半导体物理如何求禁带宽度

⑴ 半导体物理中，能带宽度与禁带宽度的区别是什么

1、概念不同：

能带宽度：为价带和导带的宽度，即电子能量分裂的一个个密集能级组成的宽度。 禁带宽度：为导带和价带的间距。能带宽度就是通电的能力，禁带宽度就是组电的能力。

2、所含电子不同：

能带：是用量子力学的方法研究固体内部电子运动的理论。始于20世纪初期，在量子力学确立以后发展起来的一种近似理论。它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点，并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在，解释了晶体中电子的平均自由程问题。

禁带宽度：是指一个能带宽度，固体中电子的能量是不可以连续取值的，而是一些不连续的能带，要导电就要有自由电子存在，自由电子存在的能带称为导带（能导电），被束缚的电子要成为自由电子，就必须获得足够能量从而跃迁到导带，这个能量的最小值就是禁带宽度。

例如：锗的禁带宽度为0.66ev；硅的禁带宽度为1.12ev；砷化镓的禁带宽度为1.46ev。‘

(1)半导体物理如何求禁带宽度扩展阅读

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高时，晶体体积膨胀，原子间距增大，能带宽度变窄，则禁带宽度将增大，于是禁带宽度的温度系数为正。

⑵ 纯净锗吸收辐射的最大波长为1.9μm,则锗的禁带宽度为答案是0.67eV，哪位大仙告诉小弟，是如何计算的呢。

这个属于半导体物理的知识。
光子的能量要大于或等于禁带宽度，才能使电子产生能级跃迁,吸收辐射，产生电流。
光子的能量=hv=h*(光速/波长)，h为普朗克常数=6.626×10-34 J.s=4.14×10-15eV*S 。由题意和上述原理可知，禁带宽度就等于这时的光子能量。所以Eg=hv=h*(光速/波长)=（4.14×10-15（eV*S））*（（3*10+8）m/s）/（1.9*10-6m）=0.654eV。
误差应该是各值的实际值和理论值的正常偏离。

⑶ 半导体物理学:能带底和导带底，能带顶和价带顶有什么区别 还有能带，允带，禁带，导带，价带之间关系

这个问题我来，我是微电子专业的。
首先，导带和价带都是能带。那么能带底就包括导带底和价带底，能带顶同理。
导带和价带如图：

Ec就是导带底所处的能级，Ev就是价带顶所处的能级。禁带宽度就是中间的Eg，是不允许电子存在的部分（禁是禁止之意）。