被抽走，从而实现刻蚀。通过选择和控制放电气体的成分，可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率，但刻蚀精度不高，一般仅用于大于4～5微米线条的工艺中。
③反应离子刻蚀：这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用。辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行。硅片处于阴极电位，放电时的电位大部分降落在阴极附近。大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速，垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应，产生化学刻蚀作用。选择合适的气体组分，不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度，还可以使活性基团的寿命短，这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应，大大提高了刻蚀的各向异性特性。反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法。
现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空装置，同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置。因此这种工艺的设备投资是昂贵的。
‘伍’ 求助：刻蚀氧化锌，不用酸不用碱，还有什么溶剂可以使其溶解有这类有机溶剂么
可以用氯化铵溶液，参见http://ke..com/view/155896.htm物理性质这一条。
‘陆’ 常用的化学溶剂有哪些
水、甲醇、乙醇、乙腈、己烷、环己烷、丙酮等等，很多
‘柒’ 刻蚀溶液一般用什么，还有金属铜，一般采用什么溶液
那要看被刻的是什么材料，大理石的用普通酸就可以，铜的话用浓硫酸，玻璃用氢氧化钠。
‘捌’ 硅的湿法刻蚀剂有哪些，各有什么特点
基本工艺要求 理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀,即只有垂直刻蚀,没有横向钻蚀.这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；②良好的刻蚀选择性,即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多,以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性,不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；③加工批量大,控制容易,成本低,对环境污染少,适用于工业生产. 湿法刻蚀 这是传统的刻蚀方法.把硅片浸泡在一定的化学试剂或试剂溶液中,使没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜表面与试剂发生化学反应而被除去 例如,用一种含有氢氟酸的溶液刻蚀二氧化硅薄膜,用磷酸刻蚀铝薄膜等.这种在液态环境中进行刻蚀的工艺称为“湿法”工艺,其优点是操作简便、对设备要求低、易于实现大批量生产,并且刻蚀的选择性也好.但是,化学反应的各向异性较差,横向钻蚀使所得的刻蚀剖面呈圆弧形（见图 ）.这不仅使图形剖面发生变化,而且当稍有过刻蚀时剖面会产生如图 中的虚线,致使薄膜上图形的线宽比原抗蚀剂膜上形成的线宽小2 ,并且 随过刻蚀时间迅速增大.这使精确控制图形变得困难.湿法刻蚀的另一问题,是抗蚀剂在溶液中,特别在较高温度的溶液中易受破坏而使掩蔽失效,因而对于那些只能在这种条件下刻蚀的薄膜必须采用更为复杂的掩蔽方案. 对于采用微米级和亚微米量级线宽的超大规模集成电路,刻蚀方法必须具有较高的各向异性特性,才能保证图形的精度,但湿法刻蚀不能满足这一要求. 干法刻蚀 70年代末研究出一系列所谓干法刻蚀工艺.干法刻蚀有离子铣刻蚀、等离子刻蚀和反应离子刻蚀三种主要方法. ① 离子铣刻蚀：低气压下惰性气体辉光放电所产生的离子加速后入射到薄膜表面,裸露的薄膜被溅射而除去.由于刻蚀是纯物理作用,各向异性程度很高,可以得到分辨率优于 1微米的线条.这种方法已在磁泡存储器、表面波器件和集成光学器件等制造中得到应用.但是,这种方法的刻蚀选择性极差,须采用专门的刻蚀终点监测技术,而且刻蚀速率也较低. ② 等离子刻蚀：利用气压为10～1000帕的特定气体（或混合气体）的辉光放电,产生能与薄膜发生离子化学反应的分子或分子基团,生成的反应产物是挥发性的.它在低气压的真空室中被抽走,从而实现刻蚀.通过选择和控制放电气体的成分,可以得到较好的刻蚀选择性和较高的刻蚀速率,但刻蚀精度不高,一般仅用于大于4～5微米线条的工艺中. ③ 反应离子刻蚀：这种刻蚀过程同时兼有物理和化学两种作用.辉光放电在零点几到几十帕的低真空下进行.硅片处于阴极电位,放电时的电位大部分降落在阴极附近.大量带电粒子受垂直于硅片表面的电场加速,垂直入射到硅片表面上,以较大的动量进行物理刻蚀,同时它们还与薄膜表面发生强烈的化学反应,产生化学刻蚀作用.选择合适的气体组分,不仅可以获得理想的刻蚀选择性和速度,还可以使活性基团的寿命短,这就有效地抑制了因这些基团在薄膜表面附近的扩散所能造成的侧向反应,大大提高了刻蚀的各向异性特性.反应离子刻蚀是超大规模集成电路工艺中很有发展前景的一种刻蚀方法. 现代化的干法刻蚀设备包括复杂的机械、电气和真空装置,同时配有自动化的刻蚀终点检测和控制装置.因此这种工艺的设备投资是昂贵的.
‘玖’ 为何说刻蚀工艺在微加工工艺中是必不可少的步骤
目前越来越多的微加工中材料多为硅、石英等，硬度高、不导电，性脆，导致普通的机械加工无能为力，只能采用光刻、超声波、激光等手段来加工，但成本最低、工艺简单、应力最小的还属腐蚀工艺。
刻蚀工艺；
把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜（如氧化硅、氮化硅、多晶硅）或金属薄膜（如铝及其合金）上去，制造出所需的薄层图案。
刻蚀就是用化学的、物理的或同时使用化学和物理的方法，有选择地把没有被抗蚀剂掩蔽的那一部分薄膜层除去，从而在薄膜上得到和抗蚀剂膜上完全一致的图形。
刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀。干法刻蚀主要利用反应气体与等离子体进行刻蚀；湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法腐蚀。干法刻蚀是把硅片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口，与硅片发生物理或化学反应（或这两种反应），从而去掉曝露的表面材料。干法刻蚀是亚微米尺寸下刻蚀器件的最重要方法。而在湿法腐蚀中，液体化学试剂（如酸、碱和溶剂等）以化学方式去除硅片表面的材料。湿法腐蚀一般只是用在尺寸较大的情况下（大于3微米）。湿法腐蚀仍然用来腐蚀硅片上某些层或用来去除干法刻蚀后的残留物。
基本工艺要求理想的刻蚀工艺必须具有以下特点：①各向异性刻蚀，即只有垂直刻蚀，没有横向钻蚀。这样才能保证精确地在被刻蚀的薄膜上复制出与抗蚀剂上完全一致的几何图形；②良好的刻蚀选择性，即对作为掩模的抗蚀剂和处于其下的另一层薄膜或材料的刻蚀速率都比被刻蚀薄膜的刻蚀速率小得多，以保证刻蚀过程中抗蚀剂掩蔽的有效性，不致发生因为过刻蚀而损坏薄膜下面的其他材料；③加工批量大，控制容易，成本低，对环境污染少，适用于工业生产。