A. vasp 如何计算肖特基缺陷
有时候需要研究在晶体中有个带电荷的缺陷，比如氧离子是带-2价的。具体点如MgO中的氧离子跑到间隙里的情况。侠文介绍如何用VASP模拟这种带电体系。
比如你要计算MgO中负2价的氧离子这个间隙杂质，此时体系的原子是超原胞含64个，再加一个间隙氧原子。那么中性时体系的总电子数为N， 那么含-2价氧离子的体系的总电子数为N+2，设置NELECT= N+2。现在不管所谓的Dipole correction，你直接算用一个 gamma点，设置下面的参数:
LORBIT=1（对USPP）或11（对PAW)
对USPP，再加上设置RWIGS。
然后计算一下态密度，计算完后，你分析一下PROCAR文件，看gamma点，每个能级的分布，以及每个能级所对应的态(s, py, pz, px….)等，基本上可以看到你所加上的两个电子是局域在间隙的氧原子上的。
总的说起来，在计算带电杂质（或缺陷）的计算，通过NELECT=中性电子数+(-)杂质的电荷数。如果体系够大以及所带的电荷在+(-)2以内，不用考虑 Dipole Correction，因为此时Dipole Correction修正对体系的总能影响很小，对整个能级的影响很少。如果是体系较小（原 胞小）、杂质所带的电荷绝对值较大，需要考虑Dipole Correction。
B. 求教vasp 离子驰豫
设置IBRION=2 ISIF=3 NSW=400
C. 求助一个VASP计算稀土化合物的问题
这里不会有几个人知道VASP的, 建议去专业论坛 小木虫去问.
D. vasp怎么计算homo和lumo 得到的parchg文件如何处理
这两个名词属于前线轨道和前线电子的概念，是由福井谦一提出的，并获1981Nobel奖。已占有电子的能级最高的轨道称为最高已占轨道，用HOMO表示。未占有电子的能级最低的轨道称为最低未占轨道，用LUMO表示。HOMO、LUMO统称为前线轨道，处在前线轨道上的电子称为前线电子。HOMO：Highest Occupied Molecular OrbitalLUMO：Lower Unoccupied Molecular Orbital前线轨道理论认为：分子中有类似于单个原子的“价电子”的电子存在，分子的价电子就是前线电子，因此在分子之间的化学反应过程中，最先作用的分子轨道是前线轨道，起关键作用的电子是前线电子。这是因为分子的HOMO对其电子的束缚较为松弛，具有电子给予体的性质，而LUMO则对电子的亲和力较强，具有电子接受体的性质，这两种轨道最易互相作用，在化学反应过程中起着极其重要作用。其实这个原理在中学化学课上就讲过了，学过的朋友好好回忆一下，只不过这里用更加科学的术语重新描述。
E. 一般化学反应的焓变可以用vasp来计算吗
1.用ms先建一个表面，
2.对表面进行DFT优化，
3.对优化后的结构进行重现切面，要求结构不变，真空层厚度增加，
4.进行静态计算注意INCAR中LVTOT=.T，
5.对输出文件LOCPOT文件进行处理就可以了。
VASP是维也纳大学Hafner小组开发的进行电子结构计算和量子力学-分子动力学模拟软件包。它是目前材料模拟和计算物质科学研究中最流行的商用软件之一。
F. VASP计算，考虑范德华力时.需要怎么加Pb的力场参数
范德华力包括色散力,诱导力,取向力三种，分子间作用力不属于化学键，主要包括氢键，范德华力等。我们又规定氢键不属于范德华力，氢键作用力要强于范德华力而弱于离子键作用力。
G. VASP中Zn的化学势是多少
ms是一个很大的模块。
它包括各种软件。
其中有一个是castep， 它跟vasp很像。
vasp是第一性原理基于平面波赝势的软件。
H. 请教vasp如何使本征值按每条能带输出
看EIGENVAL这个输出文件。它里面给出的就是自己所选定的各个K点的一些列能带的本征值。正如你所说的，EIGENVAL里面是给定一个K点，然后就是各个能带的本征值。那么你要画出第n条，比如第5条能带，你就将每个K点的第5条能带值取出来。要确定哪些能带时pi带，我猜想要做原子的态密度分析，确定哪些原子轨道会形成pi键。
“在计算能带时是否可以按不同能带输出本征值？”。当然能，你已知道EIGENVAL保存数据规则，这只需要对EIGENVAL文件写个程序处理一下。
I. 如何用vasp求固体和原子化学势
20℃100g水溶解氯化钠36g故A、B确．澄清溶液饱溶液滤饱溶液剩余固体与关所加入水固体继续溶解变饱溶液加水变饱溶液D确．该溶液溶质质量数= 36g...
感觉这样的提问没有意义
建议自己下去查查资料
J. 学习vasp需要什么知识
最近也在研究VASP ，首先得懂点量子力学方面的，像密度泛函理论，第一性原理等等。。固体物理，会linux的简单操作，等等