半导体物理与器件教材哪个好

⑴ 半导体物理与器件是施敏的好还是Donald A. Neamen的好

微电子研究生采用施敏的较好，内容丰富；微电子本科生还是采用Donald A. Neamen的较好，内容简明一些。
参见“http://blog.163.com/xmx028@126/”。

⑵ 半导体物理相关的好书籍有哪些

半导体物理可以看刘恩科的；讲器件的书比较多，我看的陈星弼张庆中的《晶体管原理与设计》，公式推导很多，自学的话比较吃力
功率器件方面，看 Jayant Baliga 《Fundamentals of Power Semiconctor Devices》，很全面。如果觉得内容太多，可以看电子科大张波教授的精简版《Power Semiconctor Devices and Smart Power ICs》
半导体物理再往底，就是固体电子学，然后是量子力学，都是硬骨头，不好啃的

⑶ 学习微电子基础知识，学了半导体物理后还需要学什么器件应该看什么样的书

半导体物理 电子器件 模电 数电
以上4门为微电子基本科目
本科的集成工艺那些，基本都是泛泛而谈，不会深入。

英文的：《Semiconctor Physics and Devices》 [美] Donald A. Neamen着 有中译本：《半导体物理与器件》，包括了半导体物理和电子器件2门核心课
或者： 《Introction to Semiconctor Devices》 也是上个人的
至于工艺，就那10多个步骤...现在都是软件直接仿，主要理论是半导体物理的，还真不知道有啥英文原版书....

⑷ 半导体物理学应该怎么学

半导体物理最好最普遍的教材是刘恩科的，现在已经出到第七版了。如果你用的是刘恩科的书，建议买一本配套的习题集（刘恩科教材后面会有推荐的），貌似是田敬民（没记错名字的话）编的。先把课本看懂，尤其是重点的知识点和物理过程，多看几遍，把书上的物理过程按照图，自己能溜一遍，就说明你能把书上的知识理解并且自己表达出来了。再结合课后习题和习题集做就可以了~~如果是考研的话，多看几遍书，每遍对物理过程都会有新的体会~~~

⑸ 小弟考研想考清华的半导体物理，器件及集成电路，不知现在本科阶段应该看些什么书

您好，具体信息可以查看清华大学研究生院招生信息：
http://yz.tsinghua.e.cn/docinfo/board/boardlist.jsp?columnId=02902&parentColumnId=029
以下为相关信息：
初试内容：
①101思想政治理论②201英语一③301数学一④831半导体物理 、器件及集成电路
其中清华大学研招办官方不指定具体参考书，本参考书信息由清华大学本专业部分研究生提供，仅供参考：
831 半导体物理 、器件及集成电路
《半导体物理与器件》（第三版） 电子工业出版社，ISBN: 712100863 (美) Donald A. Neamen着; 赵毅强, 姚素英, 谢晓东等译
《数字集成电路设计－电路、系统与设计》 电子工业出版社，2004. Jan M.Rabaey等着，周润德等译
《半导体物理学》 电子工业出版社（第6版）或其它出版社（第1－5版）。不考其中的第十三章“非晶态半导体”。 刘恩科、朱秉升、罗晋生等编着
模拟CMOS集成电路设计 西安交通大学出版社 毕乍得.拉扎维

复试时专业综合考试内容：半导体物理、器件及集成电路
清华大学2013年硕士生入学考试复试资格基本要求
理学[07] (不含科学技术史[0712])
总分315 政治和外语50 业务课一80 业务课二80
复试内容
复试一般包含以下内容：
① 笔试或实践（实验）能力测试
按招生专业目录公布的复试笔试内容组织考试，时间为120分钟，笔试满分为100分。条件许可的院系可单独组织对考生的实践（实验）能力考核。
②面试
面试可采取口试、笔试或两者兼而有之的方式。面试时将核查考生的准考证和身份证件，重点考察考生的专业素质和能力、创新精神和创新能力、思想状况、外语听说能力等。
③体检
参照教育部、卫生部、中国残联制订的《普通高等学校招生体检工作指导意见》（教学[2003]3号）执行。
4．对同等学力考生的加试
入围复试的同等学力考生（含成人高等学校应届本科毕业生）复试时，必须加试与报考专业相关的本科主干课程，其中笔试科目不少于两门。笔试时间每门为3小时，试卷满分为100分。
录取
1.所有拟录取考生都必须经过复试。各院系自行决定考生初试和复试总成绩计算办法，严格按考生总成绩排名择优录取。
2.对有特殊才能和突出贡献的考生，如在各项国际或国家级大赛中获奖，或在相关领域发表过较高水平学术论文，录取时予以优先考虑。
3.复试中，面试成绩小于60分者；思想政治素质和道德品质考核及体检结果不合格者；同等学力考生的加试课程成绩不合格者，视为复试不合格，均不予录取。
4.单考生总成绩原则上也按照上述办法进行排序，择优选拔。单考生不得调剂录取。
5.校内调剂录取的考生，必须由录取院系进行复试。考生必须达到原报考专业的清华大学学科门类复试基本要求，方可在相同或相近专业之间进行校内调剂。相互调剂的专业统考科目必须一致，且业务课考试科目须相同或相近。报考工学硕士研究生的考生调剂到全日制工程硕士专业学位研究生，须达到我校工学门类分数线。
6.第一志愿报考工商管理MBA、公共管理MPA、工程管理、会计硕士的考生不得调入其他专业，其他专业的考生也不能调入该四个专业。第一志愿报考法律硕士（非法学）专业的考生不得调入其他专业，其他专业的考生也不得调入该专业。

⑹ 先考山东大学的博士，专业课是半导体物理和半导体器件理论，不知道指导教材是哪个版本

半导体物理与器件(第三版)——国外电子与通信教材系列
目录：
绪论 半导体和集成电路
历史
集成电路（IC）
制造
参考文献
第1章 固体晶格结构
1.1 半导体材料
1.2 固体类型
1.3 空间晶格
1.4 原子价键
*1.5 固体中的缺陷和杂质
*1.6 半导体材料的生长
1.7 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第2章 量子力学初步
2.1 量子力学的基本原理
2.2 薛定谔波动方程
2.3 薛定谔波动方程的应用
*2.4 原子波动理论的延伸
2.5 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第3章 固体量子理论初步
3.1 允带与禁带
3.2 固体中电的传导
3.3 三维扩展
3.4 状态密度函数
3.5 统计力学
3.6 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第4章 平衡半导体
4.1 半导体中的载流子
4.2 掺杂原子与能级
4.3 非本征半导体
4.4 施主和受主的统计学分布
4.5 电中性状态
4.6 费米能级的位置
4.7 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第5章 载流子输运现象
5.1 载流子的漂移运动
5.2 载流子扩散
5.3 杂质梯度分布
*5.4 霍尔效应
5.5 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第6章 半导体中的非平衡过剩载流子
6.1 载流子的产生与复合
6.2 过剩载流子的性质
6.3 双极输运
6.4 准费米能级
*6.5 过剩载流子的寿命
*6.6 表面效应
6.7 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第7章 pn结
7.1 pn结的基本结构
7.2 零偏
7.3 反偏
*7.4 非均匀掺杂pn结
7.5 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第8章 pn结二极管
8.1 pn结电流
8.2 pn结的小信号模型
8.3 产生复合电流
8.4 结击穿
*8.5 电荷存储与二极管瞬态
*8.6 隧道二极管
8.7 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第9章 金属半导体和半导体异质结
9.1 肖特基势垒二极管
9.2 金属半导体的欧姆接触
9.3 异质结
9.4 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

第10章 双极晶体管
10.1 双极晶体管的工作原理
10.2 少子的分布
10.3 低频共基极电流增益
10.4 非理想效应
10.5 等效电路模型
10.6 频率上限
10.7 大信号开关
*10.8 其他的双极晶体管结构
10.9 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第11章 金属氧化物半导体场效应晶体管基础
11.1 双端MOS结构
11.2 电容电压特性
11.3 MOSFET基本工作原理
11.4 频率限制特性
*11.5 CMOS技术
11.6 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第12章 金属氧化物半导体场效应晶体管：概念的深入
12.1 非理想效应
12.2 MOSFET按比例缩小理论
12.3 阈值电压的修正
12.4 附加电学特性
*12.5 辐射和热电子效应
12.6 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第13章 结型场效应晶体管
13.1 JFET概念
13.2 器件的特性
*13.3 非理想因素
*13.4 等效电路和频率限制
*13.5 高电子迁移率晶体管
13.6 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第14章 光器件
14.1 光学吸收
14.2 太阳能电池
14.3 光电探测器
14.4 光致发光和电致发光
14.5 光电二极管
14.6 激光二极管
14.7 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献
第15章 半导体功率器件
15.1 功率双极晶体管
15.2 功率MOSFET
15.3 散热片和结温
15.4 半导体闸流管
15.5 小结
重要术语解释
知识点
复习题
习题
参考文献

附录A 部分参数符号列表
附录B 单位制、单位换算和通用常数
附录C 元素周期表
附录D 误差函数
附录E 薛定谔波动方程的推导
附录F 能量单位——电子伏特
附录G 部分习题参考答案
索引

⑺ 半导体物理与器件的介绍

《半导体物理与器件》是机械工业出版社出版发行裴素华编着的实体书。《半导体物理与器件》较系统全面地阐述了半导体物理的基础知识和典型半导体器件的工作原理、工作特性。具体内容包括：半导体材料的基本性质、PN结机理与特性、双极型晶体管、MOS场效应晶体管、半导体器件制备技术、Ga在SiO（2）/Si结构下的开管掺杂共6章。每章后附有内容小结、思考题和习题。书后有附录，附录A是《半导体物理与器件》的主要符号表，附录B是常用物理常数表，附录c是锗、硅、砷化镓主要物理性质表，附录D是求扩散结杂质浓度梯度的图表和方法。对《半导体物理与器件》各章内容可以单独选择或任意组合使用。

⑻ 施敏的《半导体器件物理与工艺》和《半导体器件物理》有哪些区别

《半导体器件物理与工艺》所讲的器件种类要少，而且后面还有一定篇幅讲工艺，《半导体器件物理》这本书各种半导体器件都涉及到了，当时也认真学了，感觉很开拓思路，但是施敏有些地方还是没写清楚，还好上课的时候老师差不多把施敏没讲清楚的地方都给我们提出来讲了讲。所以这本书不适合初学器件，如果你是刚接触器件课，建议看看皮埃罗的《半导体器件基础》，器件课其实器件课主要就是学PN结，金半接触，BJT，MOSFET，PN结和金半接触是所有器件的基础，后两者是电流控制器件和场控器件的典型代表。当然有些书在这三者的基础上又加上了MESFET，MODFET，JFET，这些其实都是场控器件。