‘壹’ 在60mhz仪器中,某质子与tms的共振频率相差120hz,则该质子的化学位移是多少
要计算质子的化学位移,我们需要知道它与参考化合物(通常是四甲基硅烷,TMS)的共振李迟频率差。假设在一个60 MHz的核磁共振(NMR)仪器中,某个质子与TMS的共振频率相差120 Hz,那么它的化学位移可以通过以下公式计算:
化学位移 = (参考化合物的团扰手共振频率 - 样品的共振频率) / 参考化合物的共振频率
由于60 MHz NMR仪器的观测频率为60 MHz,即参考化合物TMS的共振频率为60 MHz,我们可以将上述公式简化为:
化学位移 = 120 Hz / 60 MHz = 0.002
因此,该质子的化学位移为0.002。通常,化学位移用单位ppm表示,因此可以将其转换为ppm,方法如下:塌嫌
化学位移(ppm)= 化学位移 × 10^6
化学位移(ppm)= 0.002 × 10^6 = 2000 ppm
因此,该质子的化学位移为2000 ppm。
‘贰’ 有机化学核磁共振的化学位移怎么看的
氢核外的电子云密度越小,化学位移越大。1那的是c,2那的是b,4.3那的是a,因为硝基是强吸电子基团,离这个基团越远,吸电子效应越弱。
非要具体算,你得找本参考书了,不过一般识谱没有这个必要。
‘叁’ 大学化学 有机化学 这个如何比较质子化学位移值详细解释
化学位移值与电子云密度有关。简单码嫌樱来说就是连吸电子基团迟丛处的质子化学位移值较大,比者乱如你的这个结构:c处因为直接与羰基相连,所以位移值最大,b处是与电负性元素氧相连,所以第二,a处与给电子基团亚甲基相连,所以位移值最小
‘肆’ 怎么判断1-硝基丙烷质子的化学位移呢,质子a和质子b的位移分别是哪个,怎么判断的
1-硝基丙烷:
CH3CH2CH2-NO2.
离硝基最近两个CH2的是质子a, 中间的是质子b, 甲基上的是质子c。
离吸电子取代基NO2越近, 受到的电子屏蔽越大, 化学越向低场, 化学位移越大 。因此化学位移ppm的顺序是:
a>b>c.
‘伍’ 关于有机物的化学位移值。为什么甲醛>苯>乙烯>乙炔
质子的化学位移
碳上质子的化学位移值取决于质子的化学环境。因此,我们也可以反过来由质子的化学位移推测质子的化学环境及分子的结构。各类质子的化学位移大体有一个范围,下面给出各类质子的粗略化学位移:
碳上的氢(H)
脂肪族CH(C上无杂原子) 0——2.0
β-取代脂肪族CH 1.0——2.0
炔氢 1.6——3.4
α-取代脂肪族CH(C上有O、N、X或与烯键、炔键相连) 1.5——5.0
烯氢 4.5——7.5
苯环、芳杂环上氢 6.0——9.5 醛基氢 9——10.5
氧上的氢(OH)
醇类 0.5——5.5 酚类 4.0——8.0 酸 9——13.0
氮上的氢(NH)
脂肪族0.6——3.5 芳香胺 3.0——5.0 酰胺 5——8.5
对于大部分有机化合物来说氢谱的化学位移值在0-13 ppm. 大致可分以下几个区
0-0.8 ppm :很少见,典型化合物; 环丙烷,硅烷,以及金属有机化合物。
0.8-1.5 ppm :烷烃区域. 氢直接与脂肪碳相连,没有强电负性取代基。化学位移地次序CH>CH2>CH3.。如果有更多的取代基化学位移移向低场。
2-3 ppm:羰基αH(醛、酮、羧酸、酯)、苄位碳H。
1.5-2ppm:烯丙位碳H
卤代烃(氯、溴、碘)同碳氢:2-4ppm,氟代烃:4-4.5
3.0-
4.5 ppm:醚区域。即醚,羟基或者酯基碳氧单键的αH如果有更多的电负性取代基化学位移移向低场。
5.0-7.0 ppm :双键区域,氢直接与C=C 双键相连。炔氢化学位移2-3。
7.0-8.0 ppm :芳环质子区域. 磁各向异性作用,导致芳环质子处于去屏蔽区。同样现象发生在醛由于羰基地磁各向异性,醛质子化学位移在9-10 ppm
-OH 可以出现在任何位置,谱线的性质由多重因此影响H的交换:pH.浓度,温度,溶剂等。一般芳环酚羟基更趋于低场。醇羟基0.5-5.5ppm,酚羟基4-8ppm 醇在DMSO中4.0-6.5
大多数的-NHR, -NH2和醇一样,可被交换,在2-3 ppm 区域显示宽峰。
脂肪胺 0.6-3.5ppm ,芳香胺3.0-5.0ppm。酰胺5-9ppm
-CO2H 可交换,像醇(>10 ppm)
‘陆’ 为什么苯环质子的化学位移比乙烯大
苯环上的氢原子受苯环的共轭宴察大π键影响,电子云被平均化,氢上的电子云密度减小,产生念祥闭较强的去屏蔽作用,故而化学位移为什么仔裂出现在低场.
‘柒’ 化学 有机化学 光谱题 质子化学位移值,a和b如何比较 详细点
还好我核磁共明镇振的知识还没忘。。
Hb的化学位移比Ha的化学位移要高。
因为芳环的大孙态π键是去屏蔽效应,为低场高位移,Ha环境中氢激凯粗原子数目越多屏蔽效应越强,为高场低位移。
这是我的笔记,希望对你有帮助。
‘捌’ 核磁共振的质子化学位移
由于不同类型的质子化学位移不同,因此化学位移值对于分辨各类质子是重要的,而确定质子类型对于阐明分子结构是十分有意义的。下表列出了一些特征质子的化学位移,表中黑体字的H是要研究的质子。 特征质子的化学位移质子的类型 化学位移 质子的类型 化学位移 RCH3 0.9 ArOH 4.5-4.7(分子内缔合10.5~16) R2CH2 1.3 R3CH 1.5 R2C=CR—OH 15~19(分子内缔合) 0.22 RCH2OH 3.4~4 R2C=CH2 4.5~5.9 ROCH3 3.5~4 R2C=CRH 5.3 RCHO 9~10 R2C=CR—CH3 1.7 RCOCR2—H 2~2.7 RC≡CH 7~3.5 HCR2COOH 2~2.6 ArCR2—H 2.2~3 R2CHCOOR 2~2.2 RCH2F 4~4.5 RCOOCH3 3.7~4 RCH2Cl 3~4 RC≡CCOCH3 2~3 RCH2Br 3.5~4 RNH2或R2NH 0.5~5(峰不尖锐,常呈馒头形) RCH2I 3.2~4 ROH 0.5~5.5(温度、溶剂
、浓度改变时影响很大) RCONRH或ArCONRH 5~9.4 甲烷氢的化学位移值为0.23,其它开链烷烃中,一级质子在高场δ≈0.91处出现,二级质子移向低场在δ≈1.33处出现,三级质子移向更低场在δ≈1.5处出现。例如: 烷烃 CH4 CH3—CH3 CH3—CH2—CH3 (CH3)3CH δ 0.23 0.86 0.86 0.91 1.33 0.91 0.86 1.50 甲基峰一般具有比较明显的特征,亚甲基峰和次甲基峰没有明显的特征,而且常呈很复杂的峰形,不易辨认。当分子中引人其它官能团后,甲基、次甲基及亚甲基的化学位移会发生变化,但其δ值极少超出0.7~4-5这一范围。
环烷烃能以不同构象形式存在,未被取代的环烷烃处在一确定的构象中时,由于碳碳单键的 各向异性屏蔽作用,不同氢的δ值略有差异。例如,在环己烷的椅型构象中,由于C-I上的平伏键氢处于C⑵ — C⑶键及C⑸ — C⑹键的去屏蔽区,而C-I上的直立键氢不处在去屏蔽区,(图环己烷的各向异性屏蔽效应)。所以平伏键氢比直立键氢的化学位移略高0.2~0.5。在低温(-100℃)构象固定时,NMR谱图上可以清晰地看出两个吸收峰,一个代表直立键氢,一个代表平伏键氢。但在常温下,由于构象的迅速转换(图环己烷构象的转换),一般只看到一个吸收峰(见右图)。
其它未取代的环烷烃在常温下也只有一个吸收峰。环丙烷的δ值为0.22,环丁烷的δ值为1.96,别的环烷烃的δ值在1.5左右。取代环烷烃中,环上不同的氢有不同的化学位移,它们的图谱有时呈比较复杂的峰形,不易辨认。 酯中烷基上的质子RCOOCH2R的化学位移δH=3.7~4。酰胺中氮上的质子RCONHR 的化学位移,一般在δ= 5~9.4之间,往往不能给出一个尖锐的峰。
羰基或氮基附近α碳上的质子具有类似的化学位移= 2~3,例如,CH3COCl δH=2.67,CH3COOCH3 δH=2.03, RCH2COOCH3 δH=2.13,CH3CONH2 δH= 2.08,RCH2CONH2 δH=2.23,CH3CN δH=1.98,RCH2CN δH=2.30。 醇的核磁共振谱的特点参见后文。醚α-H的化学位移约在3.54附近。
酚羟基氢的核磁共振的δ值很不固定,受温度、浓度、溶剂的影响很大,只能列出它的大致范 围。一般酚羟基氢的δ值在4~8范围内,发生分子内缔合的酚羟基氢的δ值在10.5~16范 围内。
羧酸H的化学位移在2~2.6之间。羧酸中羧基的质子由于受两个氧的吸电子作用,屏 蔽大大降低,化学位移在低场。R2CHCOOH δH=10~12。
胺中,氮上质子一般不容易鉴定,由于氢键程度不同,改变很大,有时N— H和C一H质子 的化学位移非常接近,所以不容易辨认。一般情况在α-H δH=2.7~3.1,β-H δ=1.1~1.71。N-H δ=0.5~5,RNH2,R2NH的δ值的大致范围在0.4~3.5,ArNH2,ArzNH,ArNHR的δ值的大 致范围在2.9~4.8之间。
‘玖’ “化学位移”
1.化学位移是由于电子的屏蔽作用而引起的核磁共振吸收位置的移动。
2.化学位移绝对值的差别很小,要精确测量难度很大,所以需要选定一个标准物质,将其核磁共振吸收峰的位置定为零,采用相对数值表示法来表示化合物吸收峰的位置。
3.常用的标准物质为四甲基硅烷(TMS), 化学位移=0。
原因:
(1)TMS为对称分子,四个甲基上所连H化学环境相同,属于化学等价质子,其吸收峰只有一个;
(2)硅与碳属于同一主族元素,电负性相差不大,TMS中的质子所受屏蔽作用较大,共振吸收峰出现在高场。
4.绝大多数有机物中质子所受屏蔽效应比TMS 小,吸收峰处于低场,在TMS吸收峰的左侧
5.影响化学位移的因素
(1) 电负性:
吸电子基团使得H核周围的电子云密度降低,屏蔽效应减小,化学渗旅位移值 增大;
给电子基团使得H核周围的电子云密度升高,屏蔽效应增大,化学位移值 减小。
(2) 值会随着H核与吸电子基团距离的增大而减小。
(可理解为:H核距离吸电子基团越远,H核周围电子云密度降低得越少,屏蔽效应越大,化学位移越销知小)
总结:
(1)化学位移与H核周围的电子云密度有关,可根据H核周围的电子云密度判断化合物吸收峰与标准物质吸收峰的位置关系。
(2)处于屏蔽区的质子,化学位移向高场移动;处于去屏蔽丛斗凳区的质子,化学位移向低场移动。
(3)高场位于标准物质的右边,低场位于标准物质的左边。
例如:卤素原子为吸电子基团,H核周围的电子云密度降低,屏蔽效应减小,化学位移值 增大,位于低场,在标准物质吸收峰的左边。
祝各位小伙伴们端午节快乐!过节也不忘学习哦~~~
‘拾’ 化学 有机化学 如何比较质子化学位移值解释一下
电子云的偏移。a上连了高电负性的氧,电子云偏离大卖枝明,h感 小,h有效 就大。另外,昨天问搭橡核磁共振的人也中告是你吧。。。