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磷化镓晶体中含有哪些化学键

发布时间:2022-10-19 11:41:26

Ⅰ (2014临汾模拟)已知:(1)测定土壤中铁的含量时需先将三价铁还原为二价铁,再采用邻啡罗啉作显色剂,

(1)①铁原子失去最外层4s能级2个电子形成Fe2+,其核外电子排布式为1s22s22p63s23p63d6,价层电子排布式为3d6
故答案为:3d6
②羟胺(NH2OH)中氮原子含有3个σ键和1个孤电子对,所以其价层电子对个数是4,该分子属于三角锥形结构,采用sp3杂化;
故答案为:sp3
③配位数就是在配位个体中与一个形成体成键的配位原子的总数,所以Fe2+与邻啡罗啉形成的配合物(形成过程如图1)中,配位数为6;
故答案为:6;
(2)Cu(H2O)4SO4?H2O中硫酸根离子和Cu(H2O)42+存在离子键,O原子和铜原子之间存在配位键,H2O中H和O之间存在共价键,所以Cu(H2O)4SO4?H2O中所含的化学键有共价键、离子键、配位键;
故答案为:共价键、离子键、配位键;
(3)As和Se属于同一周期,且As属于第VA族,Se属于第VIA族,所以第一电离能As>Se,同一主族,从上到下,元素的第一电离逐渐减小,所以第一电离能As<P,则第一电离能:Se<As<P;
故答案为:Se<As<P;
(4)①每个碳原子含有的π键个数为

1
2
,所以1molC60分子中π键的数目为
1
2
×60×NA=30NA;C60采用面心立方最密堆积,其配位数为12;
故答案为:30NA;12;
②晶胞中C60分子间的最短距离为d cm,则棱长为2d×

Ⅱ 磷化镓的介绍

人工合成的化合物半导体材料。外观:橙红色透明晶体。磷化镓是一种由n从族元素镓(Ga)与vA族元素磷(P)人工合成的m- V族化合物半导体材料。

Ⅲ 【化学--物质结构与性质】半导体材料种类繁多,大规模集成电路的制造都是以硅单晶材料为主的,但IIIA-VA

(1)根据分子之间的作用力对物质性质的影响可知,氨分子之间有氢键,分子间作用力大,所以NH3的沸点比PH3的高,AsH3的相对分子质量大于PH3,所以AsH3的分子间作用力也大于PH3,所以沸点也高于PH3
故答案为:NH3分子之间有氢键,分子间作用力大,AsH3的相对分子质量大于PH3,所以AsH3的分子间范德华力也大于PH3
(2)PO43-中心原子为P,其中σ键电子对数为4,中心原子孤电子对数为

1
2
(5+3-4×2)=0,PO43-价层电子对对数为4+0=4,故立体构型为正四面体;原子总数相同,价电子总数相同的分子称为等电子体.PO43-中含有5个原子,32个价电子,所以与其互为等电子体的一种分子为四氯化碳,
故答案为:正四面体形;CCl4
(3)根据图可以看出,每个As与4个Ga以单键相连,每个Ga也与4个As以单键相连,而As最外层有5个电、Ga最外层有3个电子,只能形成三对共用电子对,它们之间有四个共价键,所以有一个配位键,As与Ga之间存在的单键是极性共价键,是σ键,
故答案为BEG;
(4)根据图2的分子结构可知,分子内含有6个氧原子,4个砷原子,化学式为As4O6,每个As原子形成3个共价键,又因为中心原子还有1对孤对电子,所以采用的是sp3杂化,
故答案为:As4O6;sp3
(5)锑(Sb)是51号元素,位于第五周期第ⅤA族,价电子数为5,所以价电子排布式为5s25p3
故答案为:5s25p3

Ⅳ Gap/gaAs 二种元素 磷化镓/砷化镓

磷化镓
磷化镓

GaP

人工合成的化合物半导体材料。橙红色透明晶体。磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃(),化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。磷化镓分为单晶材料和外延材料。工业生产的衬底单晶均为掺入硫、硅杂质的N型半导体。磷化镓单晶早期通过液相法在常压下制备;后采用液体覆盖直拉法。现代半导体工业生产磷化镓单晶都是在高压合成炉中,采用定向凝固工艺合成磷化镓多晶,进行适当处理后装入高压单晶炉进行单晶拉制。磷化镓外延材料是在磷化镓单晶衬底上通过液相外延或汽相外延加扩散生长的方法制得。多用于制造发光二极管。液相外延材料可制造红色、黄绿色、纯绿色光的发光二极管,汽相外延加扩散生长的材料,可制造黄色、黄绿色光的发光二极管。
砷化镓集成电路
用半导体砷化镓(GaAs)器件构成的集成电路。构成GaAs集成电路的器件主要有肖特基势垒栅场效应管、高电子迁移率晶体管和异质结双极晶体管。20世纪70年代初,由于高质量的GaAs外延材料和精细光刻工艺的突破,使GaAs集成电路的制作得到突破性进展。同硅材料相比,GaAs材料具备载流子迁移率高、衬底半绝缘以及禁带较宽等特征,因此用它制成的集成电路具有频率高、速度快、抗辐射能力强等优点。它的缺点是材料缺陷较多,集成规模受到限制,成本较高。GaAs集成电路可分为模拟集成电路如单片微波集成电路和数字集成电路两类。前者主要用于雷达、卫星电视广播、微波及毫米波通信等领域,后者主要用于超高速计算机及光纤通信等系统。

Ⅳ 磷化镓的化学式

磷化镓的化学式:

GaP。

磷化镓(分子式GaP)是一种化合物,主要用于半导体材料。

外观:橙红色透明晶体。

磷化镓是一种由ⅢA族元素镓(Ga)与VA族元素磷(P)人工合成的Ⅲ- V族化合物半导体材料。

Ⅵ 请问磷化镓晶体的族群 晶格参数abc和原子坐标是多少

空间群 F -4 3 m
a=5.4505
Ga 0,0,0 P 1/4,1/4,1/4
立方ZnS型

Ⅶ 磷化镓的物化性质

磷化镓的晶体结构为闪锌矿型,晶格常数5.447±0.06埃(),化学键是以共价键为主的混合键,其离子键成分约为20%,300K时能隙为2.26eV,属间接跃迁型半导体。磷化镓与其他大带隙Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如GaAS、 InP)相同,可通过引入深中心使费米能级接近带隙中部,如掺入铬、铁、氧等杂质元素可成为半绝缘材料。目前尚未得到非掺杂半绝缘材料。

Ⅷ 磷化镓、碳化硅、砷化镓是等电子体吗

以前做过砷化镓单晶生长(VGF法,又叫竖直布里奇曼法,竖直的,很奇怪哦),不过是操作工罢了,没那么深研究结果。刚搜了些你看有用不?

等电子体,指价电子数和原子数(氢等轻原子不计在内)相同的分子、离子或基团。有些等电子体化学键和构型类似。可用以推测某些物质的构型和预示新化合物的合成和结构。例如,N2、CO和NO+互为等电子体。它们都有一个σ键和两个π键,且都有空的反键π*轨道。根据金属羰基配位化合物的大量存在,预示双氮配位化合物也应存在,后来果真实现,且双氮、羰基、亚硝酰配位化合物的化学键和结构有许多类似之处。又如BH-和CH基团互为等电子体,继硼烷之后合成了大量的碳硼烷,且CH取代BH-后结构不变.

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