1. 复杂晶胞中原子的配位数怎么算
配位数的算法:
1.找出原子或离子的种类数
2.每一种原子或离子在晶胞中的个数(在晶胞内部算1,在晶胞侧面算0.5,在晶胞棱上算0.25,在晶胞顶点算0.125)
3.比一下就可以了
是不是相邻?就是看原子之间是不是还有别的原子
2. 晶体配位数口诀是什么
如果是离子晶体,阳离子的配位数是与之相连的阴离子的个数,反之亦然;
金属晶体配位数为与该金属原子相邻的金属原子个数;
原子晶体的配位数是与该原子键连的原子个数(通常为4)
配位数通常为2-8,也有高达10以上的,如铀和钍的双齿簇状硝酸根离子U(NO3)6、Th(NO3)6,及最近研究的PbHe15离子,该离子中铅的配位数至少为15。此概念也可延伸至任何化合物,也就是配位数等同于共价键键连数,例如,可以说甲烷中碳的配位数为4。这种说法通常不计π键。
(2)化学晶体配位数怎么算扩展阅读:
注:
1、体心立方结构的配位数为8。
2、密排六方结构中,只有当c/a=1.633时其配位数为12。如果c/a≠1.633,则有6个最近邻原子(同一层的6个原子)和6个次近邻原子(上、下层的各3个原子),故其配位数应记为(6+6)。
3. 化学选修3晶体最密堆积中配位数计算方法
高中阶段,配位数是靠看,看出来的,不是计算得到的。
1.
离子晶体中,与某离子最近且等距的异电性离子的个数,就是该离子的配位数。
2.
金属晶体中,与某原子最近且等距的原子的个数,就是该原子的配位数。
配位数与晶体结构或晶胞类型有关,且决定原子堆积的紧密程度。
有些数据是要记住的:
1.
体心立方堆积中原子配位数为8。
2.
六方紧密堆积和立方紧密堆积结构的配位数为12。
4. 晶体的配位数如何计算,主要是面心立方的
面心立方结构的晶体,其配位数是12.
以某一原子为原点,离它最近的即第一近邻其有12个原子,其距离为√2/2a,a为晶格常数.
5. 晶体的配位数怎么算
计算阳离子和阴离子的半径比
0.225-0.4144配位
0.414-0.7326配位
0.732-18配位
嗯,类似NaCl的就是6配位
CsCl就是8配位
晶体化学很复杂的……有的时候会因为相互极化作用导致配位数降低……
大致记住几个典型就好了
体心立方晶格(胞)(B.C.C晶格)
体心立方晶格的晶胞中,八个原子处于立方体的角上,一个原子处于立方体的中心,角上八个原子与中心原子紧靠。具有体心立方晶格的金属有钼(Mo)、钨(W)、钒(V)、α-铁(α-Fe,<912℃)等。
6. 晶体的配位数怎么算同种元素形成的晶体,不同种元素
金属晶体的配位数一般只计与该金属相距最近的原子;体心立方堆积的特殊,需要计8+6型
离子晶体的配位数只计与该离子电荷相反的距离最近的原子。
原子晶体按键连接计算即可。
7. 化学中 晶体的配位数怎么算啊 晶饱怎么算啊
其实很简单,晶胞计算分为面共用和顶点共用,面共用当做二分之一,顶点共用当做八分之一,如果嫌这样不好记,还可以先全部算进去,再减去多余的部分。如正方体有八个顶点,假如该正方体的八个顶点分别放一个元素A,六个面的中心部位有分布另外一种元素B,如果某物质的晶体结构的最小单位晶胞是由该正方体组成的话,那么该物质应该是A*8*1/8 = A*1 B*6*1/2 = B*3 物质是AB3
8. 配位数如何计算
配位数等同于共价键键连数。
配位数是化学中的一个重要概念,指的是分子或者离子中与一个原子相邻的原子个数。例如在甲烷(CH4)分子中,碳原子的配位数为4。通常来说某个原子的配位数等同于这个原子形成的共价键的个数。
晶体学中,配位数是晶格中与某一布拉维晶格相距最近的格子个数。配位数与晶体结构或晶胞类型有关,且决定原子堆积的紧密程度,体心立方晶系中原子配位数为8。
中心离子的配位数一般是2、4、6,最常见的是4和6,配位数的多少取决于中心离子和配体的性质──电荷、体积、电子层结构以及配合物形成时的条件,特别是浓度和温度。一般来讲,中心离子的电荷越高越有利于形成配位数较高的配合物。
(8)化学晶体配位数怎么算扩展阅读:
中心离子的半径越大,在引力允许的条件下,其周围可容纳的配体越多,配位数也就越大。例如Al与F可形成[AlF]配离子,体积较小的B(Ⅲ)原子就只能生成[BF]配离子。但应指出中心离子半径的增大固然有利于形成高配位数的配合物,但若过大又会减弱它同配体的结合,有时反而降低了配位数。如Cd可形成[CdCl]配离子,比Cd大的Hg,却只能形成[HgCl]配离子。
显然配位体的半径较大,在中心离子周围容纳不下过多的配体,配位数就减少。如F可与Al形成[AlF]配离子,但半径比F大的Cl、Br、I与Al只能形成[AlX]配离子(X代表Cl、Br、I离子)。
9. 配位数是如何确定的
配位数是化学中的一个重要概念,指的是分子或者离子中与一个原子相邻的原子个数。例如在甲烷(CH4)分子中,碳原子的配位数为4。通常来说某个原子的配位数等同于这个原子形成的共价键的个数。
晶体学中,配位数是晶格中与某一布拉维晶格相距最近的格子个数。配位数与晶体结构或晶胞类型有关,且决定原子堆积的紧密程度,体心立方晶系中原子配位数为8。
中心离子的配位数一般是2、4、6,最常见的是4和6,配位数的多少取决于中心离子和配体的性质──电荷、体积、电子层结构以及配合物形成时的条件,特别是浓度和温度。一般来讲,中心离子的电荷越高越有利于形成配位数较高的配合物。
(9)化学晶体配位数怎么算扩展阅读
中心原子的最高配位数决定于它在周期表中的周次。在周期表内,第1周期元素的最高配位数为2,第2周期元素的最高配位数为4,第3周期为6,以下为8、10。
最高配位数是指在配合物中,中心原子周围的最高配位原子数,实际上一般可低于最高数。由表可见,在实际中第1周期元素原子的配位数为2,第2周期不超过4。
除个别例外,第3、4周期不超过6,第5、6周期为8。最常见的配位数为4和6,其次为2、5、8。配位数为奇数的通常不如偶数的普遍。
10. 怎么算晶胞的原子配位数
配合物或晶体中一个微粒周围最近邻的微粒数称为配位数。配位数这个概念存在于配位化学和晶体学中,定义有所不同。配合物中的配位数是指直接同中心离子(或原子)配位的原子数目。晶体学中的配位数是指晶体中一个原子周围与其等距离的最近邻的原子数目。离子晶体中的配位数是指一个离子周围最近的异电性离子数目。高中阶段判断配合物或晶体中配位数的方法可作如下小结。
一、各种典型配合物中配位数的判断
1.配位数可以等同于中心离子(或原子)与配位原子形成的配位键键数,也可以等同于配位体的数目。
如[Ag(NH3)2]NO3、[Ag(CN)2]-、[Cu(NH3)4]SO4、[Cu(H2O)4]2+、
[Zn(NH3)4]2+、[Zn(CN)4]2-、K3[Fe(SCN)6]、[Fe(CN)6]3-、[FeF6]3-等配合物或配离子中的中心离子与配位体的数目以及配位原子形成的配位键键数均相等,其中Ag+离子的配位数为2,Cu2+离子与Zn2+离子的配位数均为4,Fe3+离子的配位数为6。
一般规律:一般配合物的配位数可以按中心离子电荷数的二倍来计算。
又如Ni(CO)4、Fe(CO)5、Cr(CO)6等羰基化合物中Ni、Fe 、Cr原子的配位数分别为4、5、6。[Co(NH3)4(H2O)2]Cl2、[CrCl(H2O)5]Cl2中Co2+离子与Cr3+离子的配位数均为6。
说明:羰基化合物中的中心原子呈电中性,此类配合物的配位数由化学式直接判断。Co2+离子与Cr3+离子的电荷数分别为2、3,但配位数都是6。所以,配合物的配位数不一定按中心离子(或原子)的电荷数判断。
2.当中心离子(或原子)与多基配体配合时,配位数可以等同于配位原子的数目,但不是配位体的数目。
如[Cu(en)2]中的en是乙二胺(NH2CH2CH2NH2)的简写,属于双基配体,每个乙二胺分子有2个N 原子与Cu2+离子配位,故Cu2+离子的配位数是4而不是2。
3.当中心离子(或原子)同时以共价键与配位键结合时,配位数不等于配位键的键数。
如[BF4]-、[B(OH)4]-、[AlCl4]-、[Al(OH)4]-等配离子中,B、Al原子均缺电子,它们形成的化学键,既有共价键,又有配位键,配位数与配位键的键数不相等,配位数均为4。
又如Al2Cl6()中Al原子的配位数为4。
再如酞菁钴的结构,钴离子的配位数为4。
4.当中心离子(或原子)与不同量的配位体配合时,其配位数为不确定。
如硫氰合铁络离子随着配离子SCN-浓度的增大,中心离子Fe3+ 与SCN- 可以形成配位数为1~6的配合物:[Fe(SCN-)n]3-n (n=1~6)。
注意:中心离子的配位数多少与中心离子和配体的性质(如电荷数、体积大小、电子层结构等)以及它们之间相互影响、配合物的形成条件(如浓度、温度等)有关。配合物的配位数由1到14,其中最常见的配位数为4和6。
二、各种典型晶体中配位数的判断
1.最密堆积晶体的配位数均为12。
如金属晶体中的两种最密堆积:面心立方最密堆积A1、六方最密堆积A3。
面心立方最密堆积A1,典型代表Cu、Ag、Au,因周围的原子都与该原子形成金属键,以立方体的面心原子分析,上、中、下层各有4个配位原子,故配位数为12。六方最密堆积A3,典型代表Mg、Zn、Ti,因周围的原子都与该原子形成金属键,以六方晶胞的面心原子分析,上、中、下层分别有3、6、3个配位原子,故配位数为12。
又如分子晶体中的干冰(),以立方体的面心CO2分子分析,上、中、下层各有4个CO2分子,故配位数为12。
2.体心立方堆积晶体的配位数为8。
如金属晶体中的体心立方堆积A2,典型代表Na、K、Fe,因立方体8个顶点的原子都与体心原子形成金属键,故配位数为8。
又如CsCl型离子晶体,CsCl晶体中,每个离子被处在立方体8个顶点带相反电荷的离子包围,Cl-离子和Cs+离子的配位数都为8。或以大立方体的面心Cs+离子分析,上、下层各有4个Cl-离子,配位数为8。
注意:每个Cl-(Cs+)离子周围等距且紧邻的Cl-(Cs+)在上下、左右、前后各2个,共6个,这不是真正的配位数。因为是同电性离子。
3.面心立方堆积晶体的配位数为6。
如NaCl型离子晶体,NaCl晶体中,每个离子被处在正八面体6个顶点带相反电荷的离子包围,Cl-离子和Na+离子的配位数都为6。
注意:每个Cl-(Na+)离子周围等距且紧邻的Cl-(Na+)在上、中、下层4个,共12个,这不是真正的配位数。因为是同电性离子。
又如金属晶体中的简单立方堆积,Po晶体中,立方体位于1个顶点原子的上下、前后、左右各有2个原子与其形成金属键,配位数为6。 4.配位数为4的几种晶体。
如ZnS型离子晶体,ZnS晶体中的S2-离子和Zn2+离子排列类似NaCl型,但相互穿插的位置不同,使S2-、Zn2+离子的配位数不是6,而是4。具体可将图示中分为8个小立方体,其中体心有4个S2-离子,每个S2-离子处于Zn2+离子围成的正四面体中心,故S2-离子的配位数是4。以大立方体的面心Zn2+离子分析,上、下层各有2个S2-离子,故Zn2+离子的配位数为4。Zn2+离子的配位数不易观察,亦可利用ZnS的化学式中的离子比为1∶1,推知Zn2+离子的配位数为4。
又如金刚石、碳化硅等原子晶体,与ZnS型离子晶体类似情况,配位数均为4。二氧化硅原子晶体中,Si与O原子形成的是硅氧四面体,Si的配位数为4,而SiO2的原子比为1∶2,故O的配位数是2。
再如CaF2型离子晶体,F-和Ca2+离子的配位数分别4和8。具体分析:每个F-离子处于Ca2+离子围成的正四面体中心,故F-离子的配位数是4。以大立方体的面心Ca2+离子分析,上、下层各有4个F-离子,故Ca2+离子的配位数为8。亦可利用CaF2的化学式中的离子比为1∶2,推知Ca2+离子的配位数是8。
还如在砷化镓晶胞结构,小黑点为镓原子,其配位数为4,砷化镓原子比为1∶1,故As原子的配位数也是4。
5.配位数为3的层状晶体。
如石墨或六方氮化硼等
6.链状结构的配位数为2。
如硫酸氧钛晶体中阳离子为链状聚合形式的离子,结构如图1所示。Ti、O原子的配位数均为2。