Ⅰ 网优中MOS值 是什么意思
MOS值是衡量通信系统话音质量的一个重要指标。
目前,MOS测试DT的方法主要是通过语音盒单元连接手机主叫的语音链路。所述通话手机的下行MOS值是通过所述通话手机发送标准语音波形实现的,所述通话手机通过网络到达。
将接收到的波形与发射出的波形进行比较计算,得到下行MOS,上行MOS是相反的过程。对于主叫手机的下行MOS值也为被叫手机的上行,因此主、被叫手机的MOS值是一样的。
影响MOS的主要因素:
由于PESQ算法考虑了整个信号传输过程的中断和衰减,而不仅仅是空气接口部分,影响MOS的主要因素有:语音编码方案(AMR、HR、FR或EFR)、Abis传输、Abis压缩、不连续传输(DTX)、C/I、开关频率和质量(RxQual)。对MOS等的影响。
目前影响MOS水平的最重要因素是语音编码方案,其次是频繁切换、LAPD压缩和质量(RxQual)。总之,在目前语音编码不变的前提下,合理控制过覆盖,减少频繁切换,尽力提高网络质量(RxQual),从而提高部分MOS的水平。
(1)mos是什么意思扩展阅读:
在国际标准中,统一使用MOS值来评价系统接收到的压缩语音质量:5优;4好;3可以接受;2差;糟糕,非常类似于俄罗斯教育系统的5分制。
如果我们衡量一个清晰的声音所需要的注意力的程度:5点是在没有注意力的情况下听;4 .要点是需要一点注意听;3点是需要一定的注意力去听;2 .需要相当注意的是很少听到;第一点是注意力很难被听到。
在MOS值语音质量评价方法中,将有线电话的语音质量标准设置为4点。如果使用一种算法来压缩语音,对于没有经过专门训练的耳朵来说,是不可能区分语音是否被压缩的。结果表明,语音质量已达到有线电话的水平,表明语音质量已达到4个点。
在实际网络中,无线语音MOS值为2.5-4点。语音MOS值测量有专门的MOS测试仪。一些设备制造商正在寻找网络端BLER与终端端的MOS测量之间的关系,预测和分析网络端的语音MOS值,从而达到测量语音质量而不是MOS测试仪的目的。
Ⅱ mos是指什么呢
mos是指半导体金属氧化物。
mos详细解释:Metal - Oxide - Silicon,金属 - 氧化硅 - 硅。
金属氧化物半导体因其独特的理化性能在众多的气敏材料中脱颖而出,在气敏传感过程中展现了更加宽广的气体浓度检测范围、更低的检测极限以及在高温和恶劣环境中更好的稳定性等优势,从而受到广泛的运用和研究。
半导体性能金属氧化物:
金属氧化物,特别是具有半导体性能的金属氧化物是氧化-还原型反应的有效催化剂。工业催化剂通常含有一个以上的金属氧化物组分,称为复合金属氧化物催化剂。
一般而言,其中至少有一种是过渡金属氧化物,各组分之间形成分子级混合,发生相互作用,调 节催化剂的电性能和表面酸性,提高催化活 性和选择性。
金属氧化物的分解产物有两种情况:
分解生成金属单质和氧气 这类反应的总规律是金属越活泼,形成的氧化物越稳定,越难分解; 反之则易分解。受热能分解的只有不活泼金属形成的氧化物,如氧化汞、氧化银等; 还有部分金属氧化物熔融状态时通电分解。
Ⅲ MOS是什么意思
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconctor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然.
MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS(高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.
以上答案如有不足,请多指教!
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Ⅳ 汽车mos是什么意思
汽车mos是MOS管。
汽车开关电源的应用中,无论是升压还是降压都是随着汽车MOS管的不断开闭而逐步变化的。这里选用汽车MOS管要考虑的是流过汽车MOS管的电流和耐受的电压,另外在应用中要考虑开关频率和阻尼的设计以及隔离MOS管产生的开关噪声等。
MOS管在低边电路的结构:
汽车mos,S端电压为0,只要控制G端电压达到GS电压阈值就能打开汽车MOS管。而高边应用则复杂些:GS电压达到阈值后,S端电压瞬间变为电源电压,因此为了维持导通,G端电压必须上升到电源电压+GS阈值电压才行。所以一般高边驱动都会增加一个升压模块,增加了成本。
在汽车mos应用中,因为接地点较多,短路到地的故障发生频率较高。这时候如果使用的是低边驱动,那就意味着负载会持续工作,很明显增大了负载失效的可能性。而如果是高边驱动,那就意味着负载不会被使能,负载停止工作。这样反而起到了保护作用。因此很多关键部件都是采用高边驱动,例如油泵。
Ⅳ MOS是什么有什么作用
你可以直接到网络中去查MOS管的资料。
mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconctor)场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的,他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。
目录
简介
详细介绍
编辑本段
简介
双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后,在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比(beta)。另一种晶体管,叫做场效应管(FET),把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconctance, 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端(称为gate)通过投影一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体,所以FET管的GATE电流非常小。最普通的FET用一薄层二氧化硅来作为GATE极下的绝缘体。这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管,或,金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)。因为MOS管更小更省电,所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。
编辑本段
详细介绍
首先考察一个更简单的器件-MOS电容-能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极,一个是金属,另一个是extrinsic silicon,他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。金属极就是GATE,而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地,gate接不同的电压来说明。MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中,这个电场使金属极带轻微的正电位,P型硅负电位。这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来,它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了,所以载流子浓度的变化非常小,对器件整体的特性影响也非常小。
当MOS电容的GATE相对于BACKGATE正偏置时发生的情况。穿过GATE DIELECTRIC的电场加强了,有更多的电子从衬底被拉了上来。同时,空穴被排斥出表面。随着GATE电压的升高,会出现表面的电子比空穴多的情况。由于过剩的电子,硅表层看上去就像N型硅。掺杂极性的反转被称为inversion,反转的硅层叫做channel。随着GATE电压的持续不断升高,越来越多的电子在表面积累,channel变成了强反转。Channel形成时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时,不会形成channel。当电压差超过阈值电压时,channel就出现了。
MOS电容:(A)未偏置(VBG=0V),(B)反转(VBG=3V),(C)积累(VBG=-3V)。
中是当MOS电容的GATE相对于backgate是负电压时的情况。电场反转,往表面吸引空穴排斥电子。硅表层看上去更重的掺杂了,这个器件被认为是处于accumulation状态了。
MOS电容的特性能被用来形成MOS管。Gate,电介质和backgate保持原样。在GATE的两边是两个额外的选择性掺杂的区域。其中一个称为source,另一个称为drain。假设source 和backgate都接地,drain接正电压。只要GATE对BACKGATE的电压仍旧小于阈值电压,就不会形成channel。Drain和backgate之间的PN结反向偏置,所以只有很小的电流从drain流向backgate。如果GATE电压超过了阈值电压,在GATE电介质下就出现了channel。这个channel就像一薄层短接drain和source的N型硅。由电子组成的电流从source通过channel流到drain。总的来说,只有在gate 对source电压V 超过阈值电压Vt时,才会有drain电流。
在对称的MOS管中,对source和drain的标注有一点任意性。定义上,载流子流出source,流入drain。因此Source和drain的身份就靠器件的偏置来决定了。有时晶体管上的偏置电压是不定的,两个引线端就会互相对换角色。这种情况下,电路设计师必须指定一个是drain另一个是source。
Source和drain不同掺杂不同几何形状的就是非对称MOS管。制造非对称晶体管有很多理由,但所有的最终结果都是一样的。一个引线端被优化作为drain,另一个被优化作为source。如果drain和source对调,这个器件就不能正常工作了。
晶体管有N型channel所有它称为N-channel MOS管,或NMOS。P-channel MOS(PMOS)管也存在,是一个由轻掺杂的N型BACKGATE和P型source和drain组成的PMOS管。如果这个晶体管的GATE相对于BACKGATE正向偏置,电子就被吸引到表面,空穴就被排斥出表面。硅的表面就积累,没有channel形成。如果GATE相对于BACKGATE反向偏置,空穴被吸引到表面,channel形成了。因此PMOS管的阈值电压是负值。由于NMOS管的阈值电压是正的,PMOS的阈值电压是负的,所以工程师们通常会去掉阈值电压前面的符号。一个工程师可能说,“PMOS Vt从0.6V上升到0.7V”, 实际上PMOS的Vt是从-0.6V下降到-0.7V。
Ⅵ MOS场效应管,其中MOS是什么意思啊!!!
MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconctor即半导体金属氧化物,它是集成电路中的材料,现在也可指代芯片.MOS内部的结构和二极管、三极管差不多,由P-N结构成,P是正的意思(positive),N是负的意思(negative).由于正负离子的作用,在MOS内部形成了耗尽层和沟道,耗尽层里的正负离子相互综合,达到了稳定的状态,而沟道是电子流通的渠道,耗尽层和沟道一般是相对的耗尽层窄了,沟道就宽了,反之亦然.
MOS的功能和三极管差不多主要是放大电路,MOS可分为HMOS(高密度MOS)和CMOS(互补MOS),两种合起来又有了CHMOS.
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参考资料:模拟书等
Ⅶ mos是什么意思 mos的解释
1、MOS是Microsoft Office Specialist的英文开头字母缩写,是微软办公软件使用的国际认证:国际权威职业化办公认证。
2、MOS考试人群的来源:来自外企:百事、毕马威、欧姆龙、松下等这样的一些企业,打破我原有认知的是,很多日资企业的也来考这个证书,有些日本留学生也来咨询,后来了解到,国外比国内考试费贵。来自学生:这其中有明确留学以及进入外企意愿的占绝大多数,因为在美国ACE下属的1600多所大学,可以抵免学分。私企:部分考生表明,有想换工作的意向,所以提前预备。事业单位。
Ⅷ 零售mos是什么意思啊
零售mos即零售形式的商业操作系统。
MOS是新商场商业操作系统,系统将品牌推广、商品营销、在线运营管理、数据分析等功能全部云端化。
MOS系统可以快速定位爆款产品,并一键生成导购人员专属推广链接。当客户通过链接下单后则可获得佣金分成,由此将线上营销线上化。
Ⅸ mos是什么意思
以金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管为主要元件构成的集成电路 。简称MOSIC 。1964年研究出绝缘栅场效应晶体管。直到1968年解决了MOS器件的稳定性,MOSIC得到迅速发展。与双极型集成电路相比,MOSIC具有以下优点:①制造结构简单,隔离方便。②电路尺寸小、功耗低适于高密度集成。③MOS管为双向器件,设计灵活性高。④具有动态工作独特的能力。⑤温度特性好。其缺点是速度较低、驱动能力较弱。一般认为MOS集成电路功耗低、集成度高,宜用作数字集成电路;双极型集成电路则适用作高速数字和模拟电路。
按晶体管的沟道导电类型,可分为P沟MOSIC、N沟MOSIC以及将P沟和N沟MOS晶体管结合成一个电路单元的互补MOSIC,分别称为PMOS 、NMOS和CMOS集成电路。随着工艺技术的发展,CMOS集成电路已成为集成电路的主流,工艺也日趋完善和复杂 ,由P阱或N阱CMOS发展到双阱CMOS工艺。80年代又出现了集双极型电路和互补金 属-氧化物-半导体(CMOS)电路优点的BiCMOS集成电路结构。按栅极材料可分为铅栅、硅栅、硅化物栅和难熔金属(如钼、钨)栅等MOSIC,栅极尺寸已由微米进入亚微米(0.5~1微米)和强亚微米(0.5微米以下)量级 。此外,还发展了不同的MOS集成电路结构的MOSIC:如浮栅雪崩注入MOS(FAMOS)结构,用于可擦写只读存贮器;扩散自对准MOS(DMOS)结构和V型槽MOS结构等,可满足高速、高电压要求。近年来发展了以蓝宝石为绝缘衬底的CMOS结构,具有抗辐照、功耗低和速度快等优点。MOSIC广泛用于计算机、通信、机电仪器、家电自动化、航空航天等领域,可使整机体积缩小、工作速度快、功能复杂、可靠性高、功耗低和成本便宜等。