半导体物理q值是什么

‘壹’ Q值的定义是什么以及如何测量

是什么？物理吗？
如果是物理的话那么Q值的意义为热量
计算公式为Q=cm（t2-t1）
Q为热量，C为比热容（焦耳每千克摄示度），M为质量（kg），t2为变化后的温度，t1为原温度，（t2-t1）为一个三角形符号加上t，意为温度的变化（摄示度）

‘贰’ 电子元件符号、作用、单位大全

电子元器件基础知识（1）——电阻

导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：

国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等例如：RT11型普通碳膜电阻

电子元器件基础知识（2）——电容

电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合，旁路，滤波，调谐回路，能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF

电容器的型号命名方法国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介

电子元器件基础知识（3）——电感线圈

电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利(mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。

电感的分类按电感形式分类：固定电感、可变电感。按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。按工作性质分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。按绕线结构分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。

电感线圈的主要特性参数1、电感量L电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。2、感抗XL电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL3、品质因素Q品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。4、分布电容线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。

电子元器件基础知识（4）——半导体器件

中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高频小功率管（f>3MHz,Pc<1W）、D-低频大功率管（f<3MHz,Pc>1W）、A-高频大功率管（f>3MHz,Pc>1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

电流表PA

电压表PV

有功电度表PJ

无功电度表PJR

频率表PF

相位表PPA

最大需量表(负荷监控仪)PM

功率因数表PPF

有功功率表PW

无功功率表PR

无功电流表PAR

声信号HA

光信号HS

指示灯HL

红色灯HR

绿色灯HG

黄色灯HY

蓝色灯HB

白色灯HW

连接片XB

插头XP

插座XS

端子板XT

电线,电缆,母线W

直流母线WB

插接式(馈电)母线WIB

电力分支线WP

照明分支线WL

应急照明分支线WE

电力干线WPM

照明干线WLM

应急照明干线WEM

滑触线WT

合闸小母线WCL

控制小母线WC

信号小母线WS

闪光小母线WF

事故音响小母线WFS

预告音响小母线WPS

电压小母线WV

事故照明小母线WELM

避雷器F

熔断器FU

快速熔断器FTF

跌落式熔断器FF

限压保护器件FV

电容器C

电力电容器CE

正转按钮SBF

反转按钮SBR

停止按钮SBS

紧急按钮SBE

试验按钮SBT

复位按钮SR

限位开关SQ

接近开关SQP

手动控制开关SH

时间控制开关SK

液位控制开关SL

湿度控制开关SM

压力控制开关SP

速度控制开关SS

温度控制开关,辅助开关ST

电压表切换开关SV

电流表切换开关SA

整流器U

可控硅整流器UR

控制电路有电源的整流器VC

变频器UF

变流器UC

逆变器UI

电动机M

异步电动机MA

同步电动机MS

直流电动机MD

绕线转子感应电动机MW

鼠笼型电动机MC

电动阀YM

电磁阀YV

防火阀YF

排烟阀YS

电磁锁YL

跳闸线圈YT

合闸线圈YC

气动执行器YPA,YA

电动执行器YE

发热器件(电加热)FH

照明灯(发光器件)EL

空气调节器EV

电加热器加热元件EE

感应线圈,电抗器L

励磁线圈LF

消弧线圈LA

滤波电容器LL

电阻器,变阻器R

电位器RP

热敏电阻RT

光敏电阻RL

压敏电阻RPS

接地电阻RG

放电电阻RD

启动变阻器RS

频敏变阻器RF

限流电阻器RC

光电池,热电传感器B

压力变换器BP

温度变换器BT

速度变换器BV

时间测量传感器BT1,BK

液位测量传感器BL

温度测量传感器BH,BM

‘叁’ 三极管的Q值表示什么啊

Q点是三极管构成的放大电路的“静态工作点”
如果静态工作点设置的不好，放大后容易失真。
Q值说的是静态工作点的参数，一般就是基极电压Vb，集电极电流Ic和集电极发射极电压Vce

静态工作点要在直流条件下设置，也就是没信号输入的时候。和偏置电阻有关系，电路一旦定了，静态工作点就设置好了。

‘肆’ 电容的Q值和D值指的是什么

电容的Q值和D值：Q值为品质因素，D 值为损耗角因素，也叫TAN&损耗角。

Q值相当于D值的倒数，因此二者是成反比关系的。它们是衡量电容器的主要参数，Q值越高，其损耗越小，效率越高。

(4)半导体物理q值是什么扩展阅读

电容

电学物理量之一

电容（Capacitance）亦称作“电容量”，是指在给定电位差下的电荷储藏量，记为C，国际单位是法拉（F）。一般来说，电荷在电场中会受力而移动，当导体之间有了介质，则阻碍了电荷移动而使得电荷累积在导体上，造成电荷的累积储存，储存的电荷量则称为电容。

电容是指容纳电场的能力。任何静电场都是由许多个电容组成，有静电场就有电容，电容是用静电场描述的。一般认为：孤立导体与无穷远处构成电容，导体接地等效于接到无穷远处，并与大地连接成整体。

电容（或称电容量）是表现电容器容纳电荷本领的物理量。电容从物理学上讲，它是一种静态电荷存储介质，可能电荷会永久存在，这是它的特征，它的用途较广，它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、滤波、补偿、充放电、储能、隔直流等电路中。

电容器所带电量Q与电容器两极间的电压U的比值，叫电容器的电容。在电路学里，给定电势差，电容器储存电荷的能力，称为电容（capacitance），标记为C。采用国际单位制，电容的单位是法拉（farad），标记为F。

电容的作用

1、旁路

旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地电位是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降 。

2、去耦

去耦，又称解耦。从电路来说， 总是可以区分为驱动的源和被驱动的负载。如果负载电容比较大， 驱动电路要把电容充电、放电， 才能完成信号的跳变，在上升沿比较陡峭的时候， 电流比较大， 这样驱动的电流就会吸收很大的电源电流，由于电路中的电感，电阻（特别是芯片管脚上的电感）会产生反弹，这种电流相对于正常情况来说实际上就是一种噪声，会影响前级的正常工作，这就是所谓的“耦合”。

去耦电容就是起到一个“电池”的作用，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰，在电路中进一步减小电源与参考地之间的高频干扰阻抗。

将旁路电容和去耦电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去耦合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提供一条低阻抗泄放途径。

高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般取0.1μF、0.01μF 等；而去耦合电容的容量一般较大，可能是10μF 或者更大，依据电路中分布参数、以及驱动电流的变化大小来确定。

旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别 。

3、滤波

从理论上（即假设电容为纯电容）说，电容越大，阻抗越小，通过的频率也越高。但实际上超过1μF 的电容大多为电解电容，有很大的电感成份，所以频率高后反而阻抗会增大。有时会看到有一个电容量较大电解电容并联了一个小电容，这时大电容滤低频，小电容滤高频。电容的作用就是通交流隔直流，通高频阻低频。电容越大高频越容易通过。

具体用在滤波中，大电容（1000μF）滤低频，小电容（20pF）滤高频。曾有网友形象地将滤波电容比作“水塘”。由于电容的两端电压不会突变，由此可知，信号频率越高则衰减越大，可很形象的说电容像个水塘，不会因几滴水的加入或蒸发而引起水量的变化。它把电压的变动转化为电流的变化，频率越高，峰值电流就越大，从而缓冲了电压。滤波就是充电，放电的过程。

4、储能

储能型电容器通过整流器收集电荷，并将存储的能量通过变换器引线传送至电源的输出端。电压额定值为40～450VDC、电容值在220～150 000μF 之间的铝电解电容器是较为常用的。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW 的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

参考资料来源：网络-电容

‘伍’ 电容的Q值是什么,高好还是低好

电容Q值实质上就是代表该电容的品质因数，我们知道任何一个电容器都不会是理想的电容器，在电容器通过交流信号时都会或多或少的产生功率损耗，这个损耗主要消耗在电容器本身的等效串联电阻和两极间的绝缘介质上。通常为了表示该电容器品质好坏用某一频率下电容器损耗功率与电容器存储功率(无功功率)之比来表示，这个比值就是该电容器的Q值。说到这里不再解释你也会知道当然是Q值越高越好了。

‘陆’ 电子元件的符号。作用。单位

电子元器件基础知识（1）——电阻导电体对电流的阻碍作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧，分别用Ω、KΩ、MΩ表示。一、电阻的型号命名方法：国产电阻器的型号由四部分组成（不适用敏感电阻）第一部分：主称 ，用字母表示，表示产品的名字。如R表示电阻，W表示电位器。第二部分：材料 ，用字母表示，表示电阻体用什么材料组成，T-碳膜、H-合成碳膜、S-有机实心、N-无机实心、J-金属膜、Y-氮化膜、C-沉积膜、I-玻璃釉膜、X-线绕。第三部分：分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1-普通、2-普通、3-超高频 、4-高阻、5-高温、6-精密、7-精密、8-高压、9-特殊、G-高功率、T-可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同类产品中不同品种，以区分产品的外型尺寸和性能指标等 例如：R T 1 1 型普通碳膜电阻电子元器件基础知识（2）——电容电容是电子设备中大量使用的电子元件之一，广泛应用于隔直，耦合， 旁路，滤波，调谐回路， 能量转换，控制电路等方面。用C表示电容，电容单位有法拉（F）、微法拉（uF）、皮法拉（pF）,1F=10^6uF=10^12pF 电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成（不适用于压敏、可变、真空电容器）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。 第二部分：材料，用字母表示。 第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。 第四部分：序号，用数字表示。 用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介电子元器件基础知识（3）——电感线圈电感线圈是由导线一圈*一圈地绕在绝缘管上，导线彼此互相绝缘，而绝缘管可以是空心的，也可以包含铁芯或磁粉芯，简称电感。用L表示，单位有亨利(H)、毫亨利 (mH)、微亨利(uH)，1H=10^3mH=10^6uH。电感的分类 按 电感形式 分类：固定电感、可变电感。 按导磁体性质分类：空芯线圈、铁氧体线圈、铁芯线圈、铜芯线圈。 按 工作性质 分类：天线线圈、振荡线圈、扼流线圈、陷波线圈、偏转线圈。 按 绕线结构 分类：单层线圈、多层线圈、蜂房式线圈。电感线圈的主要特性参数 1、电感量L 电感量L表示线圈本身固有特性，与电流大小无关。除专门的电感线圈（色码电感）外，电感量一般不专门标注在线圈上，而以特定的名称标注。 2、感抗XL 电感线圈对交流电流阻碍作用的大小称感抗XL，单位是欧姆。它与电感量L和交流电频率f的关系为XL=2πfL 3、品质因素Q 品质因素Q是表示线圈质量的一个物理量，Q为感抗XL与其等效的电阻的比值，即：Q=XL/R 线圈的Q值愈高，回路的损耗愈小。线圈的Q值与导线的直流电阻，骨架的介质损耗，屏蔽罩或铁芯引起的损耗，高频趋肤效应的影响等因素有关。线圈的Q值通常为几十到几百。 4、分布电容 线圈的匝与匝间、线圈与屏蔽罩间、线圈与底版间存在的电容被称为分布电容。分布电容的存在使线圈的Q值减小，稳定性变差，因而线圈的分布电容越小越好。电子元器件基础知识（4）——半导体器件 中国半导体器件型号命名方法半导体器件型号由五部分（场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分）组成。五个部分意义如下：第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时：A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时：A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的内型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz>3MHz,Pc<1W>1W）、A-高频大功率管（f<3MHz,Pc<1W）、T-半导体晶闸管（可控整流器）、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用数字表示序号第五部分：用汉语拼音字母表示规格号例如：3DG18表示NPN型硅材料高频三极管电流表 PA 电压表 PV 有功电度表 PJ 无功电度表 PJR 频率表 PF 相位表 PPA 最大需量表(负荷监控仪) PM 功率因数表 PPF 有功功率表 PW 无功功率表 PR 无功电流表 PAR 声信号 HA 光信号 HS 指示灯 HL 红色灯 HR 绿色灯 HG 黄色灯 HY 蓝色灯 HB 白色灯 HW 连接片 XB 插头 XP 插座 XS 端子板 XT 电线,电缆,母线 W 直流母线 WB 插接式(馈电)母线 WIB 电力分支线 WP 照明分支线 WL 应急照明分支线 WE 电力干线 WPM 照明干线 WLM应急照明干线 WEM滑触线 WT合闸小母线 WCL控制小母线 WC信号小母线 WS闪光小母线 WF事故音响小母线 WFS预告音响小母线 WPS电压小母线 WV事故照明小母线 WELM避雷器 F熔断器 FU快速熔断器 FTF跌落式熔断器 FF限压保护器件 FV电容器 C 电力电容器 CE 正转按钮 SBF反转按钮 SBR停止按钮 SBS紧急按钮 SBE试验按钮 SBT复位按钮 SR限位开关 SQ接近开关 SQP手动控制开关 SH时间控制开关 SK液位控制开关 SL湿度控制开关 SM压力控制开关 SP速度控制开关 SS温度控制开关,辅助开关 ST电压表切换开关 SV电流表切换开关 SA整流器 U可控硅整流器 UR控制电路有电源的整流器 VC变频器 UF变流器 UC逆变器 UI电动机 M 异步电动机 MA 同步电动机 MS 直流电动机 MD 绕线转子感应电动机 MW 鼠笼型电动机 MC电动阀 YM电磁阀 YV防火阀 YF排烟阀 YS电磁锁 YL跳闸线圈 YT合闸线圈 YC气动执行器 YPA,YA电动执行器 YE发热器件(电加热) FH照明灯(发光器件) EL空气调节器 EV电加热器加热元件 EE感应线圈,电抗器 L 励磁线圈 LF 消弧线圈 LA 滤波电容器 LL 电阻器,变阻器 R 电位器 RP 热敏电阻 RT 光敏电阻 RL 压敏电阻 RPS 接地电阻 RG 放电电阻 RD 启动变阻器 RS 频敏变阻器 RF 限流电阻器 RC 光电池,热电传感器 B压力变换器 BP温度变换器 BT速度变换器 BV时间测量传感器 BT1,BK液位测量传感器 BL温度测量传感器 BH,BM

‘柒’ 晶振 的Q值是什么意思有何意义

晶振的Q值称为“品质因数”。Q值大，说明内阻小、损耗小、需要的激励功率小、容易起振。

‘捌’ q值是什么

Q值是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。 电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。
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Q value
(一)共聚反应中单体和自由基的活性与结构有关，可用Q因子(单体共轭效应因子)和e因子(单体极性因子)描述。为了求出Q值和e值，选定苯乙烯为参考单体，定其Q值为1,e值为-0.8。可由Q-e概念中的定量公式 r1=k11/k12=Q1/Q2exp[-e1(e1-e2)] r1=k22/k21=Q2/Q1exp[-e2(e2-e1)]求得另一单体的Q和e值。
(二)核反应产物处于基态时的反应能。对于核反应A(a,b)B来说，Q=(EB+Eb)-(Ea+EA)
(三)Q值：
首先应用于电气电子工程的概念，用于描述回路的质量，即Q=电感电容等储能器件携带的能量÷电阻的损耗功率。
衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的Q值越高，其损耗越小，效率越高。电感器品质因数的高低与线圈导线的直流电阻、线圈骨架的介质损耗及铁心、屏蔽罩等引起的损耗等有关。 也有人把电感的Q值特意降低的，目的是避免高频谐振增益过大。降低Q值的办法可以是增加绕组的电阻或使用功耗比较大的磁芯。
随后用于系统论，描述任何可储能器件的性能（比如LC震荡回路、激光谐振腔、FP标准具），即Q=腔内能量÷损耗功率。可见，Q值是储能器件受震荡驱动力和阻尼力的矛盾作用的结果。当Q值〉0.5时，系统为欠阻尼系统，有限长时间内可以震荡一个周期以上；当Q值〈0.5时，系统为过阻尼系统，由于损耗严重，震荡不超过一个周期。特别地，当Q值=0.5时，系统是临界阻尼系统，即在驱动力和阻尼力的联合作用下，震荡一个周期需要无限长时间。
通过对Q值的调节，产生了一些很有趣很有用的工程技术。例如激光的调Q技术。

‘玖’ Q值和FIC是什么意思

Q值是衡量电感器件的主要参数。是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。
FIC总部在美国。其分公司遍布世界各地。旗下的FIC影视集团是影视公司，FIC曾推出“群英”系列游戏。