迁移率的物理含义是什么意思

‘壹’ 总迁移率的名词解释

某地区的总迁移率是指某地区迁出人口加上迁出人口除以年平均人口，
总迁移率=（迁出人口+迁入人口）/（（年出人口+年末人口）/2）。
例，某地区2020年1月1日总人口为100万人，迁出人口为10万人，迁入人口为20万人，2021年1月1日总人口为110万人，则总迁移率为（10+20）/105

‘贰’ 载流子迁移率的概念

电子运动速度等于迁移率乘以电场强度 ，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，低掺杂硅材料中，电子的迁移率为1350(很明显用公式排版不好看，建议网络改进)，而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。
迁移率主要影响到晶体管的两个性能：
一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构。
二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关转换速度。
一般来说P型半导体的迁移率是N型半导体的1/3到1/2.。

‘叁’ 机械迁移率的定义是什么

非均相混合物的特点是体系内包含一个以上的相,相界面两侧物质的性质完全不同,如由固体颗粒与液体构成的悬浮液,由固体颗粒与气体构成的含尘气体等.这类混合物的分离就是将不同的相分开,通常采用机械的方法.

‘肆’ 离子迁移率的离子迁移率

离子在电场作用下的运动称为电迁移，它的存在是电解质溶液导电的必要条件。
某种离子在一定的溶剂中，当电位梯度为每米1伏特时的迁移速率称为此种离子的淌度，单位是米2·秒-1·伏特-1。离子淌度是代表离子迁移速率特征的物理量。离子迁移率主要取决于溶液中阴、阳离子的运动速度，故凡是能影响离子运动速度的因素均有可能影响离子迁移率。而离子在电场中的运动速度除了与离子本性及溶剂性质有关外，还与温度、浓度及电场强度等因素有关。

‘伍’ 载流子的迁移率和浓度的单位分别是什么

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构. 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关形影速度。
参考资料：http://www.ice.net/Article/xinpian/zdq/200707/6664.html

‘陆’ 电泳迁移率的含义是指

在实际操作中，为了不考虑不同电压对电泳速度的影响，我们常用迁移率（ move rate,M ）来表示带电颗粒的电泳特性，迁移率指带电颗粒在单位电场强度下的电泳速度，带电颗粒的净电荷越多，分子颗粒越小，在电场中的迁移率就越快；反之越慢

‘柒’ 迁移率计算公式

迁移率计算公式：μ=L2/（tTR×V）L。迁移率（mobility）是指单位电场强度下所产生的载流子平均漂移速度。它的单位是厘米2/（伏·秒）。迁移率代表了载流子导电能力的大小，它和载流子（电子或空穴）浓度决定了半导体的电导率。
电场强度是用来表示电场的强弱和方向的物理量。实验表明，在电场中某一点，试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力与其所带电荷的比值是一个与试探点电荷无关的量。于是以试探点电荷（正电荷）在该点所受电场力的方向为电场方向，以前述比值为大小的矢量定义为该点的电场强度，常用E表示。

‘捌’ 载流子迁移率的单位是什么

c㎡/v·s，载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

(8)迁移率的物理含义是什么意思扩展阅读：

迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究 。

迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v 与电场强度E 成正比。

‘玖’ 什么是载流子的迁移率

迁移率是指载流子（电子和空穴）在单位电场作用下的平均漂移速度，即载流子在电场作用下运动速度的快慢的量度，运动得越快，迁移率越大；运动得慢，迁移率小。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率不同，一般是电子的迁移率高于空穴。如室温下，轻参杂硅材料中，电子的迁移率为1350cm^2/（VS），而空穴的迁移率仅为480cm^2/(VS)。 迁移率主要影响到晶体管的两个性能： 一是载流子浓度一起决定半导体材料的电导率（电阻率的倒数）的大小。迁移率越大，电阻率越小，通过相同电流时，功耗越小，电流承载能力越大。由于电子的迁移率一般高于空穴的迁移率，因此，功率型MOSFET通常总是采用电子作为载流子的n沟道结构，而不采用空穴作为载流子的p沟道结构. 二是影响器件的工作频率。双极晶体管频率响应特性最主要的限制是少数载流子渡越基区的时间。迁移率越大，需要的渡越时间越短，晶体管的截止频率与基区材料的载流子迁移率成正比，因此提高载流子迁移率，可以降低功耗，提高器件的电流承载能力，同时，提高晶体管的开关形影速度。

‘拾’ 原子迁移率的准确定义

Phase separation causes to one phase in two liquid phases have compared to the
mother phase obvious big atom mobility urges the system to be even nucleation.
There are some indefinite factors between phase separation and crystallizations.相分离导致两液相中的一相具有比母相明显大原子迁移率来促使系统均匀成核,相分离和结晶之间也存在着一些不确定的因素。